ITO导电玻璃稳定性：耐碱为浸入60℃、浓度为10%氢氧化钠溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐酸为浸入250C、浓度为6%盐酸溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐溶剂为在250C、二甲基酮、无水乙醇或100份去离子水加3分EC101配制成的清洗液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。附着力：在胶带贴附在膜层表面并迅速撕下，膜层无损伤；或连撕三次后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。热稳定性：在300°C的空气中，加热30分钟后，ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%。ITO显影液的浓度是指NaOH、Na2SiO3总含量。TIO蚀刻药剂价格
常用的彩色显影剂有CD-2、CD-3、CD-4等。在使用中，显影剂与保护剂、促进剂、阻止剂等配成ITO显影液使用。当ITO显影液的浓度偏低时，碱性弱，显影速度慢，易出现显影不净、版面起脏、暗调小白点糊死等现象。ITO显影液是一种化学用品的成分，主要是用硫酸、硝酸及苯、甲醇、卤化银等硼酸、对苯二酚配合组成的一种特殊的用材。像对苯二酚对皮肤、粘膜有强烈的腐蚀作用，吸入、食入、经皮吸收均会影响。常用的黑白显影剂是硫酸对甲氨基苯酚（米吐尔）、对苯二酚（几奴尼）等。苏州TIO显影液库存充足ITO蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性。
影响ITO氯化铁蚀刻液蚀刻速率的因素：a、Fe3+浓度的影响：Fe3+的浓度对蚀刻速率有很大的影响。蚀刻液中Fe3+浓度逐渐增加，对铜的蚀刻速率相应加快。当所含超过某一浓度时，由于溶液粘度增加，蚀刻速率反而有所降低。b、蚀刻液温度的影响：蚀刻液温度越高，蚀刻速率越快，温度的选择应以不损坏抗蚀层为原则，一般在40~50℃为宜。c、盐酸添加量的影响：在蚀刻液中加入盐酸，可以阻止FeCl3水解，并可提高蚀刻速率，尤其是当溶铜量达到37.4g/L后，盐酸的作用更明显。但是盐酸的添加量要适当，酸度太高，会导致液态光致抗蚀剂涂层的破坏。d、蚀刻液的搅拌：静止蚀刻的效率和质量都是很差的，原因是在蚀刻过程中在板面和溶液里会有沉淀生成，而使溶液呈暗绿色，这些沉淀会影响进一步的蚀刻。
影响ITO蚀刻液侧蚀的因素很多，下面概述几点：1）蚀刻速率：蚀刻速率慢会造成严重侧蚀。蚀刻质量的提高与蚀刻速率的加快有很大关系。蚀刻速度越快，板子在蚀刻液中停留的时间越短，侧蚀量越小，蚀刻出的图形清晰整齐。2）蚀刻液的PH值：碱性蚀刻液的PH值较高时，侧蚀增大。为了减少侧蚀，一般PH值应控制在8.5以下。3）蚀刻液的密度：碱性蚀刻液的密度太低会加重侧蚀，选用高铜浓度的蚀刻液对减少侧蚀是有利的。6）铜箔厚度：要达到较小侧蚀的细导线的蚀刻，尽量采用（超）薄铜箔。而且线宽越细，铜箔厚度应越薄。因为，铜箔越薄在蚀刻液中的时间越短，侧蚀量就越小。ITO显影剂在使用中，显影剂与保护剂、促进剂、阻止剂等配成显影液使用。
TIO蚀刻液的原料：①氟化铵：分子式为NH4F，白色晶体，易潮解，易溶于水和甲醇，较难溶于乙醇，能升华，在蚀刻液中起腐蚀作用，一般选用工业产品。②草酸：在蚀刻液中作还原剂使用，一般选用工业产品。③硫酸钠：在蚀刻液中作为填充剂使用，一般选用工业产品。④氢氟酸：即氟化氢的水溶液，为无色液体，能在空气中发烟，有强烈腐蚀性和毒性，能侵蚀玻璃，需贮存于铅制、蜡制或塑料容器中，可作为蚀刻玻璃的主要原料，一般选用工业品。⑤硫酸：纯品为无色油状液体，含杂质时呈黄、棕等色。用水稀释时，应将浓硫酸慢慢注入水中，并随时搅和，而不能将水倒入浓硫酸中，以防浓硫酸飞溅而引发事故，可作为腐蚀助剂，一般选用工业品。⑥硫酸铵：一般选用工业品。⑦甘油：一般选用工业品。⑧水：自来水。ITO显影液在工业上来说，是针对半导体晶片而言。苏州触摸屏铜网格黑化多少钱
ITO显影液是一种重要的湿电子化学品。TIO蚀刻药剂价格
ITO导电玻璃制造工艺：（1）电化学扩散工艺：在玻璃上用电化学扩散方法可获得掺杂超导薄膜。玻璃在电化学处理装置中与熔融金属或化合物接触，在一定的电场作用下，熔融金属或化合物中的离子会扩散到玻璃表面，玻璃中的一价碱金属离子离解处来，等量地扩散至阴极表面，使玻璃表面的化学组成发生变化。性能随之改变。（2）高温喷涂和等离子体喷涂工艺：这种技术是将粉末状金属或非金属、无机材料加热至熔化或未熔化状态，并进一步加温使其雾化，形成高温高速焰流喷向需喷涂的玻璃基体。采用这种方式可以先在基体上制备YBaGUOx等涂层，在经过热处理可成为超导性材料。TIO蚀刻药剂价格
