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场效应管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 齐全
  • 加工定制
  • 工作电压
  • 20-700
  • 产品用途
  • 消费类电子,小家电
  • 厂家
  • 深圳盟科电子
  • 产地
  • 广东
  • 封装
  • SOT系列 TO系列
  • MOS类型
  • N管 P管 N+P 双N 双P
  • 塑封料
  • 无卤
  • 环保认证
  • SGS认证
  • 样品
  • 支持
场效应管企业商机

    各类音频放大器具有各自的优点及属性,也各有其不足之处,而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势,同时还具备两者所没有的优势。在电路程式上,大量实践证明,单端甲类功放是以效率换音质的典范,具有出色的音乐魅力。不少发烧友从单纯追求音质出发,反复制作功放,反复对比听音,非常终为A类所动,似乎觉得没有A类的音乐犹如孤独的音乐。各类音频放大器具有各自的优点及属性,也各有其不足之处,而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势,同时还具备两者所没有的优势。在电路程式上,大量实践证明,单端甲类功放是以效率换音质的典范,具有出色的音乐魅力。不少发烧友从单纯追求音质出发,反复制作功放,反复对比听音,非常终为A类所动,似乎觉得没有A类的音乐犹如孤独的音乐。 MK3407的参数是多少?双P场效应管有哪些

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    将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。 双P场效应管有哪些能替代AO的国产品牌有哪些?

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场效应管(Field-Effect Transistor)也是一种具有PN结结构的半导体器件,简称FET, 它与三极管的不同之处在于它是电压控制器件。通过改变栅极的电压可以控制漏极和源极之间的电流,场效应管具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点,但容易被击穿。场效应管按其结构不同分为两大类,即绝缘栅型场效应管和结型场效应管。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体材料制成,简称MOS管。M0S管按其工作状态可分 为增强型和耗尽型两种,每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。

    场效应管/场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类。按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。 国内场效应管品牌有哪些?

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    由于耗尽型N沟道MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量的Na+或K+正离子(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),当VGS=0时,这些正离子产生的电场能在P型衬底中感应出足够的电子,形成N型导电沟道;当VGS>0时,将产生较大的ID(漏极电流);如果使VGS<0,则它将削弱正离子所形成的电场,使N沟道变窄,从而使ID减小。这些特性使得耗尽型MOS管在实际应用中,当设备开机时可能会误触发MOS管,导致整机失效;不易被控制,使得其应用极少。因此,日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题,在驱动中,通常还是使用NMOS替代,这也是市面上无论是应用还是产品种类,增强型NMOS管**非常为常见的重要原因,尤其在开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS管。 小风扇用的场效应管推荐。P型场效应管销售厂

场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。双P场效应管有哪些

    场效应管是场效应晶体管(FieldEffectTransistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点,特别适用于高灵敏度和低噪声的电路,现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件,工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流),工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大,但由于他们构造和工作原理截然不同,所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法替代的。 双P场效应管有哪些

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