电动汽车的电动机是有源负载,其转速范围很宽,且在行驶过程中需要频繁地加速和减速,工作条件比一般的调速系统要复杂,因此,其驱动系统是决定电动汽车性能的关键所在。随着电动汽车的发展,对电力电子功率驱动系统提出了更高的要求,即更轻、更紧凑、更高效、更可靠。常用的半导体材料,尤其是各种电子产品中的处理器、存储器等芯片,通常都是基于硅晶体(单晶硅或多晶硅)制造出来的。而实际上还有一类半导体是基于化合物晶体制造的,SiC(碳化硅)半导体就是其中之一。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用很多、很经济的一种。宝山区碳化硅费用哪家便宜
目前的碳化硅抛光方法存在着材料去除率低、成本高的问题,且无磨粒研抛、催化辅助加工等加工方法,由于要求的条件苛刻、装置操作复杂,目前仍处在实验室范围内,批量生产的实现可能性不大。人类1905年 一次在陨石中发现碳化硅,现在主要来源于人工合成,碳化硅有许多用途,行业跨度大,可用于单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料,采用物相传输法(PVT) 生长碳化硅晶体,加工制成碳化硅晶片。 嘉定区碳化硅都有哪些碳化硅中的碳也可用作钢液中所缺乏的碳源补充。
加工制砂、微粉生产企业300多家,年生产能力200多万吨。2012年,中国碳化硅产能利用率不足45%。约三分之一的冶炼企业有加工制砂微粉生产线。碳化硅加工制砂微粉生产企业主要分布在河南、山东、江苏、吉林、黑龙江等省。中国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属。中国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面:一是在生产过程中很少使用大型机械设备,很多工序依靠人力完成,人均碳化硅产量较低;二是在碳化硅深加工产品上,对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细,产品质量的稳定性不够;三是某些前端产品的性能指标与发达国家同类产品相比有一定差距;四是冶炼过程中一氧化碳直接排放。国外主要企业基本实现了封闭冶炼,而中国碳化硅冶炼几乎全部是开放式冶炼,一氧化碳全部直排。2012年,中国企业开发出了封闭冶炼技术,实现了一氧化碳全部回收,但是距离全行业普及还有很长的路要走。
与传统硅基器件相比,SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍,导热系数是传统硅基器件的3倍,非常适合于高压应用,如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外,SiC还用于制造LED。碳化硅材料各项指标均优于硅,其禁带宽度几乎是硅的3倍,理论工作温度可达600℃,远高于硅器件工作温度。技术成熟度较高,应用潜力较大。碳化硅器件具有更低的导通电阻。在低击穿电压 (约 50V 下),碳化硅器件的比导通 电阻只有 1.12uΩ,是硅同类器件的约 1/100。在高击穿电压 (约 5kV 下),比导通电 阻提高到 25.9mΩ, 却是硅同类器件的约 1/300。 更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小的导通损耗,从而能获得更高的整机效率。碳化硅的工业制法是用优良石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。
由于二极管是基于10A额定电流进行比较的,考虑不同供应商的器件之间有时不同的额定电流定义是很重要的。为了更加深入地了解器件性能,画出电流密度(正向电流除以芯片面积)与正向压降之间的关系是有用的,它考虑到了芯片的面积。显示了等效电流密度,传统硅二极管和SiC肖特基二极管具有非常相似的正向压降,而快速硅二极管的Vf仍然是较高的。换句话说,当使用相同的芯片面积时,硅二极管和SiC二极管具有可比的静态损耗。通常SiC芯片尺寸更小,由于额度电流的确考虑到了静态和动态损耗,额定电流,所以带来较小的总损耗,因此缩小了芯片的尺寸。碳化硅具有节约能源、增强耐磨性等优点。宝山区碳化硅费用哪家便宜
碳化硅在钢材冶炼中也常被用作添加剂使用。宝山区碳化硅费用哪家便宜
碳化硅(SiC)功率器件耐高温、抗辐射、具有较高的击穿电压和工作频率,适于在恶劣条件下工作,特别是与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件可将功耗降低一半,因此可大幅度降低开关电源、电机驱动器等电路的热耗、体积和重量。虽然,碳化硅功率器件在近几年才向市场推广,但目前已应用于混合动力汽车和电动汽车设备中,正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的优点,把碳化硅功率器件向航天电子产品中推广就具有了很重要的实际意义。 碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用:根据上述分析,结合航天实际,碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用主要集中在下面几个领域。宝山区碳化硅费用哪家便宜
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