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纳米力学测试基本参数
  • 品牌
  • 星石科技
  • 型号
  • 齐全
  • 类型
  • 纳米力学测试
纳米力学测试企业商机

谱学技术微纳米材料的化学成分分析主要依赖于各种谱学技术,包括紫外-可见光谱红外光谱、x射线荧光光谱、拉曼光谱、俄歇电子能谱、x射线光电子能谱等。另有一类谱仪是基于材料受激发的发射谱,是专为研究品体缺陷附近的原子排列状态而设计的,如核磁共振仪、电子自旋共振谱仪、穆斯堡尔谱仪、正电子湮灭等等。热分析技术,纳米材料的热分析主要是指差热分析、示差扫描量热法以及热重分析。三种方法常常相互结合,并与其他方法结合用于研究微纳米材料或纳米粒子的一些特 征:(1)表面成键或非成键有机基团或其他物质的存在与否、含量多少、热失重温度等(2)表面吸附能力的强弱与粒径的关系(3)升温过程中粒径变化(4)升温过程中的相转变情况及晶化过程。测试内容丰富多样,包括硬度、弹性模量、摩擦系数等,助力材料研究。四川纺织纳米力学测试应用

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与传统硬度计算不同的是,A 值不是由压痕照片得到,而是根据 “接触深度” hc(nm) 计算得到的。具体关系式需通过试验来确定,根据压头形状的不同,一般采用多项式拟合的方法,比如针对三角锥形压头,其拟合结果为:A = 24.5 + 793hc + 4238+ 332+ 0.059+0.069+ 8.68+ 35.4+ 36. 9式中 “接触深度”hc由下式计算得出:hc = h - ε P max/S,式中,ε是与压头形状有关的常数,对于球形或三角锥形压头可以取ε = 0.75。而S的值可以通过对载荷-位移曲线的卸载部分进行拟合,再对拟合函数求导得出,即,式中Q 为拟合函数。这样通过试验得到载荷-位移曲线,测量和计算试验过程中的载荷 P、压痕深度h和卸载曲线初期的斜率S,就可以得到样品的硬度值。该技术通过记录连续的载荷-位移、加卸载曲线,可以获得材料的硬度、弹性模量、屈服应力等指标,它克服了传统压痕测量只适用于较大尺寸试样以及只能获得材料的塑性性质等缺陷,同时也提高了硬度的检测精度,使得边加载边测量成为可能,为检测过程的自动化和数字化创造了条件。四川纺织纳米力学测试应用通过纳米力学测试,可以优化材料的加工工艺,提高产品的性能和品质。

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即使源电阻大幅降低至1MW,对一个1mV的信号的测量也接近了理论极限,因此要使用一个普通的数字多用表(DMM)进行测量将变得十分困难。除了电压或电流灵敏度不够高之外,许多DMM在测量电压时的输入偏移电流很高,而相对于那些纳米技术[3]常常需要的、灵敏度更高的低电平DC测量仪器而言,DMM的输入电阻又过低。这些特点增加了测量的噪声,给电路带来不必要的干扰,从而造成测量的误差。系统搭建完毕后,必须对其性能进行校验,而且消除潜在的误差源。误差的来源可以包括电缆、连接线、探针[5]、沾污和热量。下面的章节中将对降低这些误差的一些途径进行探讨。

原位纳米力学测试系统是一种用于材料科学领域的仪器,于2011年10月27日启用。压痕测试单元:(1)可实现70nN~30mN不同加载载荷,载荷分辨率为3nN;(2)位移分辨率:0.006nm,较小位移:0.2nm,较大位移:5um;(3)室温热漂移:0.05nm/s;(4)更换压头时间:60s。能够实现薄膜或其他金属或非金属材料的压痕、划痕、摩擦磨损、微弯曲、高温测试及微弯曲、NanoDMA、模量成像等功能。力学测试芯片大小只为几平方毫米,亦可放置在电子显微镜真空腔中进行原位实时检测。纳米力学测试可以用于研究纳米材料的界面行为和相互作用,为纳米材料的应用提供理论基础。

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AFAM 方法提出之后,不少研究者对方法的准确度和灵敏度方面进行了研究。Hurley 等分析了空气湿度对AFAM 定量化测量结果的影响。Rabe 等分析了探针基片对AFAM 定量化测量的影响。Hurley 等详细对比了AFAM 单点测试与纳米压痕以及声表面波谱方法的测试原理、空间分辨率、适用性及测试优缺点等。Stan 等提出一种双参考材料的方法,此方法不需要了解针尖的力学性能,可以在一定程度上提高测试的准确度。他们还提出了一种基于多峰接触的接触力学模型,在一定程度上可以提高测试的准确度。Turner 等通过严格的理论推导研究了探针不同阶弯曲振动和扭转振动模态的灵敏度问题。Muraoka提出一种在探针微悬臂末端附加集中质量的方法,以提高测试灵敏度。Rupp 等对AFAM测试过程中针尖样品之间的非线性相互作用进行了研究。在纳米力学测试中,常用的仪器包括原子力显微镜、纳米硬度仪等设备。湖南汽车纳米力学测试应用

纳米力学测试结果有助于优化材料设计,提升产品性能,降低生产成本。四川纺织纳米力学测试应用

对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难,而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件,这也给人们的电学测量工作带来了种种限制。在任何测量中,灵敏度的理论极限是由电路中的电阻所产生的噪声来决定的。电压噪声[1]与电阻的方根、带宽和一定温度成正比。高的源电阻限制了电压测量的理论灵敏度[2]。虽然完全可能在源电阻抗为1W的情况下对1mV的信号进行测量,但在一个太欧姆的信号源上测量同样的1mV的信号是现实的。四川纺织纳米力学测试应用

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