企业商机
碳化硅衬底基本参数
  • 产地
  • 苏州
  • 品牌
  • 豪迈瑞
  • 型号
  • 4
  • 是否定制
碳化硅衬底企业商机

采用SiC的功率模块将进入诸如可再生能源、UPS电源、驱动器和汽车等应用。风电和牵引应用可能会随之而来。 到2021年,SiC功率器件市场总额预计将上升到10亿美元 。在某些市场,如太阳能,SiC器件已投入运行,尽管事实上这些模块的价格仍然比常规硅器件高。是什么使这种材料具有足够的吸引力,即使价格更高也心甘情愿地被接受?首先,作为宽禁带材料,SiC提供了功率半导体器件的新设计方法。传统功率硅技术中,IGBT开关被用于高于600V的电压,并且硅PIN-续流二极管是**技术的。硅功率器件的设计与软开关特性造成相当大的功率损耗。有了SiC的宽禁带,可设计阻断电压高达15kV的高压MOSFET,同时动态损耗非常小。有了SiC,传统的软关断硅二极管可由肖特基二极管取代,并带来非常低的开关损耗。作为一个额外的优势,SiC具有比硅高3倍的热传导率。连同低功率损耗,SiC是提高功率模块**率密度的一种理想材料。碳化硅是发展第3代半导体产业的关键基础材料。河北碳化硅衬底进口半绝缘

半导体材料作为现代信息和新能源技术的基础受到人们的***关注。它的发展和应用带给人们福音,尤其是在通信、高速计算、大容量信息处理、可再生清洁能源、空间防御、电子对抗以及武器装备的微型化、智能化等等这些对国民经济和**至关重要的领域出现了巨大的进步。作为第3代宽带隙半导体材料的**,碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大(约是Si的3倍)、热导率高(约是Si的3.3倍)、电子饱和迁移速率高(约是Si的2.5倍)和击穿电场高(约是Si的10倍)等性质。6寸碳化硅衬底碳化硅(指半绝缘型)是射频微波器件的理想衬底材料。

碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高3倍)、与GaN晶格失配小(4%)等优势,非常适合用作新一代发光二极管(LED)衬底材料、大功率电力电子材料。

碳化硅半导体制备技术正不断取得进步,已经可以生长厚度为200μm的外延层,在此基础上研发出了反向阻塞电压高达8kV的SiC功率器件,如耗尽型功率MOSFET、结型场效应晶体管(JFET)、PIN二极管、IGBT以及GTO等。单管高达10kV的超高压功率器件已研发成功预计可在航空、航天、**、工业、电网等各个领域得到***的应用,我国正在实施“节能减排”的国家发展政策,碳化硅半导体无疑会对此起到巨大的推动用。

在半导体行业的发展进程中,人们通常把Si和Ge元素半导体称为***代电子材料,把GaAs、InP、InAs等化合物半导体称为第二代半导体材料,而把Ⅲ族氮化物(主要包括GaN、相关化合物InN、AIN及其合金)、SiC、InSe、金刚石等宽带隙的化合物半导体称为第三代半导体材料。

碳化硅晶体(sic)结构具有同质多型的特点,其基本结构是Si-C四面体结构。它是由四个Si原子形成的四面体包围一个碳原子组成,按相同的方式一个Si原子也被四个碳原子的四面体包围,属于密堆积结构。 碳化硅(SIC)是半导体界公认的“一种未来的材料”。

在4H-SiC材料和器件发展方面,美国处于国际**地位,已经从探索性研究阶段向大规模研究和应用阶段过渡。CREE公司已经生产出4英寸(100 mm)零微管(ZMP)n型SiC衬底。同时,螺旋位错(screw dislocation)密度被降低到几十个/cm2。商用水平比较高的器件:4H-SiC MESFET在S-波段连续波工作60W(1.5GHz,ldB压缩),漏效率45%(1.5GHz,POUT=PldB),工作频率至2.7GHz。近期CREE公司生产的CRF35010性能达到:工作电压48V,输出功率10W,工作频率3.4-3.8GHz,线性增益10dB;美国正在逐步将这种器件装备在***武器上,如固态相控阵雷达系统、***通讯电子系统、高频电源系统、电子战系统——干扰和威胁信号预警等。其中Cree公司的SiC MESFET功率管已经正式装备美国海军的新一代预警机E2D样机。近期俄罗斯、欧洲和日本加快发展,SiC材料生长和器件制造技术也在不断走向成熟。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯,可望制造高性能的石墨烯集成电路。青岛4寸导电碳化硅衬底

碳化硅被誉为下一代半导体材料,其具有众多优异的物理化学特性应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。河北碳化硅衬底进口半绝缘

功率半导体是大国重器,必将获得国家战略性支持。  功率半导体产业是高铁、汽车、光伏、电网输电等应用的上游**零部件。 功率半导体国产化是我国实现集成电路产业自主可控的关键环节。功率半导体必将获得国家大基金及地方产业基金的持续战略性支持。经过5-10年的发展,我国将出现一两家企业跻身国际功率半导体产业**梯队。欧美日三地把控**市场,中低端市场大陆厂商替代率稳步上升IGBT 及中高压MOSFET 市场主要由欧美日三地企业把控,二极管、晶闸管、中低压MOSFET 等市场国内企业在逐步蚕食海外厂商市场份额,进口替代率稳步上升。河北碳化硅衬底进口半绝缘

苏州豪麦瑞材料科技有限公司发展规模团队不断壮大,现有一支专业技术团队,各种专业设备齐全。专业的团队大多数员工都有多年工作经验,熟悉行业专业知识技能,致力于发展HOMRAY的品牌。公司不仅*提供专业的苏州豪麦瑞材料科技有限公司(Homray Material Company)成立于2014年,是由一群在半导体行业从业多年的专业团队所组成,专注于半导体技术和资源的发展与整合,现以进口碳化硅晶圆,供应切割、研磨及抛光等相关制程的材料与加工设备,氧化铝研磨球,氧化锆研磨球,陶瓷研磨球,陶瓷精加工,抛光液。,同时还建立了完善的售后服务体系,为客户提供良好的产品和服务。诚实、守信是对企业的经营要求,也是我们做人的基本准则。公司致力于打造***的陶瓷研磨球,碳化硅,陶瓷精加工,抛光液。

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