本申请大体上涉及微结构、制造技术和半导体装置。特别地，但非排他地，本申请涉及微机电系统(mems)结构、集成无源器件(ipd)、开关电容器、金属-绝缘体-金属(mim)电容器和微机电系统(mems)开关。背景技术：本章节说明了有用的背景信息，但未示出本文中描述的、表示现有技术的任何技术。利用微机电系统(mems)技术制造的组件正在被并入日益增长的许多消费者应用中，这些应用包括，但不限于，汽车电子、医疗仪器、智能电话、硬盘驱动器、计算机外围设备和无线设备。mems技术涉及使用微制造技术来形成小型化机电设备和结构。mems设备通常具有某种形式的机械功能，通常是以至少一个活动结构的形式。结构可以通过一系列的工艺步骤被形成在适当的衬底上，这些工艺步骤包括被影印平板印刷地遮蔽和刻蚀的薄膜沉积。例如，mems机械元件、传感器和致动器可以被集成在具有互补金属氧化物半导体(cmos)器件的普通衬底上。集成无源器件(ipd)技术是用于在低损耗衬底中实现高品质因子(q)无源的方式。将大部分无源组件组合到ipd并且然后将基于ipd的模块集成到子系统，这使高性能、高集成度和较低的组装成本成为可能。特别是需要高q电感器的rf前端模块和组件有利于集成到ipd。电容器电容的大小，由其几何尺寸和两极板间绝缘介质的特性来决定。重庆超级电解电容器智能化&泛在物联网
微结构300还包括：电介质层140，被布置在电极120的顶表面121上；以及第二电极130，被布置在电介质层140的顶表面上。在实施例中，如图3中所示的，电极120顶表面121的水平端被保留为未被电介质层140覆盖，并且电介质层140在电极120顶表面121的第二水平端的上方延伸。此外，电介质层140顶表面的水平端可以被保留为未被第二电极130覆盖，并且第二电极130可以延伸至电介质层140顶表面的第二水平端。在实施例中，微结构300还可以包括至少一个被布置在衬底10上的连接元件151、152。例如，连接元件151，可以被配置为提供到电极120顶表面121的水平端的连接。例如，连接元件151可以是连接焊盘。例如，第二连接元件152，可以被配置为提供到第二电极130的第二水平端的连接，第二电极的第二水平端与电介质层140顶表面的第二水平端邻近。例如，第二连接元件152也可以是连接焊盘。第二连接元件152可以被第二电极130包括且形成单个元件130。连接元件151和第二连接元件152可以被布置在电介质层140顶表面相反的水平端处。在已知系统中，mim电容器的底电极的厚度通常在μm至1μm之间。由于电阻损耗，这限制了mim电容器品质因子(q)。针对mim电容器的实施例使更厚(5至10μm)的底电极120成为可能。浙江补偿电容器提供功率因素电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。
第二电极130被形成在电介质层140上方。在步骤470中，方法结束。在实施例中，钝化层包括氧化铝并且钝化层被形成在硅衬底的表面上，以通过制造在钝化层与导电电极之间的阻挡层保护免于受到由钝化层与导电电极之间的化学相互作用所引起的影响。可以通过将钝化层暴露在反应空间中，以交替地重复两种或多种不同前驱体(其中至少一种前驱体是针对氧的前驱体)的表面反应，来在钝化层上沉积阻挡层，阻挡层包括钛和氧、钽和氧、锆和氧、铪和氧、或它们中的任何组合、或它们与铝和氧的任何组合，以及通过在阻挡层上制备包括铝浆的层，来在沉积在钝化层上的阻挡层上形成导电电极。反应空间可以被随后地抽真空至适当的压强，用于形成包括氧化铝的钝化层。反应空间可以使用，例如机械真空泵来被抽真空至适当的压强，或者在ald系统和/或工艺的大气压强的情况下，可以设置气流以保护沉积区域免受大气的影响。通过所使用的方法，硅衬底也可以被加热至适于形成钝化层、导电层或电介质层的温度。硅衬底可以通过例如，密封的装载锁系统或仅通过装载仓口被引入到反应空间。硅衬底可以被电阻加热元件加热，该电阻加热元件也加热整个反应空间。在硅衬底和反应空间已经到达目标温度之后。
