北京氧化钙陶瓷厂家

    HTCC又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无玻璃材质，因此，HTCC必须在高温1200~1600°C环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔于印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，再叠层烧结成型。DBC（DirectBondedCopper)DBC直接接合铜基板，将高绝缘性的AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065~1085°C的环境加热，使铜金属因高温氧化，扩撒与AL2O3材质产生（Eutectic）共晶熔体，是铜金属陶瓷基板粘合，形陶瓷复合金属基板，依据线路设计，以蚀刻方式备至线路。 用陶瓷材料替代轴承钢等金属做轴承能拥有更长的轴承使用寿命，并大幅提高其性能和可靠性。北京氧化钙陶瓷厂家

重量轻其密度为，只为钢铁的一半，可**减轻设备负荷。氧化铝陶瓷分为高纯型与普通型两种：1、高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99．9%以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达1650—1990℃，透射波长为1~6μm，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚：利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。2、普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料。江苏氧化硅陶瓷基板利用碳化硅陶瓷的导热性可制作高温下的热交换器材料。

    氮化物陶瓷是近20多年来发展起来的新型工程陶瓷、与一般的硅酸盐陶瓷不同之处在于前者氮和硅的结合属于共价键性质的结合，因而有结合力强、绝缘性好的特点。氮化硅的强度很高，硬度也很高，是世界上坚硬的物质之一，它的耐温性较好，强度可维持到1200°C高温而不下降，一直到1900°C才会分解，而且它具有惊人的耐化学腐蚀性能，同时又是一种高性能的电绝缘材料。该公司采用微波烧成工艺生产的各种氮化硅陶瓷制品总体性能达到国际先进水平。氮化铝的理论热导是320W/m·k，大约是铜热导的80%，同时氮化铝有低的介电常数、高电阻、低密度和接近硅的热膨胀系数，综合性能优于Al2O3、BeO、SiC等，被用于高导热绝缘子和电子基板材料。该公司生产的各种氮化铝陶瓷制品密度大于，热导率120～200W/m·K可根据用于需求生产各种规格氮化铝陶瓷。

热膨胀系数是考评印制电路板时常提到的数据，它的缩写是CTE，主要描述物体受热或者冷却时形变的百分率。

  世界上每种材料都会随着温度的变化产生膨胀或者收缩，这种变化可能并不能由人们直接看到，但确实存在。虽然不乏一些材料反其道而行之，温度下降时反而膨胀，但大多数材料还是遵循常识，在受热后会产生小幅度的膨胀，这种膨胀一般是用每摄氏度每百万分之几来描述的，即ppm/C。

  CTE是如何影响电路板的呢？

  目前的主流PCB基板，其CTE平均导热率在14~17ppm/C，而焊接到PCB上的硅芯片的CTE是6ppm/C，这样就存在了不可忽视的膨胀率差异——当PCB和芯片同时受热，PCB会比芯片封片封装膨胀得更剧烈，从而导致焊点从芯片上脱落。 陶瓷材料是工程材料中刚度比较好、硬度比较高的材料,其硬度大多在1500HV以上。

    就氧化铝瓷而言，如果常压下普通烧结必须烧至1800℃以上的高温，热压20MPa烧结，在1000℃左右的较低温度下就已致密化了。热压烧结技术不仅***降低氧化铝瓷的烧结温度，而且能较好地***晶粒长大，能够获得致密的微晶的氧化铝陶瓷，特别适合透明氧化铝陶瓷和微晶刚玉瓷的烧结。此外，由于氧化铝的烧结过程与阴离子的扩散速率有关，而还原气氛有利于阴离子空位的增加，可促进烧结的进行。因此，真空烧结、氢气氛烧结等是实现氧化铝瓷低温烧结的有效辅助手段。在实际的生产工艺中，为获得比较好综合经济效益，上述低烧技术往往相互配合使用，其中加入助烧添加剂的方法相对其它方法而言，具有成本低、效果好、工艺简便实用的特点。在中铝瓷、高铝瓷和刚玉瓷的生产中被***使用。 陶瓷已经成为许多高新技术领域中不可缺少的关键材料。北京氧化钙陶瓷厂家

氮化硅陶瓷线膨胀系数在各种陶瓷中**小,使用温度高达1400℃。北京氧化钙陶瓷厂家

氮化铝陶瓷基板：1、氮化铝陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。北京氧化钙陶瓷厂家

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