芯片封装的发展历程：自20世纪80年代起，芯片封装技术历经多代变革。从早期的引脚插入式封装，如DIP（双列直插式封装），发展到表面贴片封装，像QFP（塑料方形扁平封装）、PGA（针栅阵列封装）等。而后，BGA（球栅阵列封装）、MCP（多芯片模块）、SIP（系统级封装）等先进封装形式不断涌现。中清航科紧跟芯片封装技术发展潮流，不断升级自身技术工艺，在各个发展阶段都积累了丰富经验，能为客户提供符合不同时期技术标准和市场需求的封装服务。中清航科芯片封装技术，平衡电气性能与机械保护，延长芯片使用寿命。to和sot封装
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。上海tsv封装技术5G 芯片对封装要求高，中清航科定制方案，适配高速传输场景需求。
中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。
针对车规级芯片AEC-Q100认证痛点，中清航科建成零缺陷封装产线。通过铜柱凸点替代锡球焊接，结合环氧模塑料（EMC）三重防护层，使QFN封装产品在-40℃~150℃温度循环中通过3000次测试。目前已有17家Tier1供应商采用其AEC-QGrade1封装解决方案。中清航科多芯片重构晶圆（ReconstitutedWafer）技术，将不同尺寸芯片集成于300mm载板。通过动态贴装算法优化芯片排布，材料利用率提升至92%，较传统WLCSP降低成本28%。该方案已应用于物联网传感器批量生产，单月产能达500万颗。中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。
散热能力强：COB产品是把灯封装在PCB板上，通过PCB板上的铜箔快速将灯芯的热量传出，而且PCB板的铜箔厚度都有严格的工艺要求，加上沉金工艺，几乎不会造成严重的光衰减。所以很少死灯，比较大延长了LED显示屏的寿命。耐磨、易清洁：表面光滑而坚硬，耐撞耐磨;没有面罩，有灰尘用水或布即可清洁。全天候优良特性：采用三重防护处理，防水、潮、腐、尘、静电、氧化、紫外效果突出;满足全天候工作条件，零下30度到零上80度的温差环境仍可正常使用。中清航科芯片封装方案，适配航天级标准，耐受极端温差与气压考验。qfn57封装
射频芯片封装难度大，中清航科阻抗匹配技术，减少信号反射提升效率。to和sot封装
中清航科WLCSP测试一体化方案缩短生产周期。集成探针卡与临时键合层，实现300mm晶圆单次测试成本降低40%。在PMIC量产中，测试覆盖率达99.2%。面向航天应用，中清航科抗辐照封装通过MIL-STD-750认证。掺铪二氧化硅钝化层使总剂量耐受＞300krad，单粒子翻转率＜1E-10error/bit-day。已服务低轨卫星星座项目。中清航科MEMS真空封装良率突破98%。采用多孔硅密封技术，腔体真空度维持＜0.1Pa十年以上。陀螺仪零偏稳定性达0.5°/h，满足导航级应用。to和sot封装
