晶圆切割是半导体封装的中心环节，传统刀片切割通过金刚石砂轮实现材料分离。中清航科研发的超薄刀片（厚度15-20μm）结合主动冷却系统，将切割道宽度压缩至30μm以内，崩边控制在5μm以下。我们的高刚性主轴技术可适配8/12英寸晶圆，切割速度提升40%，为LED、MEMS器件提供经济高效的解决方案。针对超薄晶圆（<50μm）易碎裂难题，中清航科激光隐形切割系统采用红外脉冲激光在晶圆内部形成改性层，通过扩张膜实现无应力分离。该技术消除机械切割导致的微裂纹，良率提升至99.3%，尤其适用于存储芯片、CIS等器件，助力客户降低材料损耗成本。中清航科切割冷却系统专利设计，温差梯度控制在0.3℃/mm。嘉兴12英寸半导体晶圆切割测试
面向磁传感器制造，中清航科开发超导磁悬浮切割台。晶圆在强磁场（0.5T）下悬浮，消除机械接触应力，切割后磁畴结构畸变率<0.3%，灵敏度波动控制在±0.5%。中清航科电化学回收装置从切割废水中提取金/铜/锡等金属，纯度达99.95%。单条产线年回收贵金属价值超$80万，回收水符合SEMI F78标准，实现零废液排放。针对HJT电池脆弱电极层，中清航科采用热激光控制技术（LCT）。红外激光精确加热切割区至200℃，降低材料脆性，电池效率损失<0.1%，碎片率控制在0.2%以内。
中清航科创新性推出“激光预划+机械精切”复合方案：先以激光在晶圆表面形成引导槽，再用超薄刀片完成切割。此工艺结合激光精度与刀切效率，解决化合物半导体（如GaAs、SiC）的脆性开裂问题，加工成本较纯激光方案降低35%。大尺寸晶圆切割面临翘曲变形、应力集中等痛点。中清航科全自动切割机配备多轴联动补偿系统，通过实时监测晶圆形变动态调整切割参数。搭配吸附托盘，将12英寸晶圆平整度误差控制在±2μm内，支持3D NAND多层堆叠结构加工。
在晶圆切割的产能规划方面，中清航科为客户提供专业的产能评估服务。通过产能模拟软件，根据客户的晶圆规格、日产量需求、设备利用率等参数，精确计算所需设备数量与配置方案，并提供投资回报分析，帮助客户优化设备采购决策，避免产能过剩或不足的问题。针对晶圆切割过程中可能出现的异常情况，中清航科开发了智能应急处理系统。设备可自动识别切割偏差过大、晶圆破裂等异常状态，并根据预设方案采取紧急停机、废料处理等措施，同时自动保存异常发生前的工艺数据，为后续问题分析提供依据，比较大限度减少损失。12英寸晶圆切割中清航科解决方案突破产能瓶颈，良率99.3%。
中清航科ESG解决方案：设备内置能源管理模块，智能调节激光功率与主轴转速，单次切割能耗降低42%。碳追踪平台每8小时生成减排报告，助力客户达成碳中和目标，已获全球25家代工厂采购认证。功率器件背面金层在切割中易翘曲。中清航科开发脉冲电流辅助切割，在刀片-晶圆界面施加微电流（<10mA），瞬时加热至150℃软化金层，剥离风险下降90%，剪切强度保持>45MPa。中清航科推出粉尘组分诊断系统：通过LIBS（激光诱导击穿光谱）在线分析颗粒元素构成，自动推荐冷却液配方调整方案。帮助客户减少因金属污染导致的芯片失效，良率提升1.2%。中清航科全自动切割线配备AI视觉定位，精度达±1.5μm。嘉兴12英寸半导体晶圆切割测试
中清航科晶圆切割代工获ISO 9001认证，月产能达50万片。嘉兴12英寸半导体晶圆切割测试
高速切割产生的局部高温易导致材料热变形。中清航科开发微通道冷却刀柄技术，在刀片内部嵌入毛细管网，通过相变传热将温度控制在±1℃内。该方案解决5G毫米波芯片的热敏树脂层脱层问题，切割稳定性提升90%。针对2.5D/3D封装中的硅中介层（Interposer）切割，中清航科采用阶梯式激光能量控制技术。通过调节脉冲频率（1-200kHz）与焦点深度，实现TSV（硅通孔）区域低能量切割与非TSV区高效切割的协同，加工效率提升3倍。传统刀片磨损需停机检测。中清航科在切割头集成光纤传感器，实时监测刀片直径变化并自动补偿Z轴高度。结合大数据预测模型，刀片利用率提升40%，每年减少停机损失超200小时。嘉兴12英寸半导体晶圆切割测试
中清航科（江苏）科技有限公司汇集了大量的优秀人才，集企业奇思，创经济奇迹，一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地，绘画新蓝图，在江苏省等地区的数码、电脑中始终保持良好的信誉，信奉着“争取每一个客户不容易，失去每一个用户很简单”的理念，市场是企业的方向，质量是企业的生命，在公司有效方针的领导下，全体上下，团结一致，共同进退，**协力把各方面工作做得更好，努力开创工作的新局面，公司的新高度，未来中清航科科技供应和您一起奔向更美好的未来，即使现在有一点小小的成绩，也不足以骄傲，过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验，才能继续上路，让我们一起点燃新的希望，放飞新的梦想！
