深圳正规瓷片电容值得信赖

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  包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。

高压陶瓷电容器的制造工艺要点有哪些

陶瓷电容器

  关于高压陶瓷电容器的制造工艺要点的介绍就是上文这些了，通过阅读之后大家都了解清楚了吗?制造高压陶瓷电容器的每一个要点都是要非常精确的，这样制造出来的才有用。深圳市芯通电子科技有限公司 低压陶瓷电容，一般指100V以下的。深圳正规瓷片电容值得信赖

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。EIA RS-198。

优点:稳定，绝缘性好，耐高压

缺点:容量比较小

深圳**瓷片电容便宜高压瓷片电容相信接触过电容器的人都很熟悉。

瓷片电容在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不适合使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高压陶瓷电容器的制造工艺要点：

  （1）原料要精选

  影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。

  （2）熔块的制备

  熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。

  （3）成型工艺

  成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。

  （4）烧成工艺

  应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。

油浸纸介电容器电容量大、耐压高、体积大。

MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本.主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

直插瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法，色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)，微法 (μF)/mju:/，纳法(nF)，皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V，容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示，字母表示法：1F=1000 μF   1P2=1.2PF   1nF=1000PF。数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。 优点：稳定，绝缘性好，耐高压。深圳原装瓷片电容厂家供应

瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器，是用陶瓷粉模压成型，然后烧结而成。深圳正规瓷片电容值得信赖

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