针对晶圆切割过程中的静电防护问题，中清航科的设备采用全流程防静电设计。从晶圆上料的导电吸盘到切割区域的离子风扇，再到下料区的防静电输送轨道，形成完整的静电防护体系，将设备表面静电电压控制在50V以下，有效避免静电对敏感芯片造成的潜在损伤。中清航科的晶圆切割设备具备强大的数据分析能力，内置数据挖掘模块可对历史切割数据进行深度分析，识别影响切割质量的关键因素，如环境温度波动、晶圆批次差异等，并自动生成工艺优化建议。通过持续的数据积累与分析，帮助客户不断提升切割工艺水平，实现持续改进。中清航科切割液回收系统降低耗材成本35%，符合绿色制造。金华12英寸半导体晶圆切割蓝膜
针对晶圆切割产生的废料处理难题，中清航科创新设计了闭环回收系统。切割过程中产生的硅渣、切割液等废料，通过管道收集后进行分离处理，硅材料回收率达到95%以上，切割液可循环使用，不仅降低了危废处理成本，还减少了对环境的污染，符合半导体产业的绿色发展理念。在晶圆切割的精度校准方面，中清航科引入了先进的激光干涉测量技术。设备出厂前，会通过高精度激光干涉仪对所有运动轴进行全行程校准，生成误差补偿表，确保设备在全工作范围内的定位精度一致。同时提供定期校准服务，配备便携式校准工具，客户可自行完成日常精度核查，保证设备长期稳定运行。上海12英寸半导体晶圆切割宽度中清航科晶圆切割代工获ISO 9001认证，月产能达50万片。
中清航科ESG解决方案：设备内置能源管理模块，智能调节激光功率与主轴转速，单次切割能耗降低42%。碳追踪平台每8小时生成减排报告，助力客户达成碳中和目标，已获全球25家代工厂采购认证。功率器件背面金层在切割中易翘曲。中清航科开发脉冲电流辅助切割，在刀片-晶圆界面施加微电流（<10mA），瞬时加热至150℃软化金层，剥离风险下降90%，剪切强度保持>45MPa。中清航科推出粉尘组分诊断系统：通过LIBS（激光诱导击穿光谱）在线分析颗粒元素构成，自动推荐冷却液配方调整方案。帮助客户减少因金属污染导致的芯片失效，良率提升1.2%。
GaN材料硬度高且易产生解理裂纹。中清航科创新水导激光切割（WaterJetGuidedLaser），利用高压水柱约束激光束，冷却与冲刷同步完成。崩边尺寸<8μm，热影响区只2μm，满足射频器件高Q值要求。设备振动导致切割线宽波动。中清航科应用主动磁悬浮阻尼系统，通过6轴加速度传感器实时生成反向抵消力，将振幅压制在50nm以内。尤其适用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光学器件晶圆需避免边缘微裂纹影响透光率。中清航科紫外皮秒激光系统（波长355nm）配合光束整形模块，实现吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破摄像头模组良率瓶颈。中清航科晶圆切割机支持物联网运维，故障响应速度提升60%。
晶圆切割的主要目标之一是从每片晶圆中获得高产量的、功能完整且无损的芯片。产量是半导体制造中的一个关键性能指标，因为它直接影响电子器件生产的成本和效率。更高的产量意味着每个芯片的成本更造能力更大，制造商更能满足不断增长的电子器件需求。晶圆切割直接影响到包含这些分离芯片的电子器件的整体性能。切割过程的精度和准确性需要确保每个芯片按照设计规格分离，尺寸和对准的变化小。这种精度对于在终设备中实现比较好电气性能、热管理和机械稳定性至关重要。中清航科切割冷却系统专利设计，温差梯度控制在0.3℃/mm。常州蓝宝石晶圆切割划片厂
中清航科切割实验室开放合作，已助力30家企业工艺升级。金华12英寸半导体晶圆切割蓝膜
随着芯片轻薄化趋势，中清航科DBG（先切割后研磨）与SDBG（半切割后研磨）设备采用渐进式压力控制技术，切割阶段只切入晶圆1/3厚度，经背面研磨后自动分离。该方案将100μm以下晶圆碎片率降至0.01%，已应用于5G射频模块量产线。冷却液纯度直接影响切割良率。中清航科纳米级过滤系统可去除99.99%的0.1μm颗粒，配合自主研发的抗静电添加剂，减少硅屑附着造成的短路风险。智能温控模块维持液体粘度稳定，延长刀片寿命200小时以上呢。金华12英寸半导体晶圆切割蓝膜
