是根据所需气体的含量，按体积计算。控制组分气体和释稀释气体的体积，经混合而得到的标准气体。2、所需设备注射器，定体积容器。标准气体混匀技术编辑均匀性是考察标准气体性能的一个重要指标。标准气体的特性应该是均匀的即在规定的范围内其量值保证不变。不论采用哪种方法制备的标准气体，都需要进行混匀处理。标准气体的混匀方法有：热处理法、钢瓶滚动法、特殊充填法、自然扩散法、其他混匀方法等，几种混匀操作方法如下：[1]热处理法一般将制备好的标准气体的容器置于40℃以下的温水浴中加热，使气体组分较快的混合均匀。钢瓶旋转滚动法将钢瓶水平放在混匀半置的滚动轴上，使它绕轴心旋转民。该法混匀所需时间短，操作简单。特殊充填法在充填某些气体时，可将钢瓶倒立并保持45℃的倾斜，从下端充气，促使气体绝热膨胀，产生放热效应，气体可以在充填的同时混合均匀。自然扩散法将充入标准气体的钢瓶倒立在合适的位置，静止不动，靠气体本身的自然扩散来达到混合均匀，但此法所需时间较长。其他混匀方法采用静态混合容器或使用特殊构造的容器阀门，可以在很短时间内使标准气体混合均匀。不管采用哪种方法进行混匀处理，必须用另一种高精度的分析方法进行检验。成都二氧化氮标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。福建便携式气体供应厂家
四川侨源气体股份有限公司创建于2002年，是一家集生产、研发、经营各种工业气体、标准气体、液化气体和特种气体于一体的****。现已经发展成为西部地区比较大的气体生产厂家和供应商。企业是**工业气体工业协会会员单位，**化工标准物质**会会员单位，**特种气体协会会员单位。企业拥有齐全的气体净化纯化设备，并引进国外**的高纯气体和超纯气体检测分析设备，保证为客户提供质量的高纯氧气、高纯氮气、高纯氩气、高纯氢气、高纯二氧化碳等气体及其超高纯气体，将公司打造成**比较大的高纯气体供应基地。公司是**化工标准物质**会成员，拥有几十种**二级标准物质生产许可证和制造计量器具许可证。公司有一支勇于创新探索的科研队伍，凭借科学的分析理念和**的分析检测设备，根据市场需求和用户需要配制质量可靠的标准气体和混合气体，持续不断的满足客户需求。标准气体品种齐全，已广泛应用于科研，化工、煤矿、航天、电子、光纤、机械、石油、建材、电力、**、食品、医疗、制*、冶金、照明及质检等各个行业，并为各种行业的客户提供着高质量高效率的气体及相关产品的完善服务。重庆乙烯标准气体厂家直销重庆甲烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
这样可以减小瓶壁的吸附作用。如果需要浓度更低的气体,在大瓶子中配气后,可用抽真空法再进行稀释。例如,将大瓶子中的气体压力抽至原有压力的一半,然后再充进干净空气至原来的压力,即可得到原来浓度一半的标准气体。2.注射器配气法对于需气量较小的工作,用注射器配气是很方便的。取两个大小不等的注射器,大注射器一般用100毫升的,小注射器根据配气情况而定。配气时,在大注射器中放一小金属片,将活塞推入,再用小注射器取一定量的原料气,将两注射器按图2连接,把小注射器的气体推入大注射器,去掉小注射器和橡皮帽,抽动大注射器活塞,用干净空气将气体稀释到100毫升,摇动注射器中的金属片,使气体混合均匀,即得到较低浓度的标准气体。稀释后的浓度可根据稀释前后气体体积计算出来。如果一次稀释达不到要求,还可进行第二次、第三次稀释…。进行再次稀释时,只要将大注射器中配好的气体推出一部分,然后吸入干净空气进行稀释,即可得到更低浓度的标准气体。740)">3.塑料袋配气法用100毫升注射器或通过湿式流量计将一部分空气注入塑料袋内,然后按图3连接一个事先装入原料气的气体定量管。继续通气将定量管中的原料气压入塑料袋中,稀释至一定体积。用手揉捏塑料袋,使气体混合均匀。
配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases)：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases)：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。四川便携式气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
所以渗透率也随温度改变而改变。因此,在测定渗透率时,必须将干燥瓶放入恒温水浴中,温度控制精度要达到±011℃。在恒温放置过程中,每隔一定的时间(至少12小时)用精密天平快速称量渗透管一次(必须在10分钟内称完),相邻两次的重量差就是渗透管在该时间段的渗透量。测出渗透量后,就可用下式求出该渗透管的渗透率。740)">式中:G:渗透率(Lgömin);△G:相邻两次称量的重量差(mg);△S:相邻两次称量的时间间隔(min);实际测定时,记录一系列称量和时间数据,用上式计算渗透率并求其平均值。或以称量数据为纵坐标,时间为横坐标,绘制渗透率的特性曲线,所得直线的斜率即为渗透率。(2)渗透管动态配气装置用已知渗透率的渗透管配制标准气体的装置如图6所示。740)">将渗透管放在气体发生瓶中,再将气体发生瓶放入恒温水浴中,恒温水浴的温度要与测定渗透率时的温度相同(一般为25±1℃),这样就可不作温度校正。稀释气(压缩空气)经**、活性炭和氢氧化钠净化器2除去水分和杂质后,再经流量控制阀和流量计3进入气体发生瓶7(即混合器)中,将渗透出来的气体分子带出,就得到标准气体。标准气体的浓度可由下式求出(在25℃和一个大气压下)。740)">式中:z:所配标准气体的浓度(ppm)。福建工业气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。气体供应厂家
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CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。福建便携式气体供应厂家
