通过拉曼光谱扫描切割道，中清航科提供残余应力分布云图（分辨率5μm），并推荐退火工艺参数。帮助客户将芯片翘曲风险降低70%，服务已用于10家头部IDM企业。中清航科技术结合机械切割速度与激光切割精度：对硬质区采用刀切，对脆弱区域切换激光加工。动态切换时间<0.1秒，兼容复杂芯片结构，加工成本降低28%。旧设备切割精度不足？中清航科提供主轴/视觉/控制系统三大模块升级包。更换高刚性主轴（跳动<0.5μm）+12MP智能相机，精度从±10μm提升至±2μm，改造成本只为新机30%。切割道宽度测量仪中清航科研发，在线检测精度达0.05μm。浙江碳化硅陶瓷晶圆切割代工厂
晶圆切割的工艺参数设置需要丰富的经验积累，中清航科开发的智能工艺推荐系统，基于千万级切割数据训练而成。只需输入晶圆材料、厚度、切割道宽等基本参数，系统就能自动生成比较好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等关键参数，新手操作人员也能快速达到工程师的工艺水平，大幅降低技术门槛。半导体产业对设备的占地面积有着严格要求，中清航科采用紧凑型设计理念，将晶圆切割设备的占地面积控制在 2 平方米以内，较传统设备减少 40%。在有限空间内，通过巧妙的结构布局实现全部功能集成，同时预留扩展接口，方便后续根据产能需求增加模块，满足不同规模生产车间的布局需求。扬州碳化硅晶圆切割代工厂中清航科切割冷却系统专利设计，温差梯度控制在0.3℃/mm。
中清航科的晶圆切割设备通过了多项国际认证，包括 CE、FCC、UL 等，符合全球主要半导体市场的准入标准。设备设计严格遵循国际安全规范与电磁兼容性要求，可直接出口至欧美、日韩等地区，为客户拓展国际市场提供设备保障。在晶圆切割的刀具校准方面，中清航科创新采用激光对刀技术。通过高精度激光束扫描刀具轮廓，自动测量刀具直径、刃口角度等参数，并与标准值对比，自动计算补偿值，整个校准过程只需 3 分钟，较传统机械对刀方式提升效率 80%，且校准精度更高。
中清航科设备搭载AI参数推荐引擎，通过分析晶圆MAP图自动匹配切割速度、进给量及冷却流量。机器学习模型基于10万+案例库持续优化，将工艺调试时间从48小时缩短至2小时，快速响应客户多品种、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，传统切割良率不足80%。中清航科采用激光诱导劈裂技术（LIPS），通过精确控制激光热影响区引发材料沿晶向解理，切割速度达200mm/s，崩边<10μm，满足新能源汽车功率器件严苛标准。中清航科提供从晶圆贴膜、切割到清洗的全流程自动化方案。机械手联动精度±5μm，兼容SECS/GEM协议实现MES系统对接。模块化设计支持产能弹性扩展，单线UPH（每小时产能）提升至120片，人力成本降低70%。晶圆切割应急服务中清航科24小时响应，备件储备超2000种。
GaN材料硬度高且易产生解理裂纹。中清航科创新水导激光切割（Water Jet Guided Laser），利用高压水柱约束激光束，冷却与冲刷同步完成。崩边尺寸<8μm，热影响区只2μm，满足射频器件高Q值要求。设备振动导致切割线宽波动。中清航科应用主动磁悬浮阻尼系统，通过6轴加速度传感器实时生成反向抵消力，将振幅压制在50nm以内。尤其适用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光学器件晶圆需避免边缘微裂纹影响透光率。中清航科紫外皮秒激光系统（波长355nm）配合光束整形模块，实现吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破摄像头模组良率瓶颈。中清航科切割道检测仪实时反馈数据，动态调整切割参数。杭州蓝宝石晶圆切割刀片
晶圆切割MES系统中清航科定制，实时追踪每片切割工艺参数。浙江碳化硅陶瓷晶圆切割代工厂
在晶圆切割的质量检测方面，中清航科引入了三维形貌检测技术。通过高分辨率 confocal 显微镜对切割面进行三维扫描，生成精确的表面粗糙度与轮廓数据，粗糙度测量精度可达 0.1nm，为工艺优化提供量化依据。该检测结果可直接与客户的质量系统对接，实现数据的无缝流转。针对晶圆切割过程中的热变形问题，中清航科开发了恒温控制切割舱。通过高精度温度传感器与 PID 温控系统，将切割舱内的温度波动控制在 ±0.1℃以内，同时采用热误差补偿算法，实时修正温度变化引起的机械变形，确保在不同环境温度下的切割精度稳定一致。浙江碳化硅陶瓷晶圆切割代工厂
