六氟化硫超高纯气体半导体制造

上海弥正超高纯氧气（5N 级纯度），兼具医疗与电子制造双重适配性，以 “高纯度 + 低杂质” 满足多元场景需求。采用深度冷冻与吸附提纯工艺，将水分、二氧化碳、一氧化碳等杂质含量控制在 0.5ppb 以下，无异味、无有害污染物，符合医用气体 GB 8982-2024 标准与电子行业 SEMI 标准。在医疗领域，可用于重症患者呼吸疗愈、麻醉辅助与高压氧舱疗愈，提高血氧饱和度，促进患者康复；在电子制造领域，用于 ITO 薄膜溅射沉积，提升显示面板与触摸屏的导电性能与透光率。采用医用与工业特用气瓶分类包装，医用气瓶经无菌处理，工业气瓶配备高精度流量控制装置，支持连续稳定输送。某综合医院应用后，重症患者率提升 10%，氧疗不良反应发生率下降 60%；某电子企业使用后，ITO 薄膜透光率提升 2%，导电性能稳定，完全满足医疗与电子行业的严苛要求。超高纯六氟化钨纯度≥99.999%，是半导体金属化工艺的钨源气体。六氟化硫超高纯气体半导体制造

上海弥正超高纯乙硼烷（5N 级纯度），专为 FinFET、GAA（全环绕栅极）等先进晶体管结构的超浅结掺杂工艺设计，以 “超高纯度 + 准确控制” 突破芯片制程瓶颈。采用低温合成与精密吸附提纯技术，将杂质含量控制在极低水平，其中磷、砷等杂质含量≤5ppt，水分含量≤10ppb，满足 5nm 及以下先进制程对超浅结掺杂的严苛要求。在超浅结掺杂中，它能提供高浓度的硼离子，实现对半导体材料的准确、浅度掺杂，形成高性能的 P 型半导体层，其纯度与稳定性直接影响结深控制精度与器件的阈值电压，对提升晶体管开关性能至关重要。提供定制化的稀释与输送方案，可根据客户工艺需求，将乙硼烷准确稀释至 1-100ppm 的标准混合气，采用不锈钢管道输送，配备在线浓度监测与自动报警系统，确保掺杂过程准确可控。某专注于先进制程的芯片设计与制造企业应用后，GAA 晶体管的阈值电压波动范围缩小至 ±0.02V，开关电流提升 20%，成功实现 5nm 制程芯片的稳定量产。江苏二氧化碳超高纯气体光纤生产超高纯氯气（纯度 99.99%）适配半导体刻蚀，准确去除硅基材料。

上海弥正超高纯氪气（5N 级纯度），专为等离子体显示面板（PDP）、照明灯具制造设计，以 “高纯度 + 高发光效率” 提升产品性能。通过多级精馏与吸附提纯工艺，将杂质含量控制在 1ppb 以下，其中氖、氙等杂质含量≤0.2ppb，确保发光性能稳定。在 PDP 显示面板中，作为放电单元填充气体，能提升面板发光亮度与色彩还原度，延长面板使用寿命；在照明领域，用于氪气灯填充，提升灯光色温稳定性与发光效率，节能效果明显。采用小型高压气瓶包装，配备精密流量控制阀门，支持准确供气，气体使用效率提升 30%。某显示设备企业应用后，PDP 面板发光亮度提升 15%，色彩还原度接近 100%；某照明企业使用后，氪气灯使用寿命延长 2 倍，能耗降低 20%，完全满足显示与照明产业的性能升级需求。

上海弥正推出行业的超高纯气体回收再利用系统，针对半导体、光伏等行业的工艺尾气，实现高效回收、提纯与循环利用，为客户创造经济与环境双重价值。该系统可适配三氟化氮、硅烷、氢气等多种气体，通过低温冷凝、吸附分离与精密过滤等多级处理工艺，将原本直接排放的工艺尾气提纯至 5N-6N 级纯度，回收利用率比较高可达 90%。以半导体刻蚀工艺中常用的三氟化氮为例，传统使用模式下利用率不足 50%，大量尾气被浪费并污染环境，采用该回收系统后，客户气体采购成本降低 40%，同时大幅减少温室气体排放。提供 “定制化系统 + 运维服务” 的整体解决方案，根据客户生产规模与气体种类，设计专属回收流程，配备专业团队负责系统安装、调试与定期维护，并提供回收气体的质量检测报告。某半导体代工厂应用该系统后，年节省气体采购费用超 600 万元，工艺尾气排放量减少 80%，顺利通过 ISO 14064 碳足迹核查，实现了经济效益与环保责任的统一。超高纯氯化氢纯度≥99.999%，是光伏行业多晶硅提纯的关键试剂。

上海弥正超高纯硅烷（5N 级纯度），是半导体化学气相沉积（CVD）与光伏薄膜电池制造的**原料，以 “高纯度 + 高稳定性” 助力薄膜制备。采用络合反应与吸附提纯工艺，将杂质含量控制在 1ppb 以内，其中金属杂质与颗粒物杂质均≤0.1ppb，避免影响薄膜沉积质量。在半导体制造中，用于制备多晶硅、二氧化硅等薄膜，薄膜均匀性与致密度优异；在光伏产业中，用于薄膜太阳能电池的硅基薄膜沉积，提升电池转换效率。采用特用耐腐蚀气瓶包装，配备防爆阀门与压力监测装置，储存与运输过程中严格控制温度与压力，避免气体分解。某半导体企业应用后，薄膜沉积均匀性提升 4%，芯片电性能稳定性改善；某光伏企业使用后，薄膜电池转换效率提升 0.6%，薄膜附着力增强，完全满足半导体与光伏产业的先进制程要求。超高纯氩气用作溅射镀膜保护气，保障薄膜沉积均匀性。江苏二氧化碳超高纯气体光纤生产

超高纯三氟化氮（杂质≤1ppm）用作半导体清洗，高效去除光刻胶残留。六氟化硫超高纯气体半导体制造

上海弥正超高纯三氟化氮（5N 级纯度），是半导体等离子体刻蚀工艺的关键清洗气体，以 “高纯度 + 低污染” 助力芯片制程精细化。采用低温吸附与精馏提纯工艺，将杂质含量控制在 1ppb 以内，其中金属杂质与颗粒物杂质均≤0.1ppb，能准确匹配 7nm 及以下先进制程的刻蚀需求。其强氧化性可高效去除晶圆表面的硅化物、金属氧化物等残留沉积物，且反应产物易挥发，无需额外复杂清洗步骤，有效提升刻蚀工艺效率。配备特用环保处理系统，气体使用后可通过回收装置实现 67% 的再利用率，降低环境排放与使用成本，符合亚洲芯片代工厂的生态合规要求。某半导体代工厂应用后，晶圆刻蚀残留率从 0.8% 降至 0.05%，刻蚀工艺效率提升 15%，单晶圆制造成本降低 3%，同时满足 SEMI 国际半导体产业协会的环保与纯度标准，成为先进制程刻蚀工艺的推荐清洗气体。六氟化硫超高纯气体半导体制造

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