所述硫醚系化合物推荐为选自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。本发明的蚀刻液推荐进一步含有α-羟基羧酸和/或其盐。所述α-羟基羧酸推荐为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。推荐为,所述酸的浓度为20重量%至70重量%,所述有机硫化合物的浓度为%至10重量%。另外,所述α-羟基羧酸和/或其盐的浓度推荐为%至5重量%。另外,本发明涉及一种使用所述蚀刻液在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻方法。发明的效果本发明的蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。另外,本发明的蚀刻液实质上不含氢氟酸及过氧化氢,因此毒性低,保存稳定性优异。具体实施方式本发明的蚀刻液为含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物的水溶液。所述酸中,从蚀刻速度的稳定性及酸的低挥发性的观点来看,推荐为硫酸。酸的浓度并无特别限制,推荐为20重量%至70重量%,更推荐为30重量%至60重量%。在酸的浓度小于20重量%的情况下,有无法获得充分的钛蚀刻速度的倾向,在超过70重量%的情况下,有蚀刻液的安全性成问题的倾向。苏州性价比高的蚀刻液。池州铝钼铝蚀刻液蚀刻液主要作用

618光电行业ITO**蚀刻液,专门针对氧化铟锡(ITO)玻璃导电薄膜镀层图线的脱膜蚀刻,它对于高阻抗ITO玻璃导电膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃导电膜(PET-ITO)都且有优良的蚀刻速度与效果。具有速度快、侧蚀小、无沉淀、气味小、不攻击抗蚀层,不攻击基材,操作控制简便灵活等非常***的优点,可采取自动控制系统补加,也可人工补加方式。更重要的是丝毫不改变产品的导电阻抗电性数据。二、产品特点1)速度快市场之一般ITO蚀刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蚀刻液蚀刻速度正常控制在2-10nm/s,速度快(具体设备情况有所差异)2)气味小、无烟雾、对皮肤刺激*目前市场蚀刻液一般有强烈之气味,温度升高后放出一种刺鼻气味,对操作人员身体健康和工作环境极为不利,但KBX-618A酸性蚀刻液采用的是有机活性添加剂3、用于有机基材膜,及各类玻璃底材,不影响生产材料导电阻抗数据。不攻击底材,不攻击抗蚀膜。KBX-556ITO**褪膜液一、产品简介KBX-556引进国外配方,采用进口原料,非常规易燃溶剂,即非有毒醇醚硫等物质,是采用环保的极性活性剂,可以有效、快速地去除水溶性干膜,在板面不会留下残渣。在褪极细线宽线距板时效果尤其明显,不会攻击聚酰亚胺,PET,ITO,硅晶体,液晶屏,及弱金属。上海天马用的蚀刻液蚀刻液按需定制蚀刻液的类别一般有哪些。

