水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶,而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延,其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。1、元素半导体材料硅在当前的应用相当***,他不仅是半导体集成电路,半导体器件和硅太阳能电池的基础材料,而且用半导体制作的电子器件和产品已经大范围的进入到人们的生活,人们的家用电器中所用到的电子器件80%以上与案件都离不开硅材料。锗是稀有元素,地壳中的含量较少,由于锗的特有性质,使得它的应用主要集中与制作各种二极管,三极管等。而以锗制作的其他钱江如探测器,也具有着许多的优点,***的应用于多个领域。2、有机半导体材料有机半导体材料具有热***电导率,如萘蒽,聚丙烯和聚二乙烯苯以及碱金属和蒽的络合物。磨削、铣削、钻孔、车削和制造都可以很好地运用在半导体零件加工上。HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工规格尺寸
第二溶剂能够溶解第二分散剂。在其中一个实施例中,第二溶剂为水或酒精。可以理解,在其他实施例中,第二溶剂还可以为其他物质。第二分散剂包括四甲基氢氧化铵、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸铵、丙烯酸钠、聚乙烯醇及聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种。在本实施方式中,***分散剂与第二分散剂可以相同,也可以不同。采用上述第二分散剂、第二溶剂和粘结剂能够将预处理颗粒和***碳源均匀混合。具体地,步骤s120包括:步骤s122:将预处理颗粒与第二分散剂、第二溶剂、粘结剂和***碳源混合,并进行球磨,得到球磨后的浆料。其中,球磨过程中的转速为100转/分~300转/分,球磨的时间为1h~5h。通过球磨能够使得预处理颗粒、第二分散剂、粘结剂和***碳源等混合均匀。步骤s124:将球磨后的浆料进行喷雾造粒,得到造粒粉。通过步骤s122和步骤s124能够得到均匀的造粒粉。在其中一个实施例中,造粒粉的平均尺寸为60微米~120微米。步骤s130:将造粒粉成型,得到***预制坯。具体地,步骤s130包括:将造粒粉先进行模压成型,成型压力为70mpa~170mpa,保压时间为10s~90s,然后进行等静压成型,成型压力为200mpa~400mpa,保压时间为60s~180s,得到***预制坯。通过先进行模压成型。半导体与电子工程塑料零件定制加工要求我们材料加工完更平整、不易变形。
本发明涉及陶瓷领域,特别是涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件。背景技术:反应烧结碳化硅陶瓷是由细颗粒sic和添加剂压制成素坯,在高温下与液态硅接触,坯体中的碳与渗入的si反应,生成新的sic,并与原有颗粒sic相结合,游离硅填充了气孔,从而得到高致密性的陶瓷材料。反应烧结碳化硅在烧结过程中尺寸几乎无变化,相比于常压烧结、热压烧结碳化硅材料来说,加工成本大幅降低,广泛应用于石油、化工、航空航天、核工业及半导体等领域。但是反应烧结碳化硅材料存在力学性能较差的问题,从而限制了反应烧结碳化硅材料的应用。技术实现要素:基于此,有必要提供一种力学性能好的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法。此外,还提供一种碳化硅陶瓷和半导体零件。一种碳化硅陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理,得到预处理颗粒,其中,所述金属元素为稀土元素或锶元素;将所述预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和***碳源混合造粒,得到造粒粉;将所述造粒粉成型,得到***预制坯;将所述***预制坯与第二碳源混合加热,使所述第二碳源呈液态。
