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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

高压硅堆的检测


  高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。



变阻二极管的检测


  用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值,正常的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为Ω,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管已损坏。


晶体管有时多指晶体三极管。整流二极管出厂价格

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TO-252封装的超快速恢复二极管


  MUR540、MUR560、MUR580平均整流输出电流为5A,反向重复峰值电压为400v、600v、800v。 MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流输出电流为10A,反向重复峰值电压为400v、600v、800v。六款超快速恢复二极管,均采用TO-252封装,适用于各种整流应用。


  封装TO-252属于贴片式背带散热片,该产品可以较好的替代传统直插DO-27封装,减少了传统直插带来的人工成本及再加工成型带来的压力损伤等因素,具有效率更高、产品稳定性能更佳、空间占用小等优势。  



上海二极管单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子,因此它将较大降低功耗,提高集成电路的集成度。

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8550参数是一款PNP型的三极管,它的数据手册给出的各极性击穿电压为:


Vcbo:40V;Vceo:25V;Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。




8550的不同极之间的击穿电压曲线




C1815是一款NPN型双极型三极管,数据手册给出的耐压数据为:Vcbo:60V; Vceo:50V;Vebo: 5V。下面是对应的测量耐压曲线。




C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线




2SC2383是NPN型**率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为:


Vcbo:160V;Vceo: 160V;Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线:




2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线




如果三极管的耐压不够,往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件,串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。



一、半导体二极管


1、英文缩写:D (Diode),电路符号是



2、半导体二极管的分类


分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;


b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。


3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。


4、半导体二极管的导通电压是:


a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.


B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.


5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。


6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。


7、半导体二极管的识别方法:


测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:。

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肖特基二极管(Schottky Diodes): 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(至);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降*左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用常见的DO-41 DO-15 DO-27 TO-220封装形式,贴片的则有SOD123 S0D323 SMA SMB SMC SMAF SMBF SMCF等封装形式。二极管是比较常用的电子元件之一,他比较大的特性就是单向导电。山东MOS二极管

同电子管相比,晶体管具有诸多优越性。整流二极管出厂价格

让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。


与二极管类似,三极管也是由PN结构成的,它的内部包含两个PN结,这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同,三极管可以分成NPN型和PNP型。


以NPN型为例,三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚,就是三极,中间为基极B,两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”,基区、集电区和发射区。


三个区结构上各有特点,基区**薄,集电区面积比较大,发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合,在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结,基区与发射区交界处称为发射结。


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