1、首先看下整流桥的工作原理,它是由四个二极管组成,对交流电进行整流为直流电。
2、进过整流桥直接整流过的电压还不够稳定,还需要滤波电路对整流过的电压进行过滤已达到稳定的电压。
3、为了减少的电压的波动,一般还需要LDO的配合来达到更加精细和稳定的电压,比如7805就是常见的LDO。
4、上面三点再加上变压器,变压器对220V或者更高的交流电压进行***次降压,这就是我们平常最常见的电源电路。
5、整流桥的选型也是至关重要的,后级电流如果过大,整流桥电流小,这样就会导致整流桥发烫严重。
6、如果为了减低成本,也可以使用4颗二极管来自己搭建整流桥,可以根据具体使用场景来选择。
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在uab正半周期内,其a点电位高于b点电位(即ua>;ub)故回路电流必定由高电位(a点)流出,再由低电位(b点)流回的。此时电流流动路线是按红色路线,由a流出,由b流回的:a点连接d1管的正极及d2管的负极,故电流只能经过d1二极管到r上端c点,再流过r到r下端d点,再经过d4二极管流回电源b端。在uab负半周期(即ua
正半周时:电流由a点流出—>经d1二极管—>c点—>经r—>d点—>经d4二极管—>流回b点。
负半周时:电流由b点流出—>经d3二极管—>c点—>经r—>d点—>经d2二极管—>流回a点
可见在交流电的正负半波里,交流电源的电流是正负二个方向交变的,而负载电阻r的电流,由于整流桥的作用,使流经r的电流方向是不变的:总是由c点流向d点,即r的电流变为直流电。但r的电压是不稳定的,其波形是脉动,形状与交流电正半周波形相似,见上右侧图中的未加电容的ucd波形图。
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来改变输出百分比。
整流桥模块,
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。
可控硅的主要参数有:
1、
额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、
正向阻断峰值电压VPF
在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
由于该系列整流桥都是采用塑料封装结构,在上述的二极管、引脚铜板、连接铜板以及连接导线的周围充满了作为绝缘、导热的骨架填充物质——环氧树脂。然而,环氧树脂的导热系数是比较低的(一般为0.35℃W/m,比较高为2.5℃W/m),因此整流桥的结--壳热阻一般都比较大(通常为1.0~10℃/W)。通常情况下,在元器件的相关参数表里,生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结—环境的热阻(Rja)和当元器件自带一散热器,通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻(Rjc)。品质,我说了不算;时效,他说了不算;服务,你说了才算。
特点:
1、铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,
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使模块具有有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。
3、电力半导体芯片:超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护,并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶,并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂,这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线,而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点,
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