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封装基本参数
  • 品牌
  • 中清航科
  • 服务内容
  • 封装
  • 版本类型
  • 定制
封装企业商机

中清航科推出SI/PI协同仿真平台,集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中,通过优化封装布线减少35%串扰,使112G PAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板,热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块,热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中,另功率循环能力提升3倍,助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线,中清航科实现KGD(已知良品)全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略,使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃,支持功能安全诊断。中清航科芯片封装工艺,引入数字孪生技术,实现全流程可视化管控。wlp封装 管壳

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面对卫星载荷严苛的空间环境,中清航科开发陶瓷多层共烧(LTCC)MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接,实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率<3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下,使星载处理器在单粒子翻转(SEU)事件率降低至1E-11 errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证,成功应用于低轨卫星星务计算机,模块失效率<50FIT(10亿小时运行故障率)。

针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境,中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝(ZTA)陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊,实现漏率<1×10⁻¹⁰ Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变<0.05%,保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验,已用于全海深声呐阵列封装,在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。 上海晶圆封装厂家中清航科聚焦芯片封装,用绿色工艺,降低生产过程中的能耗与排放。

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常见芯片封装类型 - BGA:随着集成电路技术发展,BGA(球栅阵列封装)技术应运而生,成为高脚数芯片的推荐封装方式。它的 I/O 引脚数增多,引脚间距大于 QFP 封装,提高了成品率;采用可控塌陷芯片法焊接,改善了电热性能;信号传输延迟小,适应频率大幅提高;组装可用共面焊接,可靠性增强。BGA 封装又分为 PBGA、CBGA、FCBGA、TBGA、CDPBGA 等类型。中清航科在 BGA 封装领域深入钻研,掌握了多种 BGA 封装技术,能为高性能芯片提供先进、可靠的封装解决方案。

针对TMR传感器灵敏度,中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰<0.1mT,分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%,用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²(ΔT=50℃)。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率>99%。125℃环境下数据保存超10年,适用于工业控制存储。


中清航科芯片封装创新,支持多芯片异构集成,突破单一芯片性能局限。

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针对车规级芯片AEC-Q100认证痛点,中清航科建成零缺陷封装产线。通过铜柱凸点替代锡球焊接,结合环氧模塑料(EMC)三重防护层,使QFN封装产品在-40℃~150℃温度循环中通过3000次测试。目前已有17家Tier1供应商采用其AEC-QGrade1封装解决方案。中清航科多芯片重构晶圆(Reconstituted Wafer)技术,将不同尺寸芯片集成于300mm载板。通过动态贴装算法优化芯片排布,材料利用率提升至92%,较传统WLCSP降低成本28%。该方案已应用于物联网传感器批量生产,单月产能达500万颗。中清航科深耕芯片封装,与上下游协同,构建从设计到制造的完整生态。上海to和sot封装

中清航科芯片封装方案,适配车规级严苛要求,助力汽车电子安全升级。wlp封装 管壳

中清航科深紫外LED封装攻克出光效率瓶颈。采用氮化铝陶瓷基板搭配高反射镜面腔体,使280nm UVC光电转换效率达12%。在杀菌模组应用中,光功率密度提升至80mW/cm²,寿命突破10,000小时。基于MEMS压电薄膜异质集成技术,中清航科实现声学传感器免ASIC封装。直接输出数字信号的压电微桥结构,使麦克风信噪比达74dB。尺寸缩小至1.2×0.8mm²,助力TWS耳机减重30%。中清航科太赫兹频段封装突破300GHz屏障。采用石英波导过渡结构,在0.34THz频点插损<3dB。其天线封装(AiP)方案使安检成像分辨率达2mm,已用于人体安检仪量产。


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