辽宁KP可控硅模块

作为一个专业的可控硅模块厂家，我们有必要为广大消费者介绍我们的产品，产品介绍如下：

  可控硅模块又叫晶闸管，自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。现在大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：首层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。 奥凯电气以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。辽宁KP可控硅模块

晶闸管模块被普遍应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管模块要正常工作，必须具备以下条件：

  1、+12V直流电源

  晶闸管模块内部控制电路的工作电源，+12V电源正极接+12V端子（-12V电源接-12V端子），公共端子接GND端子。

  2、控制信号

  0～10V（0～5V，0～10mA，4～20mA）控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V（CON5V、CON20mA），负极接GND1。

  3、供电电源和负载

  供电电源一般为电网或者供电变压器，接晶闸管模块的输入端子；负载为用电器，接模块的输出端子。

  通过以上了解，很多客户对晶闸管模块工作的必要条件有了一定的认识，大家可以根据自身的实际情况进行选购，确保施工的顺利进行。 辽宁KP可控硅模块奥凯电气以质量求生存，以信誉求发展！

调压模块的结构：

一体化三相调压模块结构如图1所示，1、3、5为模块进线端，2、4、6为模块出线端，分别连接电源和负载。左侧6个接线端为控制功能端，分别为4～20 mA信号输入端、0～10 V信号输入端、0～5 V信号输入端、0～10 mA信号输入端及手动控制输入端。当某控制端(如4～20 mA功能端)输入信号由小(4 mA)连续的变化到比较大(20 mA)时，模块的输出线电压由0 V连续的变化到电网电压380 V。

三相交流一体化移相调压模块是一使用简单、可靠性高的新型智能模块，它可直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载工作。采用它实现功率调节的温度控制系统，可有效地实现浸漆后电机绕组的烘干处理。系统外部接线简单、运行稳定，维护和维修方便。调压模块应用时，应注意模块内可控硅在较小导通角下长时间输出较大电流(即主电路输入电压很高，输出电压很低)，这可能导致模块严重发热。故应考虑负载与模块匹配，使模块在较大的导通角下工作。

可控硅模块的简要说明：

可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

奥凯电气深受行业客户的好评，值得信赖。

奥凯电气可控硅整流调压模块的使用方法

奥凯电气可控硅整流调压模块在电气自动化领域发挥着重要的作用，特别是随着科学技术的高速前进，整流调压模块将会应用到各个领域中。接触过整流调压模块的人对它有一定的了解，但是在使用过程中难免会出现问题，为解决这个问题接下来为大家讲一下它的使用方法：

  1、各功能端相对com端必须为正，若com端为负极，极性相反，则整流调压模块主回路输出端可能失控。

  2、整流调压模块各功能端的控制特性均为正极性，即控制电压越高，模块强电主回路输出电压越高。

  3、在某一时刻宜使用一种输入控制方式，若2种以上方式同时输入使用，则输入信号较强的一种起主要作用。

  4、电源为上进下出，三相交流电路的进线R、S、T无相序要求，导线粗细按实际使用电流选择。

  5、N线*为模块内部开关电源用，用1平方细导线即可，N线与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。 奥凯电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。莱芜3MTDC模块

奥凯电气设备不懈追求产品质量，精益求精不断升级。辽宁KP可控硅模块

晶闸管智能模块的保护

  在实际应用中，除合理选择智能可控硅调压模块的额定电压及电流外，还必须采取有效的保护措施来保证晶闸管智能模块能可靠工作。

  晶闸管智能模块与其他功率器件一样，在实际工作中由于自身功耗，都会引起芯片温度上升，温度过高后，会使漏电流增加，芯片特性变软，直至过热击穿，在实际应用中，通常采用强迫风冷的方法来及时散除晶闸管工作时产生的热量，控制散热器蕞高温度不超过75°，使晶闸管智能模块在安全温度下工作。 辽宁KP可控硅模块

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