接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 淄博正高电气有限公司一切从实际出发、注重实质内容。天津小功率可控硅模块组件
可控硅模块的应用领域
该智能模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、**等各类电气操控、电源等,依据还可经过模块的操控端口与多功用操控板联接,结束稳流、稳压、软启动等功用,并可结束过流、过压、过温、缺持平维护功用。
可控硅模块的操控办法
经过输入模块操控接口一个可调的电压或许电流信号,经过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行滑润调度,结束模块输出电压从0V至任一点或悉数导通的进程。
电压或电流信号可取自各种操控外表、核算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种办法;操控信号选用0~5V,0~10V,4~20mA三种对比常用的操控办法。
上海大功率可控硅模块厂家淄博正高电气有限公司不断完善自我,满足客户需求。可控硅模块属于电气元器件,目前双向可控硅模块是比较理想的交流开关器件,它是从普通可控硅模块的基础上发展而来的,使用更加方便、安全可靠。下面正高来带您了解下双向可控硅模块的特点与性能。
双向可控硅模块是由一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅模块有两个主电极T1和T2和一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第 1和第 3象限有对称的伏安特性。双向可控硅模块门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅模块,需定量掌握其主要参数,对双向可控硅模块进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。
选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
1.可控硅模块的冷却及环境条件:
(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;
(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;
(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;
(4)空气相对湿度≤85%;
(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;
(6)气压86—106Kpa;
(7)无剧烈震动或冲击;
(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。 淄博正高电气有限公司拥有先进的产品生产设备,雄厚的技术力量。
可控硅模块又叫晶闸管,自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。现在大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极:首层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。淄博正高电气有限公司产品**国内。青海小功率可控硅模块品牌
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可控硅模块设备相信大家都已经熟悉并了解了,在您了解的知识中,您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?下面正高电气来讲解一下。
可控硅模块的工作条件:
1.当可控硅模块承受反向阳极电压时,不管门级承受哪种电压,可控硅模块都会处于断开状态。
2.当可控硅模块经历正向阳极电压时,可控硅*在门级受到正向电压时接通。
3.当可控硅模块导通时,只需要有一定的正极电压,不管门极电压怎样,可控硅模块都保持导通,如果可控硅导通后,门极将失去其功能。
4..当可控硅模块导通时,主电路电压(或电流)减小到接近零时,可控硅模块关断。 天津小功率可控硅模块组件
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