三极管
三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值:
(1)Vceo:在集极开路的情况下,集电极和发射极之间的击穿电压;
(2)Vcbo: 在发射极开路的情况下,集电极和基极之间的击穿电压;
(3)Vebo: 在集电极开路的情况下,发射极与基极之间的击穿电压;
三极管的三个反向击穿电压
虽然在形式上,三极管看似为两个反向的二极管串联,但在工艺上,三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同,使得上面三个反向击穿电压不同,通常情况下它们之间的关系为:
Vcbo>Vceo>>Vebo
现今比较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。二极管制造公司
肖特基二极管电路 *
稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD1表示编号为1的稳压管。
正负极识别
从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。
ESD二极管直销晶体管是规范操作电脑,和所有其 英特尔3D晶体管技术 英特尔3D晶体管技术(16张) 他现代电子电路的基本构建块。
三极管可以并联使用以扩大电流容量,也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。
DB681是一款NPN型的达林顿管,它是由两个NPN三极管组成,***个三极管的发射极连接到第二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为:Vceo=100V。
BD681达林顿三极管
下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线,可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。
NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线
DB682是一款PNP型号达林顿管,通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示:
PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线
其他光敏二极管的检测
1.电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则是该光敏二极管漏电或开路损坏。
再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,说明该光敏二极管的灵敏度越高。
2.电压测量法 将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有电压(其电压与光照强度成正比)。
3.电流测量法 将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增大至几百微安。
单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子,因此它将较大降低功耗,提高集成电路的集成度。
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低()、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
晶体二极管在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。稳压二极管比较便宜
晶体管可单独包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。二极管制造公司
红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口(见图4-75)。正常的红外光敏二极管,在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,说明红外光敏二极管的灵敏度越高。
二极管制造公司
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