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这款电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥，整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，通常电源中采用的整流桥除了这种单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的，它们的原理完全相同作用就是整流，把交流电变为直流电。实质上就是把4个硅二极管接成桥式整流电路之后封装在一起用塑料包装起来，引出4个脚，其中2个脚接交流电源，用~~符号表示，2个脚是直流输出，用+ -表示。特点是方便小巧。不占地方。规格型号一般直接用参数表示：50伏1安，100伏5安等等。如果你要使用整流桥，选择的时候留点余量，例如要做12伏2安培输出的整流电源，就可以选择25伏5安培的桥。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。

整流桥堆

整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。 全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（比较高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多

种规格。常用的国产全桥有佑风YF系列，进口全桥有ST、IR等。

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如果在负载r二端并接一滤波电容c1，就会使r电压变得平稳，下面讲解其滤波原理：在交流电过零瞬间起，r的电压由0逐渐变大，此时由于c1并接在r二端，其电压也由0增加，此过程为电容c1的充电过程，当交流电压达到比较大值后开始下降，将使r的电压也由其比较大值开始下降，此时c1的电压将高于r电压，于是c1将开始向r放电，使r电压下降速率变缓，见上右侧图下的脸色波形图，此时r的电压电压波形比未加电容c1时的电压波形变得平稳，而且c1值越大，r1电压越平稳。海南新型西门康整流桥模块***选择一“芯”连天下，服务万里行。

特点：

  1、铝基导热底板：其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热线性膨胀系数铝为16．7×10-6／℃，DBC约不5．6×10-6／℃)相差较大，为此，除需采用掺磷、镁的铜银合金外，并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯，这种存在s一定弧度的焊成品，能在模块装置到散热器上时，使它们之间有充分的接触，从而降低模块的接触热阻，保证模块的出力。

  2、DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以用作主电路端子和控制端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块具有有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。

整流工作原理：

上图左侧图为有4只二极管组成的桥式整流电路，其r为负载电阻，c1为滤波电容。上右侧图为左侧图的输入与输出电压波形图：右图上为a b二点输入电压波形图，即交流正弦波形，右图中为c d二点在未加电容c1时的直流电压输出波形图，右图下为c d二点在加有电容c1后的直流电压输出波形图。

先讲一下c d二点未加电容c1时的电路整流及电阻r的电压波形：

二极管的特点为：如其正极电位高于负极，则二极管就导通，如其正极电位低于负极，则二极管就截止，

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首先看下整流桥的工作原理，它是由四个二极管组成，对交流电进行整流为直流电。进过整流桥直接整流过的电压还不够稳定，还需要滤波电路对整流过的电压进行过滤已达到稳定的电压。为了减少的电压的波动，一般还需要LDO的配合来达到更加精细和稳定的电压，比如7805就是常见的LDO。上面三点再加上变压器，变压器对220V或者更高的交流电压进行***次降压，这就是我们平常最常见的电源电路。整流桥的选型也是至关重要的，后级电流如果过大，整流桥电流小，这样就会导致整流桥发烫严重。如果为了减低成本，也可以使用4颗二极管来自己搭建整流桥，可以根据具体使用场景来选择。服务前列，创“芯”科技前沿。上海原装西门康整流桥模块性价比出众

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当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压，IR整流桥模块。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，

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