企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

    本申请涉及半导体工艺技术领域,具体涉及一种剥离液机台及其工作方法。背景技术:剥离(lift-off)工艺通常用于薄膜晶体管(thinfilmtransistor)制程中的光罩缩减,lift-off先形成光阻并图案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同时,沉积在光阻上的膜层也被剥离,从而完成膜层的图形化,通过该制程可以实现两次光刻合并为一次以达到光罩缩减的目的。现有技术中,由于光阻上沉积了薄膜(该薄膜材料可以为金属,ito(氧化铟锡)等用于制备tft的膜层),在剥离光阻的同时薄膜碎屑被带入剥离液(stripper)中,大量的薄膜碎屑将会导致剥离液机台中的过滤器(filter)堵塞,从而导致机台无法使用,并且需要停止所有剥离液机台的工作,待将filter清理后再次启动,降低了生产效率。技术实现要素:本申请实施例提供一种剥离液机台及其工作方法,可以提高生产效率。本申请实施例提供一种剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过***管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在所述***管道或所述第二管道上设置有阀门开关。在一些实施例中。龙腾光电用的哪家的剥离液?广东京东方用的蚀刻液剥离液产品介绍

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本发明涉及能够从施加有抗蚀剂的基材剥离抗蚀剂的抗蚀剂的剥离液。背景技术::印刷布线板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蚀剂等抗蚀剂的剥离液中,伴随微细布线化而使用胺系的剥离液。然而,以往的胺系的抗蚀剂的剥离液有废液处理性难、海外的法规制度的问题,而避免其使用。近年来,为了避免胺系的抗蚀剂的剥离液的问题点,还报道了一种含有氢氧化钠和溶纤剂的剥离液(专利文献1),由于剥离时的抗蚀剂没有微细地粉碎,因此存在近年的微细的布线间的抗蚀剂难以除去的问题点。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-323776号公报技术实现要素:发明要解决的问题因此,本发明的课题在于,提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术。用于解决问题的手段本发明人等为了解决上述课题而深入研究的结果发现,含有钾盐和溶纤剂的溶液与专利文献1那样的含有氢氧化钠和溶纤剂的溶液相比,即使是非常微细的布线间的抗蚀剂也能细小地粉碎,从而完成本发明。即,本发明涉及一种抗蚀剂的剥离液,其特征在于,含有钾盐和溶纤剂。另外,本发明涉及一种抗蚀剂的除去方法,其特征在于,用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材。无锡市面上哪家剥离液什么价格哪家剥离液质量比较好一点?

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    参考图7),这种残余物在覆盖一系列栅极堆栈薄膜之后会被增强呈现,传递到栅极成型工序时会对栅极图形产生严重的影响,即在栅极曝光图形成型之后形成埋层缺陷,在栅极刻蚀图形成型之后造成栅极断开或桥接,直接降低了产品良率。另外,在氧气灰化阶段,由于等离子氧可以穿透衬底表面上的氧化层到达衬底硅区,直接与硅反应产生二氧化硅,增加了硅损失,会影响器件阈值电压及漏电流,也会影响产品良率。技术实现要素:在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本发明要解决的技术问题是提供一种用于包括但不限于半导体生产工艺中,能降低光刻胶去除残留物的光刻胶剥离去除方法。为解决上述技术问题,本发明提供的光刻胶剥离去除方法,包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;可选择的,淀积介质层为二氧化硅薄膜。可选的,进一步改进,淀积二氧化硅薄膜厚度范围为5埃~60埃。s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层。

    本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种用于包括但不限于半导体生产工艺中光刻胶去除步骤的光刻胶剥离去除方法。背景技术:光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的也称为光致抗蚀剂、光阻等,其作用是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶广泛应用于集成电路(ic)、封装(packaging)、微机电系统(mems)、光电子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板显示其(led、lcd、oled)和太阳能光伏(solarpv)等领域。在半导体制造领域,离子注入层光刻胶(参考图2)在经过高剂量或大分子量的源种注入后(参考图3),会在光刻胶的外层形成一层硬壳(参考图4)本发明命名为主要光刻胶层。现有的离子注入层光刻胶在经过氧气灰化干法剥离时,由于等离子氧与光刻胶反应速率很高,会有一部分等离子氧先穿透主要光刻胶层到达第二光刻胶层,在与第二光刻胶层反应后在内部产生大量气体,第二层光刻胶膨胀(参考图5),主要光刻胶层终因承受不住内层巨大的气压而爆裂,爆裂的光刻胶有一定的概率掉落在临近的光刻胶上(参考图6),导致此交叠的光刻胶不能法剥离干净。在经过后续批作业的湿法剥离后会产生残余物。哪家公司的剥离液的是口碑推荐?

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    其包含含有钾盐的第1液、和含有溶纤剂的第2液。再者,本发明涉及印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法,其特征在于,在包括从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂的工序的印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法中,使用上述抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。发明效果本发明的抗蚀剂的剥离液即使是微细的布线间的抗蚀剂也能细小地粉碎。因此,本发明的抗蚀剂的剥离液适合于包括从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂的工序的印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法。具体实施方式本发明的抗蚀剂的剥离液(以下,称为“本发明剥离液”)含有氢氧化钾和溶纤剂。本发明剥离液中的钾盐没有特别限定,例如,可以举出氢氧化钾、碳酸钾等。需要说明的是,钾盐中不含相当于后述的硅酸盐的硅酸钾。这些之中推荐氢氧化钾。另外,本发明剥离液中的钾盐的含量没有特别限定,例如,推荐,更推荐,特别推荐。本发明剥离液中使用的溶纤剂是指乙二醇的醚类,例如,可以举出异丙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二甲基溶纤剂、苯基丁基溶纤剂、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂、苄基溶纤剂、卡必醇溶纤剂、二乙基溶纤剂等。这些之中推荐异丙基溶纤剂。另外。剥离液的发展趋势如何。铜陵剥离液订做价格

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    所述胶水盛放箱804与所述点胶头805通过管道连接,所述卷边辊806与所述胶面收卷辊807通过皮带连接,所述收卷驱动电机802与所述胶面收卷辊807通过导线连接。本实施例中,所述电加热箱9与所述干燥度感应器11通过导线连接,所述电气控制箱12与所述液晶操作面板13通过导线连接。本实施例中,所述主支撑架1由合金钢压制而成,厚度为5mm。本实施例中,所述干燥度感应器11与所述电气控制箱12通过导线连接。本实施例中,所述防溅射挡板704共有两块,倾斜角度为45°。本实施例中,所述电气控制箱12与所述表面印刷结构7通过导线连接,所述电气控制箱12与所述胶面剥离结构8通过导线连接。具体工作原理为:将印刷品放置于所述印刷品放置箱6中,印刷品进入所述印刷品传送带5本文档来自技高网...【技术保护点】1.一种印刷品胶面印刷剥离复合装置,其特征在于:包括主支撑架(1)、横向支架(2)、伺服变频电机(3)、电机减速箱(4)、印刷品放置箱(6)、表面印刷结构(7)、胶面剥离结构(8),所述主支撑架(1)上方设置有所述横向支架(2),所述横向支架(2)上方设置有所述伺服变频电机(3),所述伺服变频电机(3)上方设置有所述电机减速箱(4),所述电机减速箱(4)上方安装有印刷品传送带(5)。广东京东方用的蚀刻液剥离液产品介绍

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