反馈绕组匝数 NF 越大,终端测量电阻 RM 阻值越小, 新型交直流电流传感器稳态误差越小, 但式(3-20)忽略了反馈绕组的线电阻, 当匝数 较大时, 线电阻不可忽略。因此本文在设计选择较大匝数反馈绕组后, 选择阻值较小的 终端测量电阻 RM 阻值以减小新型交直流电流传感器稳态误差。同时综合考虑反馈电流 峰值、温度特性等,选择大功率低温度系数的电阻。在对交直流电流传感器的误差传递函数模型建立时, 为了简化计算并未考虑新型交 直流传感器的磁性误差及容性误差。铁芯器件的磁性误差主要原因是绕组设计的不 对称性, 铁芯的漏磁通,外部的电磁干扰等其他因素导致的磁通不对称,主铁芯磁通不 对称性导致了一二次磁势平衡的假平衡现象, 终导致测量误差。因此设计绕组时需要 选择均匀缠绕, 对于多层绕组需要采取特殊绕法以减小铁芯漏磁通大小。这种复杂电流波形可能包含直流、低频以及高频交流。杭州内阻测试仪电流传感器供应商
导致正半周波自激振荡过程将不会在原 t5 时刻进入饱和区,而是略 有延后,即铁芯 C1 工作点将滞后进入负向饱和区 C;而在正向饱和区 A 及负向饱和区 C 中,激磁电流峰值仍然满足 I+m=-I-m=Im=ρVOH/RS,且非线性电感时间常数未发生变化, 因此铁芯 C1 饱和区自激振荡阶段, 激磁电流由 I+th1 正向增大至 I+m 的时间间隔增大, 而 激磁电流由 I-th1 负向增大至 I-m 的时间间隔减小。 由上述分析可知,测量正向直流时铁 芯工作点的特征为: 铁芯 C1 工作在正向饱和区 B 的时间大于工作在负向饱和区 C 的时 间,使激磁电流 iex 波形上出现了正负半周波波形上的不对称性。在一 次电流 IP 为正时,激磁电流 iex 在一个周波内,正半周波电流平均值小于负半周波电流 平均值, 采样电阻 RS 上采样电压 VRs 一个周波内平均值为负。西安磁调制电流传感器定制为了减小零点漂移,可以采取以下措施:选择具有低零点漂移的霍尔电流传感器。
VRS1 为采样电阻 RS1 上电压信号,V’RS2 为采样电阻 RS2 上电压信号 经高通滤波器 HPF 处理后的电压信号,当 HPF 时间常数设置合理, 可有效滤除采样电 阻 RS2 上电压信号中无用低频分量,因此在 V’RS2 保留反向的无用高频分量 VH2 。若参 数设置合理,而高频无用交流分量 VH1 和无用高频分量 VH2 恰好幅值大小相同,则理论 上通过高通滤波器 HPF 即完成了无用高频分量的滤除,从而获得更为纯净的有用低频 信号。然而实际电路无法保证环形铁芯 C1 与 C2 及其附加电路一致性,因此无法完成无 用高频分量完全消除。设计中,新型交直流电流传感器增加低通滤波器 LPF 进一步对 VR12 中高频分量进行滤除,从而完成了对信号解调电路的改进。
无锡纳吉伏公司基于铁磁材料的三折线分段线性化模型,对自激振荡磁通门传感器起振原理及数学模型进行推导,并探讨了其在直流测量及交直流检测的适应性,针对自激振荡磁通门传感器的各项性能指标,包括线性度、量程、灵敏度、带宽、稳定性等进行了较为深入的研究。(2)结合传统电流比较仪闭环结构,设计了基于双铁芯结构自激振荡磁通门传感器的新型交直流电流传感器,并对其解调电路进行相应改进。通过磁势平衡方程及相关电路理论,分析了改进结构及解调电路对传统单铁芯自激振荡磁通门传感器线性度的影响。并通过构建新型交直流电流传感器稳态误差数学模型,明确了交直流稳态误差与传感器电路设计参数及双铁芯结构零磁通交直流检测器之间的定性关系,为新型交直流电流传感器参数优化设计奠定了理论基础。在电动汽车中,电流测量可以帮助驾驶员了解电池的充电状态和放电效率,以确保车辆的安全和高效运行;
t5时刻起铁芯C1工作点进入负向饱和区C,此时激磁感抗ZL迅速变小,因此t5~t6期间,激磁电流iex迅速反向增大,当激磁电流iex达到反向充电电流-I-m=ρVOH/RS时,电路环路增益|ρAv|>>1满足振荡电路起振条件,方波激磁电压发生反转,输出电压由反向峰值电压VOL变为正向峰值电压VOH。即t6时刻,VO=VOH。t6时刻起铁芯C1工作点由负向饱和区C开始向线性区A移动,在t6~t7期间,铁芯C1仍工作于负向饱和区C,激磁感抗ZL变小,而输出方波电压变为正向此时加在非线性电感L上反向端电压V-=-ρVOH,产生的充电电流为正向,与激磁电流iex方向相反,12因此非线性电感L开始正向充电,激磁电流开始正向迅速增大,于t7时刻激磁电流iex增大至反向激磁电流阈值I-th。通过测量电流,可以了解电力系统的负载情况、传输效率以及是否存在短路或过载等问题。上海高精度电流传感器报价
当磁芯处于非饱和状态时,磁导率近似为一个不变的常数。杭州内阻测试仪电流传感器供应商
根据自激振荡磁通门传感器激磁频率约束条件fex>2f,当交直流电流传感器检测带宽为0–50Hz时,应设计自激振荡磁通门传感器激磁频率应大于100Hz。设计激磁频率时可根据式(2-42)计算激磁频率fex为:fex=Vout4BSN1SC(4-3)式(4-3)中激磁频率fex 与激磁绕组 W1 匝数 N1 均未确定,通过合理设计参数 N1 使得终激磁频率fex>100Hz 即可满足设计要求。然而激磁频率fex 并不是越大越好, 磁 性材料的涡流损耗与激磁频率fex 的平方成正比,因此当激磁频率fex 较大时,铁芯的涡 流损耗增大, 整体交直流电流传感器功耗增大, 且激磁方波电压一定时,激磁频率fex 越 大则激磁绕组 W1 匝数 N1 越小,而根据式(2-41),匝数 N1 越小则饱和电流阈值 Ith 越 大则铁芯不易进入饱和区工作, 此时所设计的零磁通交直流检测器线性度不高。而激磁 频率fex 过小时,激磁绕组 W1 匝数 N1 过大,此时所设计零磁通交直流检测器的灵敏度 将会降低, 因此在参数设计时需要在零磁通交直流检测器线性度与灵敏度之间有所侧重。杭州内阻测试仪电流传感器供应商