企业商机
电阻器基本参数
  • 品牌
  • 泰科,西埃
  • 型号
  • HSC系列
电阻器企业商机

展望电阻器的发展方向是:1、小型化、高可靠性;2、分立的小型电阻器仍有较广的用处,但将进一步缩小体积,提高性能,降低价格;3、在消费类电子产品中,碳膜电阻器仍占优势,而精密的电阻器则将以金属膜电阻器为主,大部分小功率线绕电阻器将被取代;4、为适应电路集成化、平面化的发展,对片状电阻器的需要将明显增加;通用型将倾向于发展厚膜电阻器,而精密型则仍将倾向于薄膜类中的金属膜和金属箔电阻器;5、发展组合的电阻网络;常用的HSC100瓦150瓦系列,也称为黄金铝壳电阻。浙江高稳定电阻器量大从优

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电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻,是一个限流元件;将电阻接在电路中后,电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚,它可限制通过它所连支路的电流大小。由于应用***,其的类型也各种各样。外观检查查看标志清晰,保护漆完好,无烧焦,无伤痕,无裂痕,无腐蚀,电阻体与引脚紧密接触等。对于可变电阻器还应检查转轴灵活,松紧适当,手感舒适。有开关的要检查开关动作是否正常等。用电桥测量电阻如果要求精确测量电阻器的阻值,可通过电桥(数字式)进行测试。将电阻插入电桥元件测量端,选择合适的量程,即可从显示器上读出电阻器的阻值。例如,用电阻丝自制电阻或对固定电阻器进行处理来获得某一较为精确的电阻值时,就必须用电桥测量自制电阻的阻值。浙江高稳定电阻器量大从推荐择预充电阻器时,要特别考虑应用环境因素,如电池电压大电容容值、比较高环境温度等等。

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电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件,将电阻连接在电路中后位置后,电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚,它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的,即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。

电阻器额定功率的识别电阻器的额定功率指电阻器在直流或交流电路中,长期连续工作所允许消耗的最大功率。有两种标志方法:2W以上的电阻,直接用数字印在电阻体上;2W以下的电阻,以自身体积大小来表示功率。负荷特性当工作环境温度低于tR时,电阻器也不能超过其额定功率使用,当超过tR时,必须降低负荷功率。对每种电阻器都有规定的负荷特性。此外,在低气压下负荷允许相应降低。在脉冲负荷下,脉冲平均功率远低于额定功率,一般另有规定。电子熔断电阻器应用在家电、车用低压电路等领域,电力熔断电阻器用于新能源汽车、传统发电、通信等领域。

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在电子电路中有着千千万万的电子元件和器件,其中电阻器约占元器件总数的40%以上。电阻器有很多类型,有碳膜电阻,有水泥电阻,有金属膜电阻,有贴片电阻,有精密电阻等等。阻值和误差①阻值选用:原则是所用电阻器的标称阻值,与所需电阻器阻值差值越小越好。可用欧姆定律(R=U/I)求出电阻器的阻值。②误差选用:对时间常数RC电路所需电阻器的误差尽量小,一般可选5%以内,对退耦电路,反馈电路滤波电路负载电路对误差要求不太高,可选10%-20%的电阻器。预充电阻HSC100100RJ黄金铝壳电源电阻器是为了给预充电路在瞬间电压增加时,起到保护作用。浙江高稳定电阻器量大从优

预充电阻电阻是起到限流的作用。浙江高稳定电阻器量大从优

金属氧化膜电阻器金属氧化膜电阻器是用锡和锑等金属盐溶液(四氯化锡和三氧化锑)喷雾到约为550°C的加热炉内的炽热陶瓷骨架表面上,沉积后而制成的。这种电阻器的导电膜层均匀,膜与骨架基体结合牢固,有些性能优于金属膜电阻器。金属氧化膜电阻器外形如图所示。普通金属氧化膜电阻器的外形与金属膜电阻器基本相同,其结构多为圆柱形并为轴向式引出线。金属氧化膜电阻器比金属膜电阻器抗氧化能力强,抗酸、抗盐的能力强,耐热性能好。金属氧化膜电阻器的缺点是由于材料的特性和膜层厚度的限制,阻值范围小,其阻值范围为1Ω~200kΩ;额定功率为1/8~10W;25W~50kW。浙江高稳定电阻器量大从优

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吉林高稳定电阻器发展现状 2024-11-17

电位器有几种样式。一般用在音箱音量开关和激光头功率大小调节的电位器是一种可调的电子元件。它是由一个电阻体和一个转动或滑动系统组成。当电阻体的两个固定触电之间外加一个电压时,用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。按材料分线绕、炭膜、实芯式电位器;按输出与输入电压比与旋转角度的关系分直线式电位器(呈线性关系)、函数电位器(呈曲线关系)。主要参数为阻值、容差、额定功率。较广用于电子设备,在音箱和接收机中作音量控制用。所以可调电阻在生活中也是能常常用到的。预充电阻在电池包上电过程中占据中至关重要的作用。吉林高稳定电阻器发展现状基本定...

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