每一所述第二子管道502与所述公共子管道501连通,所述公共子管道501与所述下一级腔室102连通。其中,阀门开关60设置在每一***子管道301上。在一些实施例中,阀门开关60设置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些实施例中,阀门开关60设置在每一第二子管道502上。具体的,阀门开关60的设置位置可以设置在连接过滤器30的任意管道上,在此不做赘述。在一些实施例中,请参阅图4,图4为本申请实施例提供的剥离液机台100的第四种结构示意图。第二管道50包括多个第三子管道503,每一所述第三子管道503与一子过滤器连通301,且每一所述第三子管道503与所述下一级腔室连通102。其中,阀门开关60设置在每一第三子管道503上。本申请实施例提供的剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过***管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在***管道或所述第二管道上设置有阀门开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立,从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程,提高生产效率。使用剥离液需要什么条件。惠州配方剥离液批量定制
所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的,所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氢氧化铵,~1wt%硫脲类缓蚀剂和~2wt%聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏,所以稳定性较高,水溶性较好,耐电解质,易于生物降解,泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性,所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果,另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。无锡银蚀刻液剥离液联系方式京东方用的哪家的剥离液?
所述胶水盛放箱804与所述点胶头805通过管道连接,所述卷边辊806与所述胶面收卷辊807通过皮带连接,所述收卷驱动电机802与所述胶面收卷辊807通过导线连接。本实施例中,所述电加热箱9与所述干燥度感应器11通过导线连接,所述电气控制箱12与所述液晶操作面板13通过导线连接。本实施例中,所述主支撑架1由合金钢压制而成,厚度为5mm。本实施例中,所述干燥度感应器11与所述电气控制箱12通过导线连接。本实施例中,所述防溅射挡板704共有两块,倾斜角度为45°。本实施例中,所述电气控制箱12与所述表面印刷结构7通过导线连接,所述电气控制箱12与所述胶面剥离结构8通过导线连接。具体工作原理为:将印刷品放置于所述印刷品放置箱6中,印刷品进入所述印刷品传送带5本文档来自技高网...【技术保护点】1.一种印刷品胶面印刷剥离复合装置,其特征在于:包括主支撑架(1)、横向支架(2)、伺服变频电机(3)、电机减速箱(4)、印刷品放置箱(6)、表面印刷结构(7)、胶面剥离结构(8),所述主支撑架(1)上方设置有所述横向支架(2),所述横向支架(2)上方设置有所述伺服变频电机(3),所述伺服变频电机(3)上方设置有所述电机减速箱(4),所述电机减速箱(4)上方安装有印刷品传送带(5)。
具体实施方式现有技术中剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质,而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收,其大量的使用但不能够有效地回收,或者回收后需要通过大量的时间分析其含量以及花大量时间进行再生处理,影响了剥离液废液的利用率。本发明对于已知的剥离液的含量以及比例有预先的了解,通过预先制定添加剂的方法,将添加剂以及某些原材料加入后重新制备剥离液新液。本发明中对于回收的剥离液废液的进一步处理加工,是采用现有技术中加压、蒸馏等方式,可以是采用阶段性变压精馏塔进行加压、蒸馏处理。表1:已知的剥离液新液的组分:表二:添加剂的组分组分比例:纯化液体的组分表四:制备剥离液新液在对纯化液体进行加工处理,重新制备剥离液新液的过程中,需要预先制备添加剂,该添加剂中不含有酰胺化合物,而通过表四中可以得出,制备过程中在纯化液体中加入添加剂以及nmf或bdg重新得出与表1组分相同的剥离液新液,该剥离液新液能够达到表1中剥离液新液相同的成分以及相同或大致相同的技术效果。对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的。哪家公司的剥离液的口碑比较好?
例如即使为50/50μm以下的线/间距、推荐10/10~40/40μm的线/间距也能除去抗蚀剂。实施例以下,举出实施例对本发明进行详细说明,但本发明不受这些实施例任何限定。实施例1抗蚀剂的剥离液的制备:将以下的表1中记载的成分在水中混合、溶解而制备抗蚀剂的剥离液。【表1】(mol/l)氢氧化钾氢氧化钠异丙基溶纤剂硅酸钾本发明组成:(1)基板制作方法为了提**膜抗蚀剂一基材间的密合,将覆铜层叠板(古河电工(株式会社)制:ccl:电解铜箔gts35μm箔)通过粗化处理(jcu制:ebakemuneobrownnbsii、蚀刻量μm)使表面粗度成为ra约μm。其后,使用干膜抗蚀剂(日立化成制:rd-1225(sap用):25μm厚)实施从层压到图案曝光、显影。向本基板以15μm厚实施镀铜(jcu制:cu-britevl)后,切出50×50mm2作为试验片。需要说明的是,该试验片是在一片上具有以下的表2的l/s的图案部分和黏性部分的试验片。(2)图案基板上残留的抗蚀剂的评价方法上述评价方法中将喷涂运行时间固定在4分钟,按照以下的评价基准评价l/s=20/20~40/40μm的图案部分有无剥离残渣。将其结果示于表2。<剥离残渣的评价基准>(分数)(内容)1:无残渣2:有极少量残渣。剥离液的发展趋势如何。扬州天马用的蚀刻液剥离液销售公司
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技术领域:本发明涉及一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,可用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,mems领域,nems领域。技术背景:微纳制造技术是衡量一个国家制造水平的重要标志,对提高人们的生活水平,促进产业发展与经济增长,保障**安全等方法发挥着重要作用,微纳制造技术是微传感器、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基本手段和重要基础。基于半导体制造工艺的光刻技术是**常用的手段之一。对于纳米孔的加工,常用的手段是先利用曝光负性光刻胶并显影后得到微纳尺度的柱状结构,再通过金属的沉积和溶胶实现图形反转从而得到所需要的纳米孔。然而传统的方法由于光刻过程中的散焦及临近效应等会造成曝光后的微纳结构侧壁呈现一定的角度(如正梯形截面),这会造成蒸发过程中的挂壁严重从而使lift-off困难。同时由于我们常用的高分辨的负胶如hsq,在去胶的过程中需要用到危险的氢氟酸,而氢氟酸常常会腐蚀石英,氧化硅等衬底从而影响器件性能,特别的,对于跨尺度高精度纳米结构的制备在加工效率和加工能力方面面临着很大的挑战。技术实现要素::为了克服上述技术问题,本发明公开了一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法。惠州配方剥离液批量定制
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