微结构技术或集成无源器件(ipd)技术可以被制造到适合在洁净室中进行薄膜工艺的任何衬底。熔融石英、石英或高电阻率硅因其良好的rf特性而通常被用于rf应用。微结构或集成无源器件(ipd)层还可以被后加工到有源器件晶片，诸如cmos、sige或gaas，以具有高q的无源和再分布层(rdl)。通过参考图1至图4来理解本发明及其潜在优点。在本文中，相同的附图标记表示相同的部件或步骤。图1图示根据本发明实施例的微结构100的部分轮廓/侧面图。在实施例中，裸片(未示出)可以被耦合在微结构100之上。此外，电路板(未示出)可以被耦合在微结构100之上或之下。焊球可以被用于耦合。微结构100包括衬底100，具有顶表面111，电极120，具有与衬底100顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。在实施例中，电极120的顶表面121被抛光或被平坦化以得到具有光滑顶表面的电极。电极120的垂直厚度可以大于5μm，甚至大于10μm。图2图示根据本发明实施例的微机电系统(mems)开关的微结构200。在实施例中，微机电系统(mems)开关的微结构200包括：衬底110，具有顶表面111，电极120，具有与衬底110顶表面111平行的水平定向。智能无功补偿电容器是集成现代测控、电力电子、网络通讯、自动化控制、电力电容器等智能无功补偿装置。四川静态或动态电容器
运载气体流在整个沉积过程中连续地通过反应空间，并且只有各种前驱体被交替地通过运载气体引入到反应空间。硅衬底上的另一可选层(例如，钝化层)的厚度，可以由沉积表面暴露于不同前驱体的次数来控制。钝化层的厚度增大直到达到目标厚度，在这之后至少一层绝缘体层被沉积。在本发明的一个实施例中，绝缘体层(例如电介质层)的沉积以相同的沉积工具在ald型工艺中被实施。在这种情况下，可以简单地通过将前驱体化学物从用于先前层沉积的化学物改变为适合于绝缘体层沉积的化学物，来开始绝缘体层的沉积。在实施例中，键合线封装包括堆叠在裸片上的微结构100、200、300。裸片可以被设置在引线框上。引线框可以是引脚栅格阵列(pga)封装、四方扁平无引线(qfn)封装或其他封装。引线框可以包括焊盘，并且可以被安装在pcb上。中间层可以设置在微结构100、200、300和裸片之间，并且将微结构100、200、300连接到裸片上。集成无源器件(ipd)也可以被布置在裸片内。集成无源器件(ipd)包括绝缘层或第二衬底、和金属化层。绝缘层或第二衬底被设置在金属化层之间。绝缘层或第二衬底可以包括过孔。过孔可以是通过玻璃过孔(tgv)或硅过孔(tsv)。低压中压高压电容器调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
目前**常用的电解电容器有铝电解电容器和钽电解电容器。电解电容器特性参数编辑电解电容器标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器的基本单位是法拉（F），但是，这个单位太大，在实地标注中很少采用。其它单位关系如下：1F=1000mF1mF=1000μF1μF=1000nF1nF=1000pF电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。电解电容器额定电压在比较低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的比较高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的长久损坏。电解电容器绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
电解电容器损耗电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。电解电容器频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。铝电解电容器的结构特点：铝壳和胶盖密闭起来构成一个电解电容器。同其它类型的电容器相比，铝电解电容器在结构上表现出如下明显的特点：（1）铝电解电容器的工作介质为通过阳极氧化的方式在铝箔表面生成一层极薄的三氧化二铝（Al2O3），此氧化物介质层和电容器的阳极结合成一个完整的体系，两者相互依存，不能彼此**；我们通常所说的电容器，其电极和电介质是彼此**的。[1]铝电解电容器的芯子是由阳极铝箔、电解纸、阴极铝箔、电解纸等4层重叠卷绕而成；芯子含浸电解液后，用（2）铝电解电容器的阳极是表面生成Al2O3介质层的铝箔，阴极并非我们习惯上认为的负箔，而是电容器的电解液。（3）负箔在电解电容器中起电气引出的作用。两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。
便于对铝电解电容器主体使用机器进行插接安装，防止安装铝电解电容器主体时因引脚的位置没有对齐而使引脚抵在电路板上产生折弯现象并导致该铝电解电容器主体的报废。附图说明图1为实施例1的整体结构示意图；图2为实施例1中定位装置的安装示意图；图3为实施例1中定位装置在折弯前的结构示意图；图4为实施例1中夹取装置的安装示意图；图5为实施例1中夹取装置的结构示意图；图6为实施例1中夹取装置的剖视图。图中：1、铝电解电容器主体；1a、环槽；11、引脚；2、定位装置；21、兜条；21a、插孔；22、侧条；23、定位凸条；3、夹取装置；31、夹取套；31a、套腔；31b、定位插槽；31c、导向开口；32、夹棒。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。在本实用新型的描述中，需要理解的是。智能无功补偿电容器替代由智能无功控制器、低压电力电容器多种分散器件组装而成的自动无功补偿装置。低压中压高压电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的氧化膜作介质的电容器。四川静态或动态电容器
愈式低电压并联电容器是采用先进的锌铝复合金属化膜作为材料，引进国外先进技术、设备，严格按照国家标准及IEC标准组织生产的；主要用于低压电网提高功率因素，减少线路损耗，改善电压质量，是国家推荐使用的新型节电产品。公司依靠自有**技术的科技优势和严格按ISO9001质量体系管理，产品质优价廉、服务周到。质量水平明显高于国内行业同类产品。使用条件：环境温度-25℃~+50℃，湿度≤85%，海拔2000米以下。额定电压：250VAC、280VAC、300VAC、400VAC、415VAC、450VAC、480VAC、525VAC、690VAC、750VAC、1050VAC。额定容量：1~100kvar。容量允差：-5~+10%。损耗角正切值：在工频额定电压下，20℃时tgδ≤0.1%。交流耐电压：极间2.15倍额定电压，10秒钟，极壳间3KV，10秒钟。较高允许过电压：1.10倍数额定电压。较高允许过电流：1.30倍数额定电流。自放电特性：电容器加√2Un直流电压，断开电源3分钟后，剩余电压降低到75V或更低。四川静态或动态电容器
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