制备装置主体1的内部中间部位活动连接有高效搅拌装置2,制备装置主体1的一侧中间部位嵌入连接有翻折观察板4,制备装置主体1的底端固定连接有装置底座5,装置底座5的内部底部固定连接有成品罐6,装置底座5的顶端一侧固定连接有盐酸装罐7,装置底座5的顶端另一侧固定连接有硝酸装罐8,高效搅拌装置2的内部顶部中间部位活动连接有旋转摇匀转盘12,高效搅拌装置2的内部顶部两侧活动连接有震荡弹簧件14,震荡弹簧件14的顶端固定连接有运转电机组13,运转电机组13的顶端电性连接有控制面板15,高效搅拌装置2的内部中间部位固定连接有致密防腐杆16,致密防腐杆16的内部内侧贯穿连接有搅动孔17,盐酸装罐7的内部一侧嵌入连接有嵌入引流口22,嵌入引流口22的一端固定连接有负压引流器21,负压引流器21的一端固定连接有注入量控制容器18,注入量控制容器18的内部内侧固定连接有注入量观察刻度线19,注入量控制容器18的一侧嵌入连接有限流销20。推荐的,翻折观察板4的内部顶部活动连接有观察窗翻折滚轮401,观察窗翻折滚轮401的底端活动连接有内嵌观察窗402,该装置在进行制备时,具有一定的危险性,工作人员无法直接对其内部的运行状况进行很好的实时查看,通过设置内嵌观察窗402。
从蚀刻速度及安全性的观点来看,推荐为40℃至70℃,更推荐为45℃至55℃。处理时间视对象物的表面状态及形状等而变化,通常为30秒至120秒左右。实施例然后,对本发明的实施例与比较例一起进行说明。此外,本发明并非限定于下述实施例而解释。制备表1及表2所示的组成的各蚀刻液,在下述条件下进行蚀刻试验及蚀刻液的稳定性试验。此外,表1及表2所示的组成的各蚀刻液中,剩余部分为离子交换水。另外,表1及表2所示的盐酸的浓度为以氯化氢计的浓度。(蚀刻试验)通过溅镀法在树脂上形成50nm的钛膜,然后成膜200nm的铜膜,进而通过电镀铜在该铜膜上形成图案,将所得的基板用作试样。使用铜的蚀刻液,将试样的溅镀铜膜溶解而使钛膜露出。然后,将试样浸渍在实施例1至实施例12及比较例1至比较例3的蚀刻液中进行蚀刻实验。将实验结果示于表1。[表1]像表1所示那样,本发明的蚀刻液可在不蚀刻铜的情况下选择性地蚀刻钛。(蚀刻液的稳定性试验)将实施例1、实施例7、实施例12及比较例4的蚀刻液在室温下放置2天后,进行所述蚀刻试验,比较放置前后的蚀刻速度。将比较结果示于表2。[表2]像表2所示那样,本发明的蚀刻液的保存稳定性优异,即便在长期保存的情况下也可稳定地选择性地蚀刻钛。好的蚀刻液的标准是什么。

etchingamount)的相互关系的图表。具体实施方式本发明人确认了用于氮化物膜去除工序用蚀刻液组合物的具有防蚀能力的添加剂在满足特定参数值时能够使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜且不损伤氧化物膜的效果极大化,从而完成了本发明。本发明包括选择在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*将氮化物膜选择性去除的能力优异的添加剂的方法、由此选择的添加剂、包含上述添加剂的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明中,蚀刻对象膜可以为氮化物膜,保护对象膜可以为氧化物膜。此外,本发明的上述添加剂可以为硅烷(silane)系偶联剂。<蚀刻液组合物>具体而言,本发明可以包含磷酸、添加剂和水,上述添加剂可以为硅烷(silane)系偶联剂。本发明的上述添加剂的特征在于,使上述添加剂的反应位点(activesite)的数量除以上述添加剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量之后乘以(参照以下数学式)满足。本发明中,各添加剂的反应位点(activesite)的数量和添加剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量的例子示于表3中。此外,由此计算的各添加剂的aeff值和与此有关的蚀刻程度的例示示于表2中。参照上述结果,可以确认到上述添加剂的aeff值推荐满足。如何挑选一款适合公司的蚀刻液?上海天马用的蚀刻液蚀刻液按需定制
蚀刻液使用时要注意什么?池州铝钼铝蚀刻液蚀刻液主要作用
本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术:以往,在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如专利文献1中提出了一种钛的蚀刻液,该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛,并且该蚀刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的过氧化氢、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。但是,含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高的问题,含有过氧化氢的蚀刻液存在缺乏保存稳定性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许第4471094号说明书。技术实现要素:发明所要解决的问题本发明是鉴于所述实际情况而成,其目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法,所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛,而且毒性低,保存稳定性优异。解决问题的技术手段本发明的蚀刻液是为了在铜的存在下选择性地蚀刻钛而使用,并且含有:选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸;以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。所述硫酮系化合物推荐为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。池州铝钼铝蚀刻液蚀刻液主要作用