针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。中清航科芯片封装技术，支持多引脚设计，满足芯片高集成度需求。江苏smt元件封装0402
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。上海芯片sip封装公司人工智能芯片功耗高，中清航科封装创新，助力散热与能效双提升。
芯片封装的散热设计：随着芯片集成度不断提高，功耗随之增加，散热问题愈发突出。良好的散热设计能确保芯片在正常温度范围内运行，避免因过热导致性能下降甚至损坏。中清航科在芯片封装过程中，高度重视散热设计，通过优化封装结构、选用高导热材料、增加散热鳍片等方式，有效提升封装产品的散热性能。针对高功耗芯片，公司还会采用先进的液冷散热封装技术，为客户解决散热难题，保障芯片长期稳定运行，尤其在数据中心、高性能计算等领域发挥重要作用。
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。医疗芯片求稳求精，中清航科封装方案，满足高可靠性与生物兼容性。
中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。中清航科芯片封装技术，通过电磁兼容设计，降低多芯片间信号干扰。上海芯片sip封装公司
功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。江苏smt元件封装0402
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。江苏smt元件封装0402
