碳化硅衬底进口6寸导电

作为一种新型的半导体材料，SiC以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率／高额电子器件**重要的半导体材料．特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件．因此，SiC器件和各类传感器已逐步成为关键器件之一，发挥着越来超重要的作用．  

从20世纪80年代起，特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来，SiC器件和电路获得了快速的发展．在某些领域，如发光二极管、高频大功率和高电压器件等，SiC器件已经得到较***的商业应用．发展迅速

制备SiC薄膜的方法主要分为两大类：物***相沉积法和化学气相沉积法。碳化硅衬底进口6寸导电

碳化硅早在1842年就被发现了，但直到1955年，飞利浦（荷兰）实验室的Lely才开发出生长***碳化硅晶体材料的方法。到了1987年，商业化生产的SiC衬底进入市场，进入21世纪后，SiC衬底的商业应用才算***铺开。碳化硅分为立方相（闪锌矿结构）、六方相（纤锌矿结构）和菱方相3大类共260多种结构，目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商业价值，美国科锐（Cree）等公司已经批量生产这类衬底。立方相（3C-SiC）还不能获得有商业价值的成品。辽宁进口led碳化硅衬底碳化硅作衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小。

PVT法和HTCVD法生长碳化硅晶体原理图。两者都可以用于生长4H-SiC碳化硅晶片，HTCVD更像是PVT的“加强版”。PVT法的优势在于相对简单易控制，市场占有率高，生长n型导电晶片很成熟。其劣势是p型导电和高阻半绝缘型晶片生长成本高，不能生长高质量的高纯半绝缘晶片。HTCVD法的优势是可以生长导电型（n、p）和高纯半绝缘晶片，可以控制掺杂浓度，使晶片中载流子浓度在3×1013～5×1019/cm3之间可调。其劣势是技术门槛高，市场占有率低。

  SiC很早已被发现，由于它化学和物理稳定性高，过去很长的时问内*在工业中作为研磨和切割材料。SiC在超过1800℃时才升华分解，高温生长单晶和化学机械处理都十分困难，Sic晶体的主要制备方法有：Acheson法（1891年），Lely法（1955年），改良Lely法（1978年）。**早使用Lely法——升华再结晶工艺生长sic单晶，用感应加热法将装有多晶sic粉末的多孔石墨管加热到2500℃，在惰性气体（氩气）环境中升华出Sic，生成六角形状的、大小和结晶类型不定但直径很小、杂质含量较高的单晶板块。SiC衬底吸收380纳米以下的紫外光，不适合用来研发380纳米以下的紫外LED。

碳化硅具有热导率高（比硅高3倍）、与氮化镓晶格失配小（4％）等优势，非常适合用作新一代发光二极管（LED）衬底材料。在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中将碳化硅列为“新一代信息功能材料及器件”，在《中国制造2025》中明确大尺寸碳化硅单晶衬底为“关键战略材料”“先进半导体材料”。可以毫不夸张地说，碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点。从整体上来看，碳化硅半导体完整产业链包括：碳化硅原料-晶锭-晶片-外延-芯片-器件-模块，如图1所示。在LED的制备过程中，上游的碳化硅晶片（衬底）材料是决定LED颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。碳化硅的硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化。杭州进口sic碳化硅衬底

SiC的临界击穿电场比常用半导体Si和GaAs都大很多。碳化硅衬底进口6寸导电

化工工业在各国的国民经济中占有重要地位，是许多大国的基础产业和支柱产业，化学工业的发展速度和规模对社会经济的各个领域有着直接影响。虽然近年来我国化工行业整体规模飞速壮大，但私营有限责任公司企业竞争力、收入能力、人均收入等方面指标与发达地区差距较大，在人均收入等部分指标上我国部分企业不足全球优先企业的1/10。加快提升企业重点竞争力，培育具有竞争优势的企业和企业集团，是我国化工产业必须要下大力气补齐的短板。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，抛光液的发展任务是提升示范升级水平、解决环保问题，关注竞争力，努力实现相关产业融合发展。通过贸易型的优化和升级，化工行业已经从初期的以“三废治理”为主，发展为包括环保产品、环境服务、洁净产品、废物循环利用，跨行业、跨地区，产业门类基本齐全的产业体系。碳化硅衬底进口6寸导电

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