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放置固定结构件(1)各固定器件坐标、方向、1脚位置、顶底层放置与结构图固定件完全一致,并将器件按照结构图形对应放置。(2)当有如下列情形时,需将问题描述清楚并记录到《项目设计沟通记录》中,同时邮件通知客户修改确认。结构图形与部分管脚不能完全重合;结构图形1脚标识与封装1脚焊盘指示不符;结构图形指示孔径与封装孔径不符;文字描述、标注尺寸等和结构图实际不一致;其他有疑问的地方。(3)安装孔坐标、孔径、顶底层与结构图完全一致。(4)安装孔、定位孔为NPTH且保留焊环时,焊环离孔距离8Mil以上,焊盘单边比孔大33mil(5)固定结构件放置完毕后,对器件赋予不可移动属性。(6)在孔符层进行尺寸标注,标注单位为公制(mm),精度小数点后2位,尺寸公差根据客户结构图要求。(7)工艺边或者拼版如使用V-CUT,需进行标注。(8)如设计过程中更改结构,按照结构重新绘制板框、绘制结构特殊区域和放置固定构件。客户无具体的结构要求时,应根据情况记录到《项目设计沟通记录》中。(9)子卡、母卡对插/扣设计PCB设计中IPC网表自检的方法。宜昌正规PCB设计怎么样

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导入网表(1)原理图和PCB文件各自之一的设计,在原理图中生成网表,并导入到新建PCBLayout文件中,确认网表导入过程中无错误提示,确保原理图和PCB的一致性。(2)原理图和PCB文件为工程文件的,把创建的PCB文件的放到工程中,执行更新网表操作。(3)将导入网表后的PCBLayout文件中所有器件无遗漏的全部平铺放置,所有器件在PCBLAYOUT文件中可视范围之内。(4)为确保原理图和PCB的一致性,需与客户确认软件版本,设计时使用和客户相同软件版本。(5)不允许使用替代封装,资料不齐全时暂停设计;如必须替代封装,则替代封装在丝印字符层写上“替代”、字体大小和封装体一样。咸宁设计PCB设计包括哪些屏蔽腔的设计具体步骤流程。

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存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。

等长线处理等长线处理的步骤:检查规则设置→确定组内长线段→等长线处理→锁定等长线。(1)检查组内等长规则设置并确定组内基准线并锁定。(2)单端蛇形线同网络走线间距S≥3W,差分对蛇形线同网络走线间距≥20Mil。(3)差分线对内等长优先在不匹配端做补偿,其次在中间小凸起处理,且凸起高度<1倍差分对内间距,长度>3倍差分线宽,(4)差分线对内≤3.125G等长误差≤5mil,>3.125G等长误差≤2mil。(5)DDR同组等长:DATA≤800M按±25mil,DATA>800M按±5mil;ADDR按±100mil;DDR2的DQS和CLK按±500mil;QDR按±25mil;客户有要求或者芯片有特殊要求时按特殊要求。(6)优先在BGA区域之外做等长线处理。(7)有源端匹配的走线必须在靠近接收端一侧B段做等长处理,(8)有末端匹配的走线在A段做等长线处理,禁止在分支B段做等长处理(9) T型拓扑走线,优先在主干走线A段做等长处理,同网络分支走线B或C段长度<主干线A段长度,且分支走线长度B、C段误差≤10Mil,(10) Fly-By型拓扑走线,优先在主干走线A段做等长处理,分支线B、C、D、E段长度<500MilPCB设计中存储器有哪些分类?

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ADC/DAC电路:(4)隔离处理:隔离腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳,在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏蔽,过孔应相互错开,同排过孔间距为150Mil。,在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔,保证其固定屏蔽壳,隔离腔体内的器件与屏蔽壳的间距>0.5mm。如图6-1-2-4所示。腔体的周边为密封的,接口的线要引入腔体里采用带状线的结构;而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构,这样内部的屏蔽腔采用开槽处理,开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。(5)布线原则1、首先参考射频信号的处理原则。2、严格按照原理图的顺序进行ADC和DAC前端电路布线。3、空间允许的情况下,模拟信号采用包地处理,包地要间隔≥200Mil打地过孔4、ADC和DAC电源管脚比较好经过电容再到电源管脚,线宽≥20Mil,对于管脚比较细的器件,出线宽度与管脚宽度一致。5、模拟信号优先采用器件面直接走线,线宽≥10Mil,对50欧姆单端线、100欧姆差分信号要采用隔层参考,在保证阻抗的同时,以降低模拟输入信号的衰减损耗,6、不同ADC/DAC器件的采样时钟彼此之间需要做等长处理。7、当信号线必须要跨分割时,跨接点选择在跨接磁珠(或者0欧姆电阻)处。PCB设计中如何评估平面层数?荆门常规PCB设计加工

PCB设计布局的整体思路是什么?宜昌正规PCB设计怎么样

DDR2模块相对于DDR内存技术(有时称为DDRI),DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力;DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准,而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准;DDR采用的是TSOP封装,而DDRII采用的是FBGA封装,相对于DDR,DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽,而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDRII可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。宜昌正规PCB设计怎么样

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易发生这样有利于排除铜箔与基板间粘合剂受热产生的挥发性气体。一、每一块PCB上都必须用箭头标出过锡炉的方向:二、布局时,DIP封装的IC摆放的方向必须与过锡炉的方向成垂直,不可平行,如下图;如果布局上有困难,可允许水平放置IC(SOP封装的IC摆放方向与DIP相反)。三、布线方向为水平或垂直,由垂直转入水平要走45度进入。四、若铜箔入圆焊盘的宽度较圆焊盘的直径小时,则需加泪滴。如下图五、布线尽可能短,特别注意时钟线、低电平信号线及所有高频回路布线要更短。六、模拟电路及数字电路的地线及供电系统要完全分开。七、如果印制板上有大面积地线和电源线区(面积超过500平方毫米),应局部开窗口。如下图:...

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