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通过规范PCBLayout服务操作要求，提升PCBLayout服务质量和保证交期的目的。适用范围适用于我司PCBLayout业务。文件维护部门设计部。定义与缩略语（1）PCBLayout：利用EDA软件将逻辑原理图设计为印制电路板图的全过程。（2）PCB:印刷电路板。（3）理图：一般由原理图设计工具绘制，表达硬件电路中各种器件之间的连接关系的图。（4）网表：一般由原理图设计工具自动生成的，表达元器件电气连接关系的文本文件，一般包含元器件封装，网络列表和属性定义等部分。（5）布局：PCB设计过程中，按照设计要求、结构图和原理图，把元器件放置到板上的过程。（6）布线：PCB设计过程中，按照设计要求对信号进行走线和铜皮处理的过程。元器件的排列要便于调试和维修，亦即小元件周围不能放置大元件、需调试的元、器件周围要有足够的空间。了解PCB培训包括哪些

在设计中，从PCB板的装配角度来看，要考虑以下参数:1)孔的直径要根据材料条件(MMC)和材料条件(LMC)的情况来决定。一个无支撑元器件的孔的直径应当这样选取，即从孔的MMC中减去引脚的MMC，所得的差值在0.15-0.5mm之间。而且对于带状引脚，引脚的标称对角线和无支撑孔的内径差将不超过0.5mm，并且不少于0.15mm。2)合理放置较小元器件，以使其不会被较大的元器件遮盖。3)阻焊的厚度应不大于0.05mm。4)丝网印制标识不能和任何焊盘相交。5)电路板的上半部应该与下半部一样，以达到结构对称。因为不对称的电路板可能会变弯曲。武汉什么是PCB培训相同结构电路部分，尽可能采用“对称式”标准布局；

射频、中频电路（2）屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离，特别是敏感电路和强烈辐射源之间，在大功率多级放大器中，也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的，一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。

7、晶振离芯片尽量近，且晶振下尽量不走线，铺地网络铜皮。多处使用的时钟使用树形时钟树方式布线。8、连接器上信号的排布对布线的难易程度影响较大，因此要边布线边调整原理图上的信号(但千万不能重新对元器件编号)。9、多板接插件的设计：(1)使用排线连接：上下接口一致；(2)直插座：上下接口镜像对称，如下图：10、模块连接信号的设计：(1)若2个模块放置在PCB同一面，则管教序号大接小小接大(镜像连接信号)；(2)若2个模块放在PCB不同面，则管教序号小接小大接大。对A/D类器件，数字部分与模拟部分地线宁可统一也不要交*。

电压河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中，电压常用U表示。电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）或者微伏（uV）做单位。1V=1000mV，1mV=1000uV。电压可以用电压表测量。测量的时候，把电压表并联在电路上，要选择电压表指针接近满偏转的量程。如果电路上的电压大小估计不出来，要先用大的量程，粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。电阻电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧（Ω），也常用千欧（kΩ）或者兆欧（MΩ）做单位。1kΩ=1000Ω，1MΩ=1000000Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。组织各种形式的团队项目和竞赛，让学员在合作中相互学习和提高。了解PCB培训厂家

在保证电气性能的前提下，元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列，以求整齐、美观。了解PCB培训包括哪些

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。了解PCB培训包括哪些