低固态含量助焊剂：免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造成本和污染少的优点。近十年来，免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏的普遍使用，是20世纪末电子产业的一大特点。取代CFCs的途径是实现免清洗。PCB抄板之溶剂清洗技术，溶剂清洗主要是利用了溶剂的溶解力除去污染物。采用IC清洁剂清洗，由于其挥发快，溶解能力强，故对设备要求简单。根据选用的清洗剂，可分为可燃性清洗剂和不可燃性清洗剂，前者主要包括有机烃类和醇类（如有机烃类、醇类、二醇酯类等），后者主要包括氯代烃和氟代烃类（如HCFC和HFC类）等。IC封装药水膜成单独相存在，通常是氧化金属的化合物。IC封装药水
在执行晶圆的前、后段工艺过程时，晶圆需要经过无数次的IC清洁剂清洗步骤，其次数取决于晶圆的设计和互连的层数。此外，由于清洗工艺过程要剥离晶圆表面的光刻胶，同时还必须去除复杂的腐蚀残余物质，金属颗粒以及其他污染物等，所以清洗过程是及其复杂的过程。清洗介质的选择从湿法清洗的实践中，越来越多出现难于解决的问题时，迫使科技人员探索和寻找替代的技术，除了如增加超声频率（采用MHz技术）等补救方法之外，选择的途径就是选择气相清洗技术来替代（热氧化法、等离子清洗法等）。南京IC镀锡药剂供货公司IC封装药水可用薄膜理论来解释，即认为封闭是由于金属与氧化性质作用。
有机物的去除常常在清洗工序的第1步进行，金属污染物：IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个单独的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜，如A-Si，Cu等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积介质层进行化学机械抛光（CMP)。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除金属污染物。原生氧化物及化学氧化物：硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。
随着芯片尺寸加大，工艺线宽减小，从9Onm工艺开始，以往IC清洁剂在清洗过程中使用的超声波清洗遇到一些问题，如造成半导体器件结构损伤，在65nm及以下工艺，其损伤程度可能会加剧。芯片中的深沟槽结构清洗时清洗液和漂洗去离子水很难进入结构内部，难以达到清洗目的。高堆桑式和深沟槽式结构清洗后的干燥过程也是很关键的技术问题。一般小于130nm工艺中，要求必须去除所有大于或等于100nm的颗粒，而由于表面边界层的限制，现行清洗技术，如液体或高压〈液体〉喷射清洗已无法洗去0onm的颗粒。IC封装药水银封闭剂具有很强的耐硫化和耐盐雾性。
STM-C190变色防止剂，STM-C190可直接取代磷酸三钠中和处理制程。配比浓度(5%-10%)，消耗很低。在锡表面沉积一层有机薄膜，可改善镀层因储存或热处理（烘烤、Reflow）造成的外观变色状况。STM-C160除锈活化剂，单剂操作，配比浓度20-40%。适用于各种Cu-alloy、Fe-Ni-alloy不含H2O2，药液维护容易。微蚀均一性好，药剂稳定性良好。STM-C150除锈活化剂单剂操作，配比浓度20-40%。适用于各种Cu-alloy、Fe-Ni-alloy、Ni。不含H202，药液维护容易。微蚀均一性好，药剂稳定性良好。IC封装药水牢固地吸附在金属表面上的物理膜。IC封装药水
STM-C190变色防止剂，STM-C190可直接取代磷酸三钠中和处理制程。IC封装药水
由于生锈达到更好的效果，如果是严重腐蚀材料的表面处理，应用钢刷或其他机械去除方法腐蚀，然后再用IC除锈剂。如果处理过的材料表面有厚油，应先清理油，然后用IC除锈剂处理。与产品短期接触对皮肤无害，如果长期接触应采取相应措施保护劳动力(眼镜，橡胶手套，穿防护服，橡胶鞋)，以确保操作人员的安全。如果液体偶然溅入眼睛，立即用水冲洗或去医院。据世界腐蚀组织指出：据不完全统计，全球每年因金属腐蚀造成的直接经济损失高达约达7千亿美金，而我国因金属腐蚀造成的损失约占到国民生产总值的4%。IC封装药水
