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插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。插入式封装表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程称为电容器的充电。上海特色SMT线路板加工公司

 SMT贴片加工是目前电子行业中极重要的一种组装技术。SMT是电子电路表面组装技术(SuRFace Mount Technology，简称SMT)，称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件(简称SMC/SMD，中文称片状元器件)安装在印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。SMT贴片加工的特点有哪些：1、焊点缺陷率低。2、可靠性高，抗振能力强。3、高频特性好，减少了电磁和射频干扰。4、重量轻，贴片元件的重量也只有传统插装元件的10%，重量可减轻60%~80%。5、电子产品体积小，贴片元件的体积只有传统插装元件的1/10左右，电子产品体积可缩小40%~60%。6、功效且成本低。SMT贴片加工易于实现自动化，提高生产效率，节省材料、能源、设备、人力、时间等，降低了成本价格。品牌SMT线路板加工是什么两片相距很近的金属中间被某物质（固体、气体或液体）所隔开，就构成了电容器。

晶体管外形封装(TO)属于早期的封装规格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封装设计。TO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点。TO-220/220F：TO-220F是全塑封装，装到散热器上时不必加绝缘垫;TO-220带金属片与中间脚相连，装散热器时要加绝缘垫。这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用。TO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。TO-92：该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，目的是降低成本。

方形扁平式封装(QFP)QFP(PlasticQuadFlatPackage)封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般在大规模或超大型集成电路中采用，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点：①适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线;②适合高频使用;③操作方便,可靠性高;④芯片面积与封装面积之间的比值较小。与PGA封装方式一样，该封装方式将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导出，制约了MOSFET性能的提升;而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求;另外，此类封装方式是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。因此，QFP更适于微处理器/门陈列等数字逻辑LSI电路采用，也适于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路产品封装。按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。

SMT线路板回流焊缺陷分析：锡珠(SolderBalls)：原因：1、丝印孔与焊盘不对位，印刷不精确，使锡膏弄脏PCB。2、锡膏在氧化环境中暴露过多、吸空气中水份太多。3、加热不精确，太慢并不均匀。4、加热速率太快并预热区间太长。5、锡膏干得太快。6、助焊剂活性不够。7、太多颗粒小的锡粉。8、回流过程中助焊剂挥发性不适当。锡球的工艺认可标准是：当焊盘或印制导线的之间距离为0.13mm时，锡珠直径不能超过0.13mm，或者在600mm平方范围内不能出现超过五个锡珠。锡桥(Bridging)：一般来说，造成锡桥的因素就是由于锡膏太稀，包括锡膏内金属或固体含量低、摇溶性低、锡膏容易榨开，锡膏颗粒太大、助焊剂表面张力太小。焊盘上太多锡膏，回流温度峰值太高等。电容器阻直流通交流的性质。智能SMT线路板加工制作工艺

AOI光学检测作用是对焊接好的PCB进行焊接质量的检测。上海特色SMT线路板加工公司

HIT电池HIT电池是异质结(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer,HIT)太阳能电池的简称。电池制作过程大致为：利用PECVD在表面织构化后的n型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H，然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层；利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜（TCO），用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。HIT电池具有高效的原理是：1、全部制作工艺都是在低温下完成，有效地保护载流子寿命；2、双面制结，可以充分利用背面光线；3、表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性；4、采用的n型硅片其载流子寿命很大，远大于p型硅，并且由于硅片较薄，有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集；5、织构化的硅片对太阳光的反射降低；6、利用PECVD在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化，这是该电池取得高效的重要原因。上海特色SMT线路板加工公司

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