便于对铝电解电容器主体使用机器进行插接安装，防止安装铝电解电容器主体时因引脚的位置没有对齐而使引脚抵在电路板上产生折弯现象并导致该铝电解电容器主体的报废。附图说明图1为实施例1的整体结构示意图；图2为实施例1中定位装置的安装示意图；图3为实施例1中定位装置在折弯前的结构示意图；图4为实施例1中夹取装置的安装示意图；图5为实施例1中夹取装置的结构示意图；图6为实施例1中夹取装置的剖视图。图中：1、铝电解电容器主体；1a、环槽；11、引脚；2、定位装置；21、兜条；21a、插孔；22、侧条；23、定位凸条；3、夹取装置；31、夹取套；31a、套腔；31b、定位插槽；31c、导向开口；32、夹棒。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。在本实用新型的描述中，需要理解的是。简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。贵州智能电容器补偿柜&补偿滤波模块装置
目前**常用的电解电容器有铝电解电容器和钽电解电容器。电解电容器特性参数编辑电解电容器标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器的基本单位是法拉（F），但是，这个单位太大，在实地标注中很少采用。其它单位关系如下：1F=1000mF1mF=1000μF1μF=1000nF1nF=1000pF电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。电解电容器额定电压在比较低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的比较高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的长久损坏。电解电容器绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。山西智能电容器质保3年寿命15年使用时间长调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
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圆柱型滤波电容器，主要用于谐波污染严重的电网中，有针对性地消除谐波，并进行无功功率补偿。充足的绝缘宽裕度设计电容器元件采用低场强全金属化聚丙烯薄膜卷绕式结构。充足的绝缘宽裕度使电容器的过电压承受能力提高了25%,同时产品具有体积小，耗损低等优点。有效的散热结构设计：元件采用铜牌连接，经低电流密度导线压焊后，引出至接线端子，确保了导电连接部位低接触电阻、低损耗、低热量。电容器外壳采用金属全密封干式结构，散热性能优良。可靠的安全保护设计采用内置式放电电阻和过压力保护装置，能可靠地保证操作人员的人身安全和电气设备的运行安全。智能无功补偿电容器是集成现代测控、电力电子、网络通讯、自动化控制、电力电容器等智能无功补偿装置。
8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。9．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。电解电容器电容器的寿命电解电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的。使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。不同电路应该选用不同种类的电容。揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。电容在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。安装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实。寿命估算(lifeexpectancy)：电解电容在比较高工作温度下，可持续动作的时间。lx=lo*2(to-ta)/10lx=实际工作寿命lo=保证寿命to=比较高工作温度(85℃105℃)ta=电容器实际工作周围温度example：规范值105℃/1000hrs65℃寿命推估：lx=1000*2(105-65)/10实际工作寿命：16000hrs高温负荷寿命(loadlife)将电解电容器在比较高工作温度下，印加额定工作电压，经一持续规定完成时间后。电容器是储存电量和电能（电势能）的元件。贵州智能电容器补偿柜&补偿滤波模块装置
并联电容器，原称移相电容器。主要用于补偿电力系统感性负荷的无功功率。贵州智能电容器补偿柜&补偿滤波模块装置
q)。电极120金属化的顶表面121可以被抛光/平坦化生成光滑的顶表面。这对于mim电容器组件尤其重要，因为电介质层140则没有如在现有已知系统中的台阶覆盖问题。在现有已知方法中，如果厚金属(大于1μm)被放置在晶片的表面上，这会引起电介质层140的台阶以嵌入电极120。由于经抛光且光滑的表面，该实施例的mim电容器的击穿电压也比传统的mim电容器的击穿电压更高。因为针对尤其是底电极的厚金属化，rf功率处理也被好地改进。因此，实现更高的品质因子(q)意味着更低的电阻损耗，以及与现有已知方法相比更容易的后加工。此外，由于光滑的底电极120，在电介质层140中不存在台阶覆盖的问题。这产生了更高的电压和功率处理。图4示出根据本发明实施例的方法流程图。一种形成微结构100、200、300(例如参见图1至图3)的方法开始于步骤410。在步骤420中，具有顶表面111的硅衬底110被提供。在步骤430中，电极120被形成，其具有与衬底110的顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。在步骤440中，电极120的顶表面被抛光/极化。在步骤450中，电介质层140被形成在电极120的顶表面121上。在步骤460中。贵州智能电容器补偿柜&补偿滤波模块装置
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