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可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。相当早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。 可控硅模块又叫晶闸管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管，浙江艾赛斯可控硅模块、可关断晶闸管、快速晶闸管鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。萱鸿科技，集结世界高端科技。湖南口碑好艾赛斯可控硅模块货源推荐

通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。 例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6-- 11-0.7V的普通型可控硅。 综上所述，小结如下:

按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注: 额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。 江苏性能优良艾赛斯可控硅模块规格尺寸齐全创“芯”共赢，服务先行。

4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。

⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。 4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。

可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。

  首先，我们可以把从阴极向上数的***、二、三层看面是一只NPN 型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27（C）的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1 的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1 将产生基极电流Ib1 ，

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可控硅工作原理：可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等.可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点.它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、***科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件.萱鸿科技，领先科技。浙江口碑好艾赛斯可控硅模块品质售后无忧

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(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。 (4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。 (5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致: 测量方法可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，湖南口碑好艾赛斯可控硅模块货源推荐

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