浙江可控硅调压器厂家

调压器的使用方法;

调压模块的结构

一体化三相调压模块结构如图1所示，1、3、5为模块进线端，2、4、6为模块出线端，分别连接电源和负载。左侧6个接线端为控制功能端，分别为4～20 mA信号输入端、0～10 V信号输入端、0～5 V信号输入端、0～10 mA信号输入端及手动控制输入端。当某控制端(如4～20 mA功能端)输入信号由小(4 mA)连续的变化到比较大(20 mA)时，模块的输出线电压由0 V连续的变化到电网电压380 V。

三相交流一体化移相调压模块是一使用简单、可靠性高的新型智能模块，它可直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载工作。采用它实现功率调节的温度控制系统，可有效地实现浸漆后电机绕组的烘干处理。系统外部接线简单、运行稳定，维护和维修方便。调压模块应用时，应注意模块内可控硅在较小导通角下长时间输出较大电流(即主电路输入电压很高，输出电压很低)，这可能导致模块严重发热。故应考虑负载与模块匹配，使模块在较大的导通角下工作。 奥凯电气在客户和行业中树立了良好的企业形象。浙江可控硅调压器厂家

晶闸管智能调压器的主要参数：

晶闸管智能调压器的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管智能调压器应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的工作电压和工作电流1.5~2倍。晶闸管智能调压器的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管智能调压器的正常工作。以上就是淄博奥凯电气小编给大家讲解的晶闸管智能调压器的主要参数，希望对你有所帮助！ 浙江可控硅调压器厂家奥凯电气产品**国内。

保护可控硅调压器的过电流的保护

1）、由于半导体具有体积小、热容量低的特点，所以像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须要收到严格的控制，不然则会造成设备器件的彻底损坏。如果晶闸管中的电流大于指定电流值时，其中的热量来不及挥发，使得气温升高，从而破坏器件。

2)晶闸管过电流保护方法常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢，在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏；所以不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内，熔断时间极短，可以用来保护晶闸管。

以上就是奥凯小编给大家讲解的保护可控硅调压器的方法，希望对你有所帮助！

判断可控硅调压器方法有这些解决方法

我们都知道：可控硅调压器是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点，从而在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了普遍的应用。奥凯小编给大家带来的是判断可控硅调压器方法有这些解决方法：

一、怎么判断判定可控硅调压器调压器的电极

小功率可控硅调压器调压器的电极从外形上可以差别，一般阳极为外壳，阴极线比控制极引线长。如果其它型式的封装，不知电极引线时可以用万用表的电阻档进行判别。方法是将负表笔试接某一电极，正表笔依次碰触另外两个电极，假如有一次阻值很小(约几百欧姆)，另一次阻值很大(约几千欧姆)，说明负表笔接的正是控制极(G)。在阻值小的那次测量中，接正表笔的一端是阴极(C或K)，阻值大的那次，接正表笔的是阳极(A)；若两次测出的阻值均很大，说明负表笔接的不是控制极，应更换另外一个电极，重复上述判别． 奥凯电气拥有先进的产品生产设备，雄厚的技术力量。

硅调压器（也叫晶闸管）分为单向可控硅调压器和双向可控硅调压器两种类型。这两种类型都有着三个引脚，但三个引脚的种类两种类型的可控硅却不一样。单向可控硅调压器的三个引脚分别为：G（控制极）、A（阳极）、K（阴极）；而双向可控硅调压器的三个引脚则是：G（控制极）、T1（输入端）、T2（输出端）。其实，双向可控硅调压器就是由两个单向可控硅调压器反向并联所组成的。下面针对这系列的疑问奥凯小编就和大家说一下单向可控硅调压器与双向可控硅调压器的区分方法：

1、区分单向、双向可控硅调压器的方法：拿来一只万用表，用万用表的RX1档来分别对可控硅三个引脚进行两两正反的测量，这样一共需要测量这个可控硅六次，且这六次中，如果只有一次测得可控硅的数值在几十到几百欧之间，则可以判定测量的这个可控硅是单向可控硅调压器。万用表上的红笔所接的引脚是K极，黑笔接的则是G极，剩下的那个引脚是A极。如果在测量当中的结果上，有两个引脚的正反值都在几十到几百欧之间的话，那么这个可控硅就是双向可控硅调压器。 奥凯电气地理位置优越，拥有完善的服务体系。浙江可控硅调压器厂家

奥凯电气为客户服务，要做到更好。浙江可控硅调压器厂家

可控硅整流器：主电路采用三相桥或双反星形带平衡电抗器电路。可控硅元件采用大功率元件，节能卓效。主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板；模块及集成元件全部采用进口，可靠性高。具有自动稳压、稳流，稳定精度优于1%。具有0~60S软起动，电镀氧化着色时间可任意设定，自动定时。采用多相整流，减小输出电压纹波系数ru，特别适应于镀硬铬工艺，表面光洁度好，镀层厚度均匀。冷却方式：水冷、风冷、自冷。

可控硅整流器结构

    通常用双三极管来描述可控硅的四层结构，看成一NPN和PNP晶体管的互联. 若两晶体管的共基极电流放大系数分别为α1和α2(均为工作状态的函数)，导通的必要条件是α1+α2≃1.阻断状态下， 两晶体管的电流放大系数均很小;若在正向阻断状态下，于控制极注入一正向电流，则NPN管的电流放大系数α1迅速增大，并导致α2的增大，从而满足导通条件。

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