SMT贴片加工的优点:1、电子产品体积小。贴片元件的体积只有传统插装元件的1/10左右,一般SMT贴片加工之后,电子产品体积缩小40%~60%。2、功效且成本低。SMT贴片加工易于实现自动化,提高生产效率,节省材料、能源、设备、人力、时间等,降低成本达30%~50%。3、重量轻。贴片元件的重量也只有传统插装元件的10%,一般采用SMT之后,重量减轻60%~80%。4、可靠性高,抗振能力强。5、高频特性好,减少了电磁和射频干扰。6、焊点缺陷率**作SMT设备程序时,程序中包括五大部分,此五部分为PCB data; Mark data;Feeder data; Nozzle data; Part data。上海品牌SMT线路板加工是什么
SMT制造设备对PCB的设计要求主要包括:PCB图案,尺寸,定位孔,夹紧边缘,MARK,面板走线等。•PCB图案在自动SMT生产线中,PCB生产从装载机开始,并在印刷,芯片安装,焊接后完成生产。结尾,它将由卸货机作为成品板生成。在此过程中,PCB在设备的路径上传输,这要求PCB图案应与设备之间的路径传输一致。到目前为止,大多数设备的尺寸在50mmx50mm至330mmx250mm(或410mmx360mm)范围内。如果PCB的厚度太薄,则其设计尺寸不应太大。否则,回流温度会引起PCB变形。理想的长宽比是3:2或4:3。如果PCB尺寸小于设备的极小尺寸要求,则应进行拼板。面板的数量取决于PCB的尺寸和厚度。上海国产SMT线路板加工厂家供应从产业自身的发展周期来看,虽然中国的SMT产业尚处于发展初期,但是已经呈现出了蓬勃生机。
HIT电池HIT电池是异质结(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer,HIT)太阳能电池的简称。电池制作过程大致为:利用PECVD在表面织构化后的n型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H,然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层;利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO),用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行,这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。HIT电池具有高效的原理是:1、全部制作工艺都是在低温下完成,有效地保护载流子寿命;2、双面制结,可以充分利用背面光线;3、表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性;4、采用的n型硅片其载流子寿命很大,远大于p型硅,并且由于硅片较薄,有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集;5、织构化的硅片对太阳光的反射降低;6、利用PECVD在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化,这是该电池取得高效的重要原因。
OECO结构示意图如所示,电池的表面由许多排列整齐的方形沟槽组成,浅发射极n+位于硅片的上表面,在其上有一极薄的氧化隧道层,Al电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面,然后利用PECVD蒸镀氮化硅作为钝化层和减反射膜OECO电池有以下特点:(1)电极是蒸镀在沟槽的侧面,有利于提高短路电流;(2)优异的MIS结构设计,可以获得很高的开路电压和填充因子;(3)高质量的蒸镀电极接触;(4)不受接触特性限制的可以被比较好化的浅发射极;(5)高质量的低温表面钝化。随着现代工业的发展,全球能源危机和大气污染问题日益突出,太阳能作为理想的可再生能源受到了更多的重视,全球的研究团队正在寻找提高电池效率和/或降低成本的途径。目前太阳能电池的种类不断增多,但晶体硅太阳能电池因为优异的特性和较高的转换效率,在未来一段时期内仍将占据主导地位。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。
传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求,也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。随着技术的革新与进步,把驱动器和MOSFET整合在一起,构建多芯片模块已经成为了现实,这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度,通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和质量DC电流,这就是整合驱动IC的DrMOS。经过QFN-56无脚封装,让DrMOS热阻抗很低;借助内部引线键合以及铜夹带设计,可很大程度减少外部PCB布线,从而降低电感和电阻。另外,采用的深沟道硅(trenchsilicon)MOSFET工艺,还能出色降低传导、开关和栅极电荷损耗;并能兼容多种控制器,可实现不同的工作模式,支持主动相变换模式APS(AutoPhaseSwitching)。除了QFN封装外,双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺,在安森美的各种元器件中得到了普遍采用,与QFN相比,DFN少了两边的引出电极。尽管电容器品种繁多,但它们的基本结构和原理是相同的。上海高频SMT线路板加工
高频耦合:陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。上海品牌SMT线路板加工是什么
IBC电池是背电极接触(InterdigitatedBack-contact)硅太阳能电池的简称。其特点是正面无栅状电极,正负极交叉排列在背后。这种把正面金属栅极去掉的电池结构有很多优点:1、减少正面遮光损失,相当于增加了有效半导体面积;2、组件装配成本降低;3、外观好。由于光生载流子需要穿透整个电池,被电池背表面的PN节所收集,故IBC电池需要载流子寿命较高的硅晶片,一般采用N型FZ单晶硅作为衬底;正面采用二氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与N+层结合作为前表面电场,并制成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成P+和N+交错间隔的交叉式接面,并通过氧化硅上开金属接触孔,实现电极与发射区或基区的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分,十分有利于电流的引出。这种背电极的设计实现了电池正面“零遮挡”,增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂,工艺中的难点包括P+扩散、金属电极下重扩散以及激光烧结等。上海品牌SMT线路板加工是什么
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