为实现传动筒4的平稳传动,可选地,如图1至图3所示,工艺盘组件还包括传动架9,传动架9的一端与传动筒4背离波浪管6的一端固定连接,传动架9的另一端用于与电机12的输出轴连接,传动架9用于带动传动筒4转动。本实用新型对传动架9的结构不做具体限定,例如,如图3所示,传动架9包括一对传动法兰91和用于连接两传动法兰91的法兰连接件92。推荐地,下方的传动法兰91通过联轴器与电机12的输出轴连接。为保证所述工艺盘组件运动的流畅性,推荐地,驱动轴3、传动筒4和工艺盘转轴1中至少一者的材料为奥氏体不锈钢。本实用新型的发明人在研究中发现,现有的半导体设备出现旋转卡顿的问题是因为运动件之间的润滑油脂液化泄露,导致润滑效果变差。进过进一步研究后,发明人发现是运动件中的部分钢铁材料结构在高速旋转的过程中因电磁感应效应产生发热现象,其发热量过大引起润滑油脂液化。因此,本实用新型中推荐地选择驱动轴3、传动筒4和工艺盘转轴1的材料为奥氏体不锈钢。奥氏体不锈钢的材料与现有技术中运动件常采用的304不锈钢相比,电阻率更低,在相同转速下电磁感应发热量更小,从而避免了润滑油脂泄露,保证了所述工艺盘组件运动的流畅性。作为一种推荐的实施方式。由于该材料的线性热膨胀系数(CLTE)较低、公差配置可更紧。
所述奥氏体不锈钢具体可以是316l不锈钢,即,驱动轴3、传动筒4和工艺盘转轴1中至少一者的材料为316l不锈钢。本实用新型将现有技术中旋转件常用的304不锈钢材料替换为316l不锈钢,使得旋转件在强度几乎不变的同时,电阻率***降低,从而保证了工艺盘组件运动的流畅性。进一步推荐地,传动筒4的外凸台结构42与轴承座10之间的轴承材料也采用奥氏体不锈钢(推荐为316l不锈钢)。作为本实用新型的第二个方面,还提供一种半导体设备,包括工艺腔和工艺盘组件,其中,工艺盘组件为上文中描述的工艺盘组件,工艺盘组件的工艺盘01设置在工艺腔中。在本实用新型提供的半导体设备中,驱动连接部310为非圆柱体,驱动衬套2的套孔相匹配地也形成为异形孔,驱动轴3通过非圆柱体的驱动连接部310与异形孔之间的配合将扭矩传递至驱动衬套2,从而能够在工艺盘组件进行变速运动时,避免驱动轴3与驱动衬套2之间发生相对滑动,保证了驱动衬套2与驱动轴3之间的对位精度,进而提高了工艺盘转轴1旋转角度的控制精度,并提高了工件的放置精度。可以理解的是,以上实施方式**是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言。***的材料选择、工程支持和测试能力。半导体与电子工程塑料零件定制加工要求
它将润滑性、负荷能力、低摩擦系数和排除噪音理想地结合为一体。HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工规格尺寸
***浆料中的金属元素的氯化物在环氧丙烷的作用下沉淀。步骤s116:将第二浆料进行喷雾,然后在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理,得到预处理颗粒。具体地,在闭式喷雾塔中将第二浆料进行喷雾。步骤s116中加热处理的时间为1h~4h。将第二浆料喷雾后再进行加热处理,使得稀土元素或锶元素的氯化物转化为氧化物且均匀分布在碳化硅表面。采用上述步骤能够使稀土元素或锶元素均匀沉降在碳化硅颗粒的表面,在后续处理过程中,稀土元素或锶元素会存在于晶界处,具有促进烧结、降低气孔率的作用,从而提高碳化硅陶瓷的抗弯强度等力学性能。而传统的碳化硅陶瓷的制备过程中,通常将金属元素的氧化物作为助烧剂直接与碳化硅微粉、分散剂、粘结剂等混合,存在金属元素分散不均的问题,在后续处理中,容易出现不均匀聚集区,从而导致反应烧结碳化硅陶瓷的力学性能不理想。步骤s120:将预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和***碳源混合造粒,得到造粒粉。其中,粘接剂包括酚醛树脂、环氧树脂、聚乙烯醇、羧甲基纤维素钠、丙烯酸及聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种。***碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、沥青、酚醛树脂及环氧树脂中的至少一种。HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工规格尺寸