上海特色PCB线路板组装

铜多层PCB的制造过程按以下方式进行：l选择用于内层芯，预浸料片和铜（Cu）箔的材料。l预浸料片由玻璃布和环氧树脂制成。l芯板层压板进一步用特定重量和厚度的铜（Cu）箔覆盖。l然后用光敏干膜覆盖这些叠层，使紫外线与抗蚀剂接触。通过利用紫外线，内部电路的电子数据被传输到抗蚀剂。这是一个中心层压板的制备过程，但是多层PCB是通过多层层压制造的。让我们讨论多层层压工艺，以便透彻了解多层PCB制造工艺。PCB的多层层压是一个顺序过程。PCB的设计和制造质量直接影响到整个产品的质量和成本，甚至导致商业竞争的成败。上海特色PCB线路板组装

需要控制在导通的瞬间控制电流，一般会在保护二极管再串联一个高电阻，另外，大家是不 是可以举一反三理解为什么ESD的区域是不能form Silicide的？还有给大家一个理论，ESD通常都是在芯片输入端的Pad旁边，不能在芯片里面，因为我们总是希望外界的静电需要迅速泄放掉吧， 放在里面会有延迟的)。甚至有放两级ESD的，达到双重保护的目的。在讲ESD的原理和Process之前，我们先讲下ESD的标准以及测试方法，根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式：人体放电模式(HBM: Human-Body Model)、机器放电模式(Machine Model)、元件充电模式(CDM: Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM: Field-Induced Model)，但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。进口PCB线路板组装价格查询因为导线只出现在其中一面，所以这种PCB叫作单面板（Single-sided）。

设计上的ESD：这就完全靠设计者的功夫了，有些公司在设计规则就已经提供给客户solution了，客户只要照着画就行了，有些没有的则只能靠客户自己的designer了，很多设计规则都是写着这个只是guideline/reference，不是guarantee的。一般都是把Gate/Source/Bulk短接在一起，把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)，PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain PMOS)。以NMOS为例，原理都是Gate关闭状态，Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的，当I/O端有大电压时，则Drain/Bulk PN结雪崩击穿，瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏，所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏)，所以呈现Snap-Back特性，起到保护作用。PMOS同理推导。

目前高速PCB的设计在通信、计算机、图形图像处理等领域应用普遍。而在这些领域工程师们用的高速PCB设计策略也不一样。在电信领域，设计非常复杂，在数据、语音和图像的传输应用中传输速度已经远远高于500Mbps，在通信领域人们追求的是更快地推出更高性能的产品，而成本并不是基础的。他们会使用更多的板层、足够的电源层和地层、在任何可能出现高速问题的信号线上都会使用分立元器件来实现匹配。他们有SI（信号完整性）和EMC（电磁兼容）**来进行布线前的仿真和分析，每一个设计工程师都遵循企业内部严格的设计规定。所以通信领域的设计工程师通常采用这种过度设计的高速PCB设计策略。刚性PCB的材料常见的包括﹕酚醛纸质层压板﹐环氧纸质层压板﹐聚酯玻璃毡层压板﹐环氧玻璃布层压板 。

MSP430单片机MSP430系列单片机是德州仪器1996年开始推向市场的一种16位较低功耗的混合信号处理器，给人们留下的比较大的亮点是低功耗而且速度快,汇编语言用起来很灵活,寻址方式很多,指令很少,容易上手。主要是由于其针对实际应用需求，把许多模拟电路、数字电路和微处理器集成在一个芯片上，以提供“单片”解决方案。其迅速发展和应用范围的不断扩大，主要取决于以下的特点。特性：1.强大的处理能力，采用了精简指令集(RISC)结构，具有丰富的寻址方式(7种源操作数寻址、4种目的操作数寻址)、简洁的27条内核指令以及大量的模拟指令;大量的寄存器以及片内数据存储器都可参加多种运算;还有高效的查表处理指令;有较高的处理速度，在8MHz晶体驱动下指令周期为125ns。这些特点保证了可编制出高效率的源程序。PCB分为刚性电路板和柔性电路板、软硬结合板。国产进口PCB线路板组装工序

导孔是在PCB上，充满或涂上金属的小洞，它可以与两面的导线相连接。上海特色PCB线路板组装

利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域，使得漏极方块电阻增大，而使得ESD电流分布更均匀，从而提高泄放能力；2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp，类似上面的接触孔P+ ESD imp)，在N+Drain下面打一个P+，降低Drain的雪崩击穿电压，更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner Pickup on ESD of multi-finger NMOS.pdf)。对于Snap-back的ESD有两个小小的常识要跟大家分享一下：1)NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通，但是PMOS就难咯。上海特色PCB线路板组装

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