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IBC电池是背电极接触(InterdigitatedBack-contact)硅太阳能电池的简称。其特点是正面无栅状电极，正负极交叉排列在背后。这种把正面金属栅极去掉的电池结构有很多优点：1、减少正面遮光损失，相当于增加了有效半导体面积；2、组件装配成本降低；3、外观好。由于光生载流子需要穿透整个电池，被电池背表面的PN节所收集，故IBC电池需要载流子寿命较高的硅晶片，一般采用N型FZ单晶硅作为衬底；正面采用二氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与N+层结合作为前表面电场，并制成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成P+和N+交错间隔的交叉式接面，并通过氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。这种背电极的设计实现了电池正面“零遮挡”，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括P+扩散、金属电极下重扩散以及激光烧结等。电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程称为电容器的充电。大批量SMT线路板加工服务商

其封装规范如下：TO-252/D-PAK封装尺寸规格TO-263是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。除了D2PAK(TO-263AB)之外，还包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等样式，与TO-263为从属关系，主要是引出脚数量和距离不同。插针网格阵列封装PGA芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的优势，能适应更高的频率。PGA封装样式其芯片基板多数为陶瓷材质，也有部分采用特制的塑料树脂来做基板，在工艺上，引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447不等。这种封装的特点是，封装面积(体积)越小，能够承受的功耗(性能)就越低，反之则越高。这种封装形式芯片在早期比较多见，且多用于CPU等大功耗产品的封装，如英特尔的80486、Pentium均采用此封装样式;不大为MOS管厂家所采纳。上海百翊SMT线路板加工质量回流焊是通过提供加热环境，使焊锡膏受热融化让表面贴装元器件和PCB焊盘通过焊锡膏合金结合在一起的设备。

近年来，由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品，使得表面贴装市场需求量不断增大，也使得TO封装发展到表面贴装式封装。TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面贴装封装。TO封装产品外观TO252/D-PAK是一种塑封贴片封装，常用于功率晶体管、稳压芯片的封装，是目前主流封装之一。采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热;所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极(D)焊盘较大。

小外形封装(SOP)SOP(SmallOut-LinePackage)是表面贴装型封装之一，也称之为SOL或DFP，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，简写为SO(SmallOut-Line)。SOP-8封装尺寸SO-8为PHILIP公司率先开发，采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。后逐渐派生出TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等标准规格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。在维修具有大电容的设备之前，需确认电容已经放电完毕。

SMT电子加工线路板生产现场的工艺布局应该是高效而有序的，物流路线要合理，应该与工艺流程保持一致。物流路线要尽可能短，以提高生产和管理的效率。对生产中所涉及到的各类物品，应该分门别类，实行定置管理，各工作区，各种物品的存放区，要有明显的标识。与生产现场无关的各类物品，应该坚决扫除出现场等。在设计上先进的生产现场应能体现出"生产均衡有序，工艺布局科学，劳动组织合理，岗位责任明确，消除无效劳动"的管理特色。转变观念，充分认识生产工艺对SMT设备研制的重要性。大批量SMT线路板加工服务商

分板作用对多连板PCBA进行切分，使之分开成单独个体，一般采用V-cut与 机器切割方式。大批量SMT线路板加工服务商

4、增加背场如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就产生了一个由P区指向P+的内建电场。由于内建电场所分离出的光生载流子的积累，形成一个以P+端为正，P端为负的光生电压，这个光生电压与电池结构本身的PN结两端的光生电压极性相同，从而提高了开路电压Voc。同时由于背电场的存在，使光生载流子受到加速，这也可以看作是增加了载流子的有效扩散长度，因而增加了这部分少子的收集几率，短路电流Jsc也就得到提高。5、改善衬底材料选用出色的硅材料，如N型硅具有载流子寿命长、制结后硼氧反应小、电导率好、饱和电流低等。大批量SMT线路板加工服务商

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