当晶圆切割面临复杂图形切割需求时，中清航科的矢量切割技术展现出独特优势。该技术可精确识别任意复杂切割路径，包括圆弧、曲线及异形图案，通过分段速度调节确保每一段切割的平滑过渡，切割轨迹误差控制在2μm以内。目前已成功应用于光电子芯片的精密切割，为AR/VR设备中心器件生产提供有力支持。半导体生产车间的设备协同运作对通信兼容性要求极高，中清航科的晶圆切割设备多方面支持OPCUA通信协议，可与主流MES系统实现实时数据交互。通过标准化数据接口，将切割进度、设备状态、质量数据等信息实时上传至管理平台，助力客户实现生产过程的数字化管控与智能决策。切割刀痕深度控制中清航科技术达±0.2μm，减少后续研磨量。丽水蓝宝石晶圆切割厂
晶圆切割作为半导体制造流程中的关键环节，直接影响芯片的良率与性能。中清航科凭借多年行业积淀，研发出高精度激光切割设备，可实现小切割道宽达20μm，满足5G芯片、车规级半导体等领域的加工需求。其搭载的智能视觉定位系统，能实时校准晶圆位置偏差，将切割精度控制在±1μm以内，为客户提升30%以上的生产效率。在半导体产业快速迭代的当下，晶圆材料呈现多元化趋势，从传统硅基到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体，切割工艺面临更大挑战。中清航科针对性开发多材料适配切割方案，通过可调谐激光波长与动态功率控制技术，完美解决硬脆材料切割时的崩边问题，崩边尺寸可控制在5μm以下，助力第三代半导体器件的规模化生产。泰州碳化硅晶圆切割蓝膜MEMS器件晶圆切割中清航科特殊保护层技术，结构完整率99%。
UV膜残胶导致芯片贴装失效。中清航科研发酶解清洗液，在50℃下选择性分解胶层分子链，30秒清理99.9%残胶且不损伤铝焊盘，替代高污染溶剂清洗。针对3DNAND多层堆叠结构，中清航科采用红外视觉穿透定位+自适应焦距激光，实现128层晶圆的同步切割。垂直对齐精度±1.2μm，层间偏移误差<0.3μm。中清航科绿色方案整合电絮凝+反渗透技术，将切割废水中的硅粉、金属离子分离回收，净化水重复利用率达98%，符合半导体厂零液体排放（ZLD）标准。
随着Chiplet技术的兴起，晶圆切割需要更高的位置精度以保证后续的异构集成。中清航科开发的纳米级定位切割系统，采用气浮导轨与光栅尺闭环控制，定位精度达到±0.1μm，配合双频激光干涉仪进行实时校准，确保切割道位置与设计图纸的偏差不超过0.5μm，为Chiplet的高精度互联奠定基础。中清航科深谙半导体设备的定制化需求，可为客户提供从工艺验证到设备交付的全流程服务。其技术团队会深入了解客户的晶圆规格、材料特性与产能要求，定制专属切割方案，如针对特殊异形Die的切割路径优化、大尺寸晶圆的分片切割策略等，已成功为多家头部半导体企业完成定制化项目交付。切割机预测性维护平台中清航科上线，关键部件寿命预警准确率99%。
晶圆切割/裂片是芯片制造过程中的重要工序，属于先进封装(advancedpackaging)的后端工艺(back-end)之一，该工序可以将晶圆分割成单个芯片，用于随后的芯片键合。随着技术的不断发展，对高性能和更小型电子器件的需求增加，晶圆切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圆切割的重要性在于它能够在不损坏嵌入其中的精细结构和电路的情况下分离单个芯片，成功与否取决于分离出来的芯片的质量和产量，以及整个过程的效率。为了实现这些目标，目前已经开发了多种切割技术，每种技术都有其独特的优点和缺点。中清航科推出切割废料回收服务，晶圆利用率提升至99.1%。江苏砷化镓晶圆切割测试
中清航科多轴联动切割头，适应曲面晶圆±15°倾角加工。丽水蓝宝石晶圆切割厂
针对高粘度晶圆切割液的回收处理，中清航科研发了离心式过滤净化系统。该系统通过三级过滤工艺，可去除切割液中99.9%的固体颗粒杂质，使切割液循环利用率提升至80%以上，不只降低耗材成本，还减少废液排放。同时配备浓度自动调节功能，确保切割液性能稳定，保障切割质量一致性。在晶圆切割设备的维护便捷性设计上，中清航科秉持“易维护”理念。设备关键部件采用模块化设计，更换激光头、切割刀片等中心组件只需15分钟，较传统设备缩短70%维护时间。同时配备维护指引系统，通过AR技术直观展示维护步骤，降低对专业维护人员的依赖，减少客户运维压力。丽水蓝宝石晶圆切割厂
