愈式低电压并联电容器是采用先进的锌铝复合金属化膜作为材料，引进国外先进技术、设备，严格按照国家标准及IEC标准组织生产的；主要用于低压电网提高功率因素，减少线路损耗，改善电压质量，是国家推荐使用的新型节电产品。公司依靠自有**技术的科技优势和严格按ISO9001质量体系管理，产品质优价廉、服务周到。质量水平明显高于国内行业同类产品。使用条件：环境温度-25℃~+50℃，湿度≤85%，海拔2000米以下。额定电压：250VAC、280VAC、300VAC、400VAC、415VAC、450VAC、480VAC、525VAC、690VAC、750VAC、1050VAC。额定容量：1~100kvar。容量允差：-5~+10%。损耗角正切值：在工频额定电压下，20℃时tgδ≤0.1%。交流耐电压：极间2.15倍额定电压，10秒钟，极壳间3KV，10秒钟。较高允许过电压：1.10倍数额定电压。较高允许过电流：1.30倍数额定电流。自放电特性：电容器加√2Un直流电压，断开电源3分钟后，剩余电压降低到75V或更低。按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。北京补偿电容器智能化&泛在物联网
电介质层)140、以及第二电极130。特别地，图2中的memsrf开关具有结构层131，第二电极130被布置在结构层131上。同样，空气间隙160存在于第二电极130和绝缘体140之间。当施加偏置电压(在驱动电极或主电极上)时，至少一个电极可能会热膨胀并且在绝缘体140的方向上偏移，从而会与绝缘体140接触。像这样，电极120、绝缘体140和第二电极130一起作用为电容器，并且rf开关200被打开，转而允许rf信号以预定频带从中经过。然而，如果未施加偏置电压，第二电极130与绝缘体140分离。结果，rf开关200被关闭，并且不允许rf信号从中经过。在实施例中，当施加偏置电压时，第二偏置电极130、151带正电产生正电荷(+)的集聚以及偏置电极120、150带负电产生负电荷(-)的集聚。同时，绝缘体140上的电荷可以维持为0，不依赖于偏置电压的施加。然而，在实践中，电荷集聚常常出现在绝缘体140。因此，在绝缘体140上检测到的电荷不总为0。图3图示根据本发明实施例的mim电容器的微结构300。在实施例中，mim电容器的微结构300包括：衬底110，具有顶表面111，电极120，具有与衬底110顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。广西电容器质保3年寿命15年使用时间长低压电力电容器多种分散器件组装而成的自动无功补偿装置。
高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器。高压瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见。中文名高压瓷片电容器外文名Highvoltageceramapacitor原理以陶瓷材料为介质的电容器目录1基本概念▪简介▪适用范围2作用3潜在问题4优点高压瓷片电容器基本概念编辑高压瓷片电容器简介常用于高压场合。陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。高压瓷片电容器适用范围高压瓷片电容器的典型作用是可以消除高频干扰，广泛应用于负离子产品、激光、X光机、控测设备、高压包、点火器、发生器、变压器、电力设备、倍压模块、焊机、静电喷涂及其他需要高压高频的机电设备。[1]高压瓷片电容器作用编辑1、高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗。
厚的底电极120被制造到衬底110中并且然后被平坦化。这允许光滑的表面121以用于下一个工艺步骤。在提供电极120的金属层之后生长电介质层140。必要时电介质层140可以被图案化。在电介质层140之上，生长第二电极130的金属层。该多目的技术适合于多个rf应用和从超高频(vhf)到毫米波的多个频率。例如，半导体装置300还可以包括薄膜电阻器，和在不同金属层之间的ipd组件。在实施例中，可以形成至少一个在电极120、130的至少一个金属层的表面上延伸的阻挡层。阻挡层可以包括低压化学气相沉积氮化物(lpcvdsin)或等离子体增强的化学气相沉积氮化物(pecvdsin)。例如，电介质层140可以包括原子层沉积(ald)生长的氧化铝层或等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)层，诸如正硅酸乙酯(teos)。衬底可以包括硅衬底层110。在实施例中，连接元件310、311可以包括导电焊盘，其可以被用于使至少一个金属层互连。也可以布置连接到半导体装置的集成无源器件(ipd)的连接。例如，半导体装置的金属层焊盘310、311可以被耦合到集成无源器件(ipd)端子上。电介质层140可以影响微结构300的rf性能。在实施例中，不同的绝缘体沉积方法可以被用于产生不同的rf性能。例如。直流和滤波电容器。用于高压直流装置和高压整流滤波装置中。
q)。电极120金属化的顶表面121可以被抛光/平坦化生成光滑的顶表面。这对于mim电容器组件尤其重要，因为电介质层140则没有如在现有已知系统中的台阶覆盖问题。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起电介质层140的台阶以嵌入电极120。由于经抛光且光滑的表面，该实施例的mim电容器的击穿电压也比传统的mim电容器的击穿电压更高。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题。这产生了更高的电压和功率处理。图4示出根据本发明实施例的方法流程图。一种形成微结构100、200、300(例如参见图1至图3)的方法开始于步骤410。在步骤420中，具有顶表面111的硅衬底110被提供。在步骤430中，电极120被形成，其具有与衬底110的顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。在步骤440中，电极120的顶表面被抛光/极化。在步骤450中，电介质层140被形成在电极120的顶表面121上。在步骤460中。电容器既然是一种储存电荷的“容器”，就有“容量”大小的问题。西藏补偿电容器智能化&泛在物联网
使充电后的电容器失去电荷(释放电荷和电能)的过程称为放电。北京补偿电容器智能化&泛在物联网
在实施例中，半导体装置包括钝化层，被布置在硅衬底层和金属层之间。在实施例中，半导体装置包括在至少一个电极的至少一个金属层的表面上延伸的至少一个阻挡层。在实施例中，电介质层包括原子层沉积(ald)生长的氧化铝层。在实施例中，电介质层包括等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)层。已经在前面说明了本发明不同的非约束性示例方面和实施例。在前面的实施例*用于解释可以被利用在本发明实现中的所选方面或步骤。一些实施例可以*参考本发明的某些示例方面来被呈现。应当理解，对应的实施例也可以应用到其他示例方面。附图说明为了更好地理解本发明的示例实施例，现在参考结合附图进行以下描述，其中：图1图示了根据本发明实施例的微结构的部分轮廓/侧面图；图2图示了根据本发明实施例的mems开关的微结构；图3图示了根据本发明实施例的mim电容器的微结构；以及图4示出了根据本发明实施例的方法的流程图。具体实施方式在实施例中，公开了微结构，诸如微机电系统(mems)开关、金属-绝缘体-金属(mim)电容器或无源组件和使用电感器和电容器实现的电路。例如，集成无源器件(ipd)技术也可以通过混合集成的有源电路被用作针对多芯片模块技术的集成平台。北京补偿电容器智能化&泛在物联网
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