GB16163-1996)中，根据工业纯气在气瓶内的物理状态和临界温度进行分类，并按其化学性能，燃烧性、毒性、腐蚀性进行分组。第1类为长久气体，其临界温度〈-10℃，在充装时以及在允许的工作温度下储运和使用过程中均为气态，分为a、b两组：a组为不燃无毒和不燃**气体(包括氧、氮、氩等)，b组为可燃无毒和可燃**气体(包括氢等)。第2类为液化气体，其临界温度≥-10℃，包括高压液化气体和低压液化气体。其中，高压液化气体临界温度≥-10℃、且≤70℃，在充装时为液态，但在允许的工作温度下储运和使用过程中随着温度升高至临界温度时即蒸发为气态，分为a、b、c三组：a组为不燃无毒和不燃**气体(包括二氧化碳)；b组为可燃无毒和自燃**气体；c组为易分解或聚合的可燃气体。低压液化气体临界温度〉70℃，在充装时以及在允许的工作温度下储运和使用过程中均为液态，也分为a、b、c三组：a组为不燃无毒和不燃**及酸性腐蚀气体(包括氯)；b组为可燃无毒和可燃**及碱性腐蚀气体(包括氨)；c组为易分解或聚合的可燃气体。第3类为溶解乙炔。在压力下溶解于气瓶内溶剂的气体，*有a组：易分解或聚合的可燃气体(包括乙炔)。此分类是混合气配制的基础。工业混合气是近二十年来出现的新品种。四川乙烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。成都标准气体供应
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氩和二氧化碳,氩和氦,氩和氢混合气。三元混合气有氦、氩、二氧化碳混合气。应用中视焊材不同选择不同配比的焊接混合气。9.离子注入气(GasesforIonImplantation)：离子注入是把离子化的杂质,例如P+、B+、As+加速到高能量状态,然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制Vth(阈值电压)方面应用得**为***。注入的杂质量可通过测量离子束电流而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气,有磷系、硼系和砷系气体。10.非液化气体(NonliquefiedGases)：压缩气体依据于一定压力和温度下在气瓶中的物理状态和沸点范围可以区分为两大类,即液化气体和非液化气体。非液化气体系指除溶解在溶液中的气体之外,在2111℃和罐装压力下完全是气态的气体。也可定义为在正常地面温度和13789～17237kPa压力下不液化的气体。11.液化气体(LiquefiedGases)：在2111℃和罐装压力下部分液化的气体。或定义为在正常温度和172142～17237kPa压力下在气瓶中液化的气体。压缩气体(CompressedGases)压缩气体是指在2111℃下,在气瓶中***压力超过27518kPa的任何气体或混合物;或与2111℃下的压力无关,于5414℃下***压力超过717kPa的任何气体或混合物;或于3718℃下气体***压力超27518kPa的任何液体。12.稀有气体。
对不同特种气体的纯度或组成、有害杂质允许的**高含量、产品的包装贮运等都有极其严格的要求，属于高技术，高附加值产品。通常，可以将特种气体分为三类，即高纯或超高纯气体、标准校正气体和具有特定组成的混合气体。气体产品作为现代工业重要的基础原料，应用范围十分***，在冶金、钢铁、石油、化工、机械、电子、玻璃、陶瓷、建材、建筑、食品加工、医*医疗等部门，均使用大量的常用气体或特种气体。因为气体产品的应用覆盖面大，一般将气体的生产和供应与供电、供水一样，作为工业投资环境的基础设施，被视为国民经济“命脉”而列为公用事业行业。随着我国国民经济的快速发展，气体产品应用范围不断扩大，用量不断增加，新产品不断推出，纯度不断提高，市场需求不断扩大，产值增长速度远远超过同期国民经济总值的增长速度，达到年12%的增长率。**气体产品市场年销售额约为400亿元。虽然气体工业总产值在国民经济生产总值中所占的比例不算大。但它对当前飞速发展的微电子、航空航天、生物工程、新型材料、精密冶金、环境科学等高新技术部门有重要影响，是这些部门不可缺少的原材料气或工艺气。正是由于各种新兴工业部门和现代科学技术的需要和推动。成都工业气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
RareGases)：元素周期表**后一族的六种惰性气体中的任何一种气体,即氦、氖、氩、氪、氙、氡。**种气体均可以空气分离方法从空气中提取。13.低压液化气体(LowPressureLiquefiedGases)：临界温度大于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃**、酸性腐蚀性气体;可燃无毒和可燃**、酸性腐蚀性气体;易分解或聚合的可燃气体。此类气体在充装时以及在允许的工作温度下贮运和使用过程中均为液态。包括的气体品种有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟环丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光气、氟化氢、溴化氢、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液压石油气、丙烷、环丙烷、丙烯、正丁烷、异丁烷、1-丁烯、异丁烯、顺-2-丁烯、反-2-丁烯、R142b、R143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氢、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1,3—丁二烯、氯乙烯、环氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。14.高压液化气体(HighPressureLiquefiedGases)：临界温度大于或等于-10℃且小于或等于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃**气体;可燃无毒和自燃**气体;易分解或聚合的可燃气体。此类气体充装时为液态。福建工业气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。成都标准气体供应
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配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases)：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases)：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。成都标准气体供应
