企业商机
蚀刻液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 产品名称
  • 钼铝钼蚀刻液
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类别
  • 无机酸
  • 产品性状
  • 液态
蚀刻液企业商机

可以维持合适的蚀刻速度且提高sin/sio2选择比。(b)硅烷系偶联剂本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶联剂作为防蚀剂可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化时使用。上述硅烷系偶联剂推荐使上述硅烷系偶联剂的反应位点(activesite)的数量除以上述硅烷系偶联剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量之后乘以,更推荐满足。上述硅烷系偶联剂推荐按照蚀刻液组合物的蚀刻程度(etchingamount,e/a)满足以上以下的范围的浓度来添加。上述硅烷系偶联剂推荐为选自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、双(三乙氧基甲硅烷基)甲烷(bis(triethoxysilyl)methane)、双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷(bis(triethoxysilyl)ethane)、(三乙氧基甲硅烷基)甲醇((triethoxysilyl)methanol)和(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((triethoxysilyl)methane)组成的组中的一种以上,更推荐为选自由双(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、(三乙氧基甲硅烷基)甲醇和(三乙氧基甲硅烷基)甲烷组成的组中的一种以上,**推荐为(三乙氧基甲硅烷基)甲烷和/或(三乙氧基甲硅烷基)甲醇。相对于组合物总重量,上述硅烷系偶联剂的含量为~10重量%,推荐为~%。使用蚀刻液的时候需要注意的事项有哪些?广东铜蚀刻液蚀刻液供应

广东铜蚀刻液蚀刻液供应,蚀刻液

所述液体入口1处设有减压阀12,所述蒸汽出口5处设有真空泵13、除雾组件3及除沫组件4,所述除雾组件3用于过滤分离器中闪蒸的蒸汽中的含铜液体,所述除沫组件4用于将经除雾组件3除雾的气体进行除沫。含铜蚀刻液在加热器11中进行加热,达到闪蒸要求的温度,输送至分离器,通过减压阀12减压,真空泵13对分离器内抽气,使分离器内处于低压状态,含铜蚀刻液在分离器内发生闪蒸,闪蒸产生大量蒸汽,蒸汽中携带着大小不等的液滴,大液滴中含有铜,通过除雾组件3和除沫组件4对蒸汽进行分离过滤,也可以防止大液滴从蒸汽出口5飞出,减少产品损失。在一个实施例中,如图1所示,所述除雾组件3为设有多个平行且曲折的通道的折流板。液体在随着气体上升时会有惯性,因为液体与气体的质量不同,他们的惯性也不同,当夹带着液体的气体以一定速度通过折流板曲折的通道时,液体流动的方向不断在曲折的通道中发生变化,液体的惯性较大,依旧保持原来的运动方向,从气体中脱离,撞击折流板壁面从而被挡下,气体则顺利通过折流板通道排出,被挡下的液体在壁面上汇集成液流,因重力的作用从折流板上流下。在一个实施例中,如图1所示,所述除沫组件4为丝网。因为除雾组件3中的撞击过程。苏州江化微的蚀刻液蚀刻液私人定做选择苏州博洋化学股份有限公司,安心,放心,舒心。

广东铜蚀刻液蚀刻液供应,蚀刻液

可用于银镍合金、银铜合金以及纯银的蚀刻,蚀刻后板面平整光滑。剂对油墨没有影响,可用于花纹蚀刻处理。三、使用方法:1、原液使用,不须加水,操作温度可以是25℃-60℃,温度越高,速度越快。2、将银板浸泡在银蚀刻剂中。用软毛刷来回轻轻刷动,使药水与银充分均匀反应;或者也可以用摇床,使药水来回动运,使板蚀刻速度加快。但不能超声波,以免破坏(感光)油墨。参考数据:50℃→5分钟→0.1毫米深度。30℃→20分钟→0.1毫米深度。3、水洗后做后续处理。

所述液位计7安装于所述分离器的外表面。液位计7安装在方便工作人员查看的位置,有利于提高工作人员工作的效率。在一个实施例中,如图1所示,所述液位开关9为控制阀,设置于所述滤液出口2处。控制阀为内螺纹截止阀,通过旋转操纵盘实现阀门的开关,这种阀结构简单,维修方便,工作行程小,启闭时间短,使用寿命长。在一个实施例中,如图2所示,所述分离器的侧壁上设有多个视镜10。分离器侧壁上设置的视镜10可以帮助工作人员辅助判断液位计7的工作状况。在一个实施例中,如图1所示,所述加热器11为盘管式加热器。盘管式加热器的受热更加均匀,加热效率更高。在一个实施例中,如图1所示,所述分离器底部为锥体形状。分离器底部设置成锥体形状更有利于滤液排出,不会残留在分离器内。以上所述是本实用新型的推荐实施方式,本实用新型的保护范围并不局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。高效蚀刻液,让您的生产更顺畅,品质更出众。

广东铜蚀刻液蚀刻液供应,蚀刻液

将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用;第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。作为推荐的技术方案,所述磁力泵出口压力≤,过滤器入口压力≤。根据制备铜蚀刻液的原料确定磁力泵的出口压力和过滤器的入口压力,包装原料可以被充分过滤。作为推荐的技术方案,所述调配罐内的温度设定在30~35℃。调配罐的温度不能超过35℃,由于过氧化氢的密度随温度的升高而减小,因此保证交底的反应温度有助于保证原料体系的稳定作为推荐的技术方案,所述过滤器的微滤膜孔径为~μm。作为推荐的技术方案,第三步中各种原料在~,调配罐内填充氮气,搅拌速度为30~50r/min。作为推荐的技术方案,原料罐和调配罐大拼配量不超过罐容积的80%。本发明的优点和有益效果在于:本发明在制备酸性铜蚀刻液的过程中,用低温纯水(10℃)替代常温纯水(25℃),将低温纯水加入反应体系中,降低反应体系的反应温度。BOE蚀刻液专业生产厂家。江苏市面上哪家蚀刻液订做价格

质量好的蚀刻液的公司联系方式。广东铜蚀刻液蚀刻液供应

本实用涉及蚀刻设备技术领域,具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术:蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的,薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft~lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应,使得装置外壳稳定较高,工作人员直接接触有烫伤风险,热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,保护性不足,盐酸硝酸具有较强的腐蚀性,常规的搅拌装置容易被腐蚀,影响蚀刻液的质量,用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌,成本过高,且混合的效果不好。所以,如何设计一种ito蚀刻液制备装置,成为当前要解决的问题。技术实现要素:本实用新型的目的在于提供一种ito蚀刻液制备装置,以解决上述背景技术中提出的ito蚀刻液制备装置保护性不足、不具备很好的防腐蚀性和混合的效果不好的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种ito蚀刻液制备装置,包括制备装置主体、高效搅拌装置和过滤除杂装置。广东铜蚀刻液蚀刻液供应

蚀刻液产品展示
  • 广东铜蚀刻液蚀刻液供应,蚀刻液
  • 广东铜蚀刻液蚀刻液供应,蚀刻液
  • 广东铜蚀刻液蚀刻液供应,蚀刻液
与蚀刻液相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责