企业商机
蚀刻液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 产品名称
  • 钼铝钼蚀刻液
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类别
  • 无机酸
  • 产品性状
  • 液态
蚀刻液企业商机

    本实用新型涉及资源回收再利用领域,特别是涉及含铜蚀刻液气液分离装置。背景技术:线路板生产工业中,会对已经使用于蚀刻线路板的含铜蚀刻废液进行回收利用,在回收过程中,废液在加热器中通过蒸汽进行换热,换热完的废液在高温状态下进入分离器,会在分离器中发生闪蒸,闪蒸产生的二次蒸汽中,携带有大小不等的液滴,现有技术因缺乏有效的分离气液的手段,含有铜的液体随着蒸汽被排走,导致了产品发生损失。技术实现要素:基于此,有必要针对现有技术气液分离率低的问题,提供一种含铜蚀刻液气液分离装置。一种含铜蚀刻液气液分离装置,包括分离器及加热器,所述分离器设有液体入口、蒸汽出口及滤液出口,所述液体入口用于将加热器产生的液体输入至分离器中,所述液体入口处设有减压阀,所述蒸汽出口处设有真空泵、除雾组件及除沫组件,所述除雾组件用于过滤分离器中闪蒸的蒸汽中的含铜液体,所述除沫组件用于将经除雾组件除雾的气体进行除沫。在其中一个实施例中,所述除雾组件为设有多个平行且曲折的通道的折流板。在其中一个实施例中,所述除沫组件为丝网。在其中一个实施例中,所述分离器设有液位计、液位开关、液相气相温度传感器和压力传感器。在其中一个实施例中。蚀刻液的测试方法有哪些?江苏市面上哪家蚀刻液

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影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:1、Cu2+离子浓度的影响:Cu2+是氧化剂,所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明:在0~82g/L时,蚀刻时间长;在82~120g/L时,蚀刻速率较低,且溶液控制困难;在135~165g/L时,蚀刻速率高且溶液稳定;在165~225g/L时,溶液不稳定,趋向于产生沉淀。2、氯化铵含量的影响:通过蚀刻再生的化学反应可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蚀刻速率就会降低,以致失去蚀刻能力。所以,氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行,要不断补加氯化铵。合肥铜钛蚀刻液蚀刻液私人定做维信诺用的哪家的蚀刻液?

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    可以充分的将蚀刻液中的亚铜离子电解转化为金属铜,起到循环电解蚀刻液的作用;装置主体1左端表面靠近上端固定安装有抽气泵19,抽气泵19下方设置有集气箱21,集气箱21与抽气泵19之间连接有排气管20,电解池4下端连接有二号排液管22,二号排液管22内部上端设置有二号电磁阀23,装置主体1内部底端靠近左侧设置有倾斜板24,装置主体1前端表面靠近左上边角位置设置有活动板25,分隔板2右端放置有蓄水箱26,蓄水箱26上端靠近右侧连接有进水管27,回流管15下端连接有抽水管28,抽水管28内部上端设置有三号电磁阀29,装置主体1前端表面靠近右侧安装有控制面板30,倾斜板24的倾斜角度设计为10°,活动板25前端设置有握把,活动板25与装置主体1之间设置有铰链,且活动板25通过铰链活动安装在装置主体1前端,控制面板30的输出端分别与增压泵16、一号电磁阀18、二号电磁阀23和三号电磁阀29的输入端呈电性连接,通过设置有集气箱21与蓄水箱26,能够在电解蚀刻液结束后,启动抽气泵19,将电解池4中产生的有害气体抽入到排气管20并导入到集气箱21中,实现有害气体的清理,接着启动增压泵16并打开三号电磁阀29,将蓄水箱26中的清水通过抽水管28抽入到进液管8中。

    本实用涉及电子化学品生产设备技术领域,具体为高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置。背景技术:近年来,人们对半导体装置、液晶显示器的需求量不断增加的同时,对于这些装置所具有的配线、电极等的微小化、高性能化的要求也越来越严格,而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏,影响高密度细导线图像的精度和质量,为了解决蚀刻液组合物蚀刻铝材料过程中,对蚀刻速率慢、难以控制蚀刻角度和不同金属层的蚀刻量而造成的多层配线的半导体装置的配线的断路、短路,得到较高的成品率,为保证其稳定性及蚀刻的平滑度及精度,在蚀刻液中需要加入多种组分,而常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合。现有的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置密封性差,连接安装步骤繁琐,还需要使用工具才能进行连接安装或拆卸,而且现有的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置没有过滤的部件,蚀刻液中的各组份蚀刻液杂质含量多,且多种强酸直接共混存在较大的安全隐患,装置不够完善,难以满足现代社会的需求。所以,如何设计高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,成为我们当前需要解决的问题。优先苏州博洋化学股份有限公司。

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一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域1.本技术涉及化学蚀刻技术领域,具体涉及一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术:2.目前,电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的氧化铟锡(ito)膜,以便后续给电子器件可控通电。该ito膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ito材料层形成。其中,对于多晶ito(p-ito)材料,所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系ito蚀刻液。王水系蚀刻液成本低,但其蚀刻速度快,蚀刻的角度难以控制,且容易对ito膜的下层金属造成二次腐蚀。技术实现要素:3.有鉴于此,为克服目前存在的技术难题,本技术提供了一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。4.具体地,本技术首先方面提供了一种ito蚀刻液,所述ito蚀刻液包括以下重量份数的各组分:20-22份的盐酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制剂,0.5-3份的表面活性剂,以及水;其中,所述酸抑制剂包括n,n-二异丙基乙胺、n,n-二异丙基乙醇胺中的至少一种;所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种。5.通过对蚀刻液中硝酸及盐酸的含量进行精确限定,以实现了对王水系蚀刻液蚀刻速度的初步调控,并在一定程度上实现了对蚀刻角度的控制(蚀刻角度小于35龙腾光电用的哪家的蚀刻液?合肥铜钛蚀刻液蚀刻液私人定做

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引线框架的腐蚀是如何生产的呢?引线框架的材料主要是电子铜带,常见在引线框架中通过亮镍、锡和锡铅镀层下进行镀镍完成保护金属材料的目的,在材质过程中42合金引线相对来说容易发生应力-腐蚀引发的裂纹。为了保障引线框架的优异的导电性和散热性,处理方式通过电镀银、片式电镀线,将引线和基岛表面作特殊处理,这样能够保障焊线和引线框架的良好焊接性能。引线框架电镀银蚀刻工艺流程主要分:上料-电解除油-活化-预镀铜-预镀银-局部镀银-退银-防银胶扩散-防铜变色-烘干-收料。通过该蚀刻工艺流程能够保障引线框架蚀刻过程中电镀层的厚度、光亮度、粗糙度、洁净度等。因此,蚀刻引线框架对工艺和工厂的管理需要严格控制。 江苏市面上哪家蚀刻液

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