存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。叠层方案子流程以及规则设置。黄冈正规PCB设计功能
电源、地处理,(1)不同电源、地网络铜皮分割带优先≥20Mil,在BGA投影区域内分隔带小为10Mil。(2)开关电源按器件资料单点接地,电感下不允许走线;(3)电源、地网络铜皮的最小宽度处满足电源、地电流大小的通流能力,参考4.8铜皮宽度通流表。(4)电源、地平面的换层处过孔数量必须满足电流载流能力,参考4.8过孔孔径通流表。(5)3个以上相邻过孔反焊盘边缘间距≥4Mil,禁止出现过孔割断铜皮的情况,(6)模拟电源、模拟地只在模拟区域划分,数字电源、数字地只在数字区域划分,投影区域在所有层面禁止重叠,如下如图所示。建议在模拟区域的所有平面层铺模拟地处理(7)跨区信号线从模拟地和数字地的桥接处穿过(8)电源层相对地层內缩必须≥20Mil,优先40Mil(9)单板孤立铜皮要逐一确认、不需要的要逐一删除(10)室温情况下,压差在10V以上的网络,同层必须满足安规≥20Mil要求,压差每增加1V,间距增加1Mil。(11)在叠层不对称时,信号层铺电源、地网络铜皮,且铜皮、铜线面积占整板总面积50%以上,以防止成品PCB翘曲。随州高效PCB设计布线整板布线的工艺技巧和规则。
关键信号布线(1)射频信号:优先在器件面走线并进行包地、打孔处理,线宽8Mil以上且满足阻抗要求,如下图所示。不相关的线不允许穿射频区域。SMA头部分与其它部分做隔离单点接地。(2)中频、低频信号:优先与器件走在同一面并进行包地处理,线宽≥8Mil,如下图所示。数字信号不要进入中频、低频信号布线区域。(3)时钟信号:时钟走线长度>500Mil时必须内层布线,且距离板边>200Mil,时钟频率≥100M时在换层处增加回流地过孔。(4)高速信号:5G以上的高速串行信号需同时在过孔处增加回流地过孔。
DDR模块,DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM,中文名为“双倍数据率SDRAM”,是在SDRAM的基础上改进而来,人们习惯称为DDR,DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率,它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。(1)DDRSDRAM管脚功能说明:图6-1-5-1为512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟,DDR的所有命令信号,地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号,与SDRAM不同的是,在进行读写操作时CKE要保持为高电平,当CKE由高电平变为低电平时,器件进入断电模式(所有BANK都没有时)或自刷新模式(部分BANK时),当CKE由低电平变为高电平时,器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号,低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。如何创建PCB文件、设置库路径?
规则设置子流程:层叠设置→物理规则设置→间距规则设置→差分线规则设置→特殊区域规则设置→时序规则设置◆层叠设置:根据《PCB加工工艺要求说明书》上的层叠信息,在PCB上进行对应的规则设置。◆物理规则设置(1)所有阻抗线线宽满足《PCB加工工艺要求说明书》中的阻抗信息,非阻抗线外层6Mil,内层5Mil。(2)电源/地线:线宽>=15Mil。(3)整板过孔种类≤2,且过孔孔环≥4Mil,Via直径与《PCBLayout工艺参数》一致,板厚孔径比满足制造工厂或客户要求,过孔设置按《PCBLayout工艺参数》要求。◆间距规则设置:根据《PCBLayout工艺参数》中的间距要求设置间距规则,阻抗线距与《PCB加工工艺要求说明书》要求一致。此外,应保证以下参数与《PCBLayout工艺参数》一致,以免短路:(1)内外层导体到安装孔或定位孔边缘距离;(2)内外层导体到邮票孔边缘距离;(3)内外层导体到V-CUT边缘距离;(4)外层导体到导轨边缘距离;(5)内外层导体到板边缘距离;◆差分线规则设置(1)满足《PCB加工工艺要求说明书》中差分线的线宽/距要求。(2)差分线信号与任意信号的距离≥20Mil。PCB典型的电路设计指导。黄冈设计PCB设计
射频、中频电路的基本概念是什么?黄冈正规PCB设计功能
射频、中频电路(2)屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离,特别是敏感电路和强烈辐射源之间,在大功率多级放大器中,也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏,过孔应相互错开,同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔,保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的,一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构;而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构,这样内部的屏蔽腔采用开槽处理,开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。6、屏蔽罩设计实例黄冈正规PCB设计功能
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易发生这样有利于排除铜箔与基板间粘合剂受热产生的挥发性气体。一、每一块PCB上都必须用箭头标出过锡炉的方向:二、布局时,DIP封装的IC摆放的方向必须与过锡炉的方向成垂直,不可平行,如下图;如果布局上有困难,可允许水平放置IC(SOP封装的IC摆放方向与DIP相反)。三、布线方向为水平或垂直,由垂直转入水平要走45度进入。四、若铜箔入圆焊盘的宽度较圆焊盘的直径小时,则需加泪滴。如下图五、布线尽可能短,特别注意时钟线、低电平信号线及所有高频回路布线要更短。六、模拟电路及数字电路的地线及供电系统要完全分开。七、如果印制板上有大面积地线和电源线区(面积超过500平方毫米),应局部开窗口。如下图:...