碳化硅MOSFET和碳化硅二极管用于太阳能,UPS,工业,汽车等应用:主要集中在光伏储能中的逆变器,数据中心服务器的UPS电源,智能电网充电站等需要转换效率较高的领域。但是随着近些年电动和混合动力汽车(xEV)的发展,SiC也在这个新领域迅速崛起,辐射的产业包括能源(PV,EV充电,智能电网等)、汽车(OBC,逆变器)、基础设施(服务器)等。与常规硅相比,WBG材料具有相对较宽的能带隙(在价带和导带之间)。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是当今使用较普遍的WBG材料。表1显示了WBG和Si基材料的主要特性。 纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系是由于含铁之不纯物。青浦区碳化硅服务哪家好
2012年全年中国黑碳化硅产能没有正常释放,一方面是成交缓慢,库存消耗慢,占压资金量大,另一方面是下游玩业消费商回款时间长,欠款现象严重,导致某些企业资金链紧张。2012年中国黑碳化