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一种蚀刻方法,其特征在于,使用根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻液,在铜的存在下选择性地蚀刻钛。蚀刻液及蚀刻方法技术领域[0001]本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术[0002]以往,在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如文献1中提出了一种钛的蚀刻液,该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛,并且该蚀刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的过氧化氢、0.05重量%至5重量%的磷酸、0.001重量%至0.1重量%的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。[0003]但是,含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高福建介绍BOE蚀刻液价格BOE蚀刻液多少钱一吨?
三氯化铁蚀刻液在印制电路、电子和金属精饰等工业中被采用,一般用来蚀刻铜、铜合金、不锈钢、铁及锌、铝等。虽然近些年来越来越要求再生容易,更加环保的蚀刻液,但由于三氯化铁蚀刻液它的工艺稳定,操作方便,价格便宜,因此还仍然被广大蚀刻加工企事业单位采用。三氯化铁蚀刻液适用于网印抗蚀印料、液体感光胶、干膜、镀金抗蚀层等抗蚀层的印制板的蚀刻。(但不适用于镍、锡、锡-铅合金等抗蚀层)1.蚀刻时的主要化学反应三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化-还原过程。在铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。同时Fe3+被还原成Fe2+。FeCl3+Cu→FeCl2+CuClCuCl具有还原性,可以和FeCl3进一步发生反应生成氯化铜。FeCl3+CuCl→FeCl2+CuCl2Cu2+具有氧化性,与铜发生氧化反应:CuCl2+Cu→2CuCl所以,FeCl3蚀刻液对Cu的蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的。其中Fe3+的蚀刻速率快,蚀刻质量好;而Cu2+的蚀刻速率慢,蚀刻质量差。新配制的蚀刻液中只有Fe3+,所以蚀刻速率较快。但是随着蚀刻反应的进行,Fe3+不断消耗,而Cu2+不断增加。当Fe3+消耗掉35%时,Cu2+已增加到相当大的浓度,这时Fe3+和Cu2+对Cu的蚀刻量几乎相等;当Fe3+消耗掉50%时。
zno薄膜是一种重要的光电子信息材料,不具有与传统的ito薄膜相比拟的光电性质,而且原料丰富,价格低,无毒性,热稳定性高,在太阳能电池、液晶显示器、光电探测器等领域有着的应用前景,比如可用于制造柔性衬底发光器件、塑料液晶显示器和非晶硅太阳能电池,还可作为透明保温隔热材料用于塑料大棚以及汽车玻璃和民用建筑玻璃的贴膜。尤其在光电子产业ito透明导电薄膜中,in元素资源稀少,价格昂贵,急需找到一种可替代的材料。因此zno被视为ito的替代材料。在zno体系中掺杂al得到zno:al透明导电薄膜,即azo薄膜,掺杂后的薄膜导电性能大幅度提高,电阻率可降低到10-4ohm·cm,而且透明导电薄膜azo薄膜在氢等离子体中稳定性要优于ito,同时具有可同ito相比拟的光电特性,而且azo薄膜的制备方便,元素资源比in元素丰富,且无毒,逐渐成为ito薄膜佳替代者,azo薄膜已经在平板显示器和薄膜太阳能电池中得到了部分应用。但是zno基薄膜湿法刻蚀中,由于金属氧化物本身晶体生长特殊性,刻蚀过程中产生的蚀刻毛刺及均匀性问题一直是al、ga等掺杂氧化物薄膜推广应用的瓶颈,因此开发一款性能优良的azo薄膜蚀刻液很有必要。BOE蚀刻液推荐苏州博洋化学股份有限公司。
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*EL级:控制十多个金属元素,单项金属元素控制在100ppb。
*MOS级:介于EL级与UP级之间,控制0.5µm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在10~50ppb。
*UP级:控制0.3µm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在10ppb一下。
*UP-H级:控制0.1µm颗粒,控制在三十多个金属元素,单项金属元素控制在1ppb以下。
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