设计规划设计规划子流程:梳理功能要求→确认设计要求→梳理设计要求。梳理功能要求(1)逐页浏览原理图,熟悉项目类型。项目类型可分为:数字板、模拟板、数模混合板、射频板、射频数模混合板、功率电源板、背板等,依据项目类型逐页查看原理图梳理五大功能模块:输入模块、输出模块、电源模块、信号处理模块、时钟及复位模块。(2)器件认定:在单板设计中,承担信号处理功能器件,或因体积较大,直接影响布局布线的器件。如:FPGA,DSP,A/D芯片,D/A芯片,恒温晶振,时钟芯片,大体积电源芯片。确认设计要求(1)客户按照《PCBLayout业务资料及要求》表格模板,规范填写,信息无遗漏;可以协助客户梳理《PCBLayout业务资料及要求》表格,经客户确认后,则直接采纳。(2)整理出正确、完整的信号功能框图。(3)按照《PCB Layout业务资料及要求》表格确认整版电源,及各路分支的电源功耗情况,根据电源流向和电流大小,列出电流树状图,经客户确认后,予以采纳。PCB设计常用规则之Gerber参数设置。鄂州定制PCB设计
关键信号布线(1)射频信号:优先在器件面走线并进行包地、打孔处理,线宽8Mil以上且满足阻抗要求,如下图所示。不相关的线不允许穿射频区域。SMA头部分与其它部分做隔离单点接地。(2)中频、低频信号:优先与器件走在同一面并进行包地处理,线宽≥8Mil,如下图所示。数字信号不要进入中频、低频信号布线区域。(3)时钟信号:时钟走线长度>500Mil时必须内层布线,且距离板边>200Mil,时钟频率≥100M时在换层处增加回流地过孔。(4)高速信号:5G以上的高速串行信号需同时在过孔处增加回流地过孔。恩施常规PCB设计怎么样PCB设置中PCI-E板卡设计要求是什么?
SDRAM各管脚功能说明:1、CLK是由系统时钟驱动的,SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样,CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器;2、CKE为时钟使能信号,高电平时时钟有效,低电平时时钟无效,CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用,以降低功耗,CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号,低电平有效,当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽,同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效,这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML,DQMU为数据掩码信号。写数据时,当DQM为高电平时对应的写入数据无效,DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号,在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号,用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号,读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。
SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步:是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输,不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)输出,数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存,CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作,即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步:由外部时钟给系统提供参考时钟,数据从发送到接收需要两个时钟,一个锁存发送数据,一个锁存接收数据,在一个时钟周期内完成,对于SDRAM及其控制芯片,参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生,此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求,即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。PCB设计的整体模块布局。
存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。如何梳理PCB设计布局模块框图?鄂州高效PCB设计批发
LDO外围电路布局要求是什么?鄂州定制PCB设计
结构绘制结构绘制子流程如下:绘制单板板框→绘制结构特殊区域及拼板→放置固定结构件。1.1.1绘制单板板框(1)将结构图直接导入PCB文件且测量尺寸,确认结构图形中结构尺寸单位为mm,显示比例为1:1等大。(2)设计文件中,单位为mm,则精度为小数点后4位;单位为Mil,则精度为小数点后2位,两种单位之间转换至多一次,特殊要求记录到《项目设计沟通记录》中。(3)导入结构图形并命名。(4)导入的结构图形层命名方式为DXF_日期+版本,举例:DXF_1031A1,线宽为0Mil。(5)结构图形导入后应在EDA设计软件视界正中,若偏移在一角,应整体移动结构图形,使之位于正中。(6)根据结构图形,绘制外形板框,板框与结构文件完全一致且重合,并体现在EDA设计软件显示层。(7)确定坐标原点,坐标原点默认为单板左边与下边延长线的交点,坐标原点有特殊要求的记录到《项目设计沟通记录》中。(8)对板边的直角进行倒角处理,倒角形状、大小依据结构图绘制,如无特殊要求,默认倒圆角半径为1.5mm,工艺边外沿默认倒圆角,半径为1.5mm并记录到《项目设计沟通记录》邮件通知客户确认。(9)板框绘制完毕,赋予其不可移动,不可编辑属性。鄂州定制PCB设计
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