超级电容器使用的注意事项包括:1)超级电容器具有固定的极性。在使用前，应确认极性。2)超级电容器应在标称电压下使用。当电容器电压超过标称电压时，将会导致电解液分解，同时电容器会发热，容量下降，而且内阻增加，寿命缩短。3)超级电容器不可应用于高频率充放电的电路中。高频率的快速充放电会导致电容器内部发热，容量衰减，内阻增加。4)外界环境温度对于超级电容器的寿命有着重要的影响。因此超级电容器应尽量远离热源。5)当超级电容器被用做后备电源时，由于超级电容器具有内阻较大的特点，在放电的瞬间存在电压降。6)超级电容器不可处于相对湿度大于85%或含有气体的环境中，这些环境下会导致引线及电容器壳体腐蚀，引起断路。7)超级电容器不能置于高温、高湿的环境中，应尽量在温度-30~50℃、相对湿度小于60%的环境下储存，且应避免温度骤升骤降，因为这样会导致产品损坏。8)当超级电容器用于双面电路板上，需要注意连接处不可经过电容器可触及的地方，由于超级电容器的安装方式，会导致短路现象。9)当把电容器焊接在线路板上时，不可将电容器壳体接触到线路板上，不然焊接物会渗入至电容器穿线孔内，对电容器性能产生影响。10)安装超级电容器后。使电容器带电(储存电荷和电能)的过程称为充电。
或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。频率特性好，Q值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ～：电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等的电子元件称为电容器。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。电容器的损耗与漏电和使用环境的温度有极大的关系！！！电容器的作用：耦合、滤波、退耦、高频消振、谐振、旁路、中和、负载电容、分频、补偿等。重庆超级电解电容器智能化&泛在物联网
按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。重庆超级电解电容器智能化&泛在物联网
本实用新型涉及电子元件技术领域，具体地说，涉及一种直插型铝电解电容器。背景技术：电容器通常叫做电容，是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时，其中铝电解电容器是使用最、低价的电解电容。铝电解电容器在安装时通常是使用机器对铝电解电容器进行夹取后直接将铝电解电容器上的引脚插入到电路板上的安装孔中，由于铝电解电容器大多呈圆柱体，导致铝电解电容器在被夹取时引脚的位置并不是固定的，使得引脚因没有和电路板上安装孔的位置对齐而使引脚抵在电路板上产生折弯现象并导致该铝电解电容器主体的报废。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种直插型铝电解电容器，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种直插型铝电解电容器，包括铝电解电容器主体，所述铝电解电容器主体的底端设有一对引脚，所述铝电解电容器主体顶端面的边缘处开设有呈下凹状的环槽，两个所述引脚插接在定位装置上，所述定位装置包括和所述铝电解电容器主体底端相贴合的兜条、位于所述兜条的左右两端的侧条以及一体成型在所述侧条侧端的定位凸条。重庆超级电解电容器智能化&泛在物联网
上海东容电器有限公司总部位于嘉行公路2575号，是一家电容器、石墨制品的生产，电器机械及器材的组装，电器、元器件、五金交电、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用爆炸物品、易制毒化学品）、塑料制品、建筑材料的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的公司。上海东容电器作为电容器、石墨制品的生产，电器机械及器材的组装，电器、元器件、五金交电、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用爆炸物品、易制毒化学品）、塑料制品、建筑材料的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的企业之一，为客户提供良好的电容器，电抗器，电能质量，有源滤波。上海东容电器不断开拓创新，追求出色，以技术为先导，以产品为平台，以应用为重点，以服务为保证，不断为客户创造更高价值，提供更优服务。上海东容电器始终关注电工电气市场，以敏锐的市场洞察力，实现与客户的成长共赢。
