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    附图标记说明01：工艺盘1：工艺盘转轴2：驱动衬套210：***衬套部211：驱动通孔211a：避让槽220：第二衬套部221：轴通孔222：定位凸起3：驱动轴310：驱动连接部320：驱动轴体部311：定位平面312：圆柱面4：传动筒41：内凸台结构42：外凸台结构43：挡环槽5：密封衬套6：波浪管7：挡环8：调平件9：传动架91：传动法兰92：法兰连接件10：轴承座101：上法兰102：下法兰11：升降机构12：电机13：定位块具体实施方式以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式*用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。本实用新型的发明人在实验中发现，工件在工艺盘上出现摆放位置偏移的问题是工艺盘与相应的旋转传动组件之间出现滑移导致的。发明人在进行过大量实验研究后发现，在现有的半导体设备中，为了实现向工艺盘传递扭矩，通常采用圆柱面摩擦传动的方式带动，而正是该摩擦传动方式使得传动件的摩擦面长时间发生相对转动，导致配合面发生摩擦磨损，进而影响了对位精度。因此，为解决上述技术问题，作为本实用新型的***个方面，提供一种半导体设备中的工艺盘组件，如图1至3所示，工艺盘组件包括工艺盘01和工艺盘转轴1。我们提供各种复杂度的 CNC 加工服务。CPVC半导体与电子工程塑料零件定制加工推荐厂家

    从而能够缓解定位平面311两侧的应力集中现象，提高了驱动轴3和驱动衬套2上应力分布的均匀性。并且，在本实施例中，两圆柱面312与驱动衬套2套孔中的相应圆柱面相配合，能够实现定位平面311的精确定位，保证定位平面311与驱动衬套2套孔中的平面紧密贴合，避免平面之间的空隙导致驱动轴3和驱动衬套2在传动过程中相互碰撞、磨损。此外，两定位平面311以驱动轴3的轴线为对称中心对称设置，使得驱动轴3与驱动衬套2通过平面传动时受到的力矩也是中心对称的，避免了驱动衬套2与驱动轴3的轴线之间发生偏移，保证了定位精度。为提高工艺盘组件结构的整体强度，推荐地，如图6所示，驱动衬套2包括相互连接的***衬套部210和第二衬套部220，***衬套部210和第二衬套部220沿工艺盘转轴1的轴线方向排列，第二衬套部220位于***衬套部210朝向驱动轴体部320的一侧，驱动衬套2的套孔包括形成在***衬套部210中的驱动通孔211和形成在第二衬套部220中的轴通孔221，驱动通孔211与驱动连接部310匹配；***衬套部210的外径小于第二衬套部220的外径，定位凸起222形成在第二衬套部220的外壁上，且第二衬套部220与工艺盘转轴1的安装孔相配合。在本实用新型的实施例中。山东PVC半导体与电子工程塑料零件定制加工什么材料并其生产过程依照优良制造标准（GMP）控制。

    上述碳化硅陶瓷的制备方法能够获得具有较好的力学性能的碳化硅陶瓷。附图说明图1为一实施方式的碳化硅陶瓷的制备方法的工艺流程图。具体实施方式为了便于理解本发明，下面将结合具体实施方式对本发明进行更***的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻***。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。请参阅图1，一实施方式的碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：步骤s110：将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合，并在真空条件、700℃～900℃下进行加热处理，得到预处理颗粒，其中，金属元素为稀土元素或锶元素。具体地，碳化硅微粉的粒径为μm～μm。选择上述粒径的碳化硅微粉有利于控制得到的碳化硅陶瓷的晶粒尺寸，从而提高碳化硅陶瓷的力学性能。稀土元素包括钇(y)、钕(nd)、铈(ce)、镧(la)及钐(sm)中的至少一种。

    并实现对工艺盘的角度进行调整，进一步推荐地，当采用上述配合面轴向错开的设计时，驱动通孔211与驱动连接部310之间为过盈配合，第二衬套部220的圆柱面与安装孔之间为过盈配合。在本实用新型的实施例中，设置工艺盘转轴1、驱动衬套2与驱动轴3之间均为过盈配合，从而使得工艺盘转轴1和驱动衬套2能够在安装后保持与驱动轴3之间的同轴度。并且，*通过调整驱动轴3的朝向即可微调工艺盘转轴1的角度，并**终实现对工艺盘的角度进行调整。为避免驱动通孔211与驱动连接部310之间的配合面尺寸的偏差导致零件损坏，推荐地，如图6所示，驱动通孔211的内壁上形成有避让槽211a，避让槽211a与驱动通孔211内壁上圆柱面与平面的相贯线位置匹配。在本实用新型的实施例中，驱动通孔211内壁上形成有避让槽211a，驱动通孔211与驱动连接部310连接时，驱动连接部310侧面的棱插入避让槽211a中，从而能够将驱动通孔211与驱动连接部310之间的平面配合面与圆柱面配合面分离。在驱动通孔211与驱动连接部310为过盈配合时，平面配合面与圆柱面配合面可以分别向外发生微小形变，而驱动连接部310侧面上的棱始终位于避让槽211a中，从而不会因两种配合面形变程度的不同而与驱动通孔211的内壁之间发生刮擦。用于刻蚀、CVD和离子植入等干式制程工具的材料，可降低成本和提高性能。

    本发明涉及陶瓷领域，特别是涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件。背景技术：反应烧结碳化硅陶瓷是由细颗粒sic和添加剂压制成素坯，在高温下与液态硅接触，坯体中的碳与渗入的si反应，生成新的sic，并与原有颗粒sic相结合，游离硅填充了气孔，从而得到高致密性的陶瓷材料。反应烧结碳化硅在烧结过程中尺寸几乎无变化，相比于常压烧结、热压烧结碳化硅材料来说，加工成本大幅降低，广泛应用于石油、化工、航空航天、核工业及半导体等领域。但是反应烧结碳化硅材料存在力学性能较差的问题，从而限制了反应烧结碳化硅材料的应用。技术实现要素：基于此，有必要提供一种力学性能好的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法。此外，还提供一种碳化硅陶瓷和半导体零件。一种碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃～900℃下进行加热处理，得到预处理颗粒，其中，所述金属元素为稀土元素或锶元素；将所述预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和***碳源混合造粒，得到造粒粉；将所述造粒粉成型，得到***预制坯；将所述***预制坯与第二碳源混合加热，使所述第二碳源呈液态。我们会对生产的部件进行检测。山东PVC半导体与电子工程塑料零件定制加工什么材料

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    表1实施例和对比例的碳化硅陶瓷的力学性能数据从上表1中可以看出，实施例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度均在400mpa左右，实施例2得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度甚至高达451mpa，远高于对比例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度。实施例得到的碳化硅陶瓷的显微硬度至少为2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而对比例得到的碳化硅陶瓷的抗显微硬度和致密度均较低。由此可以看出，采用实施例中的碳化硅陶瓷的制备方法得到的碳化硅陶瓷的力学性能较好。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例*表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。CPVC半导体与电子工程塑料零件定制加工推荐厂家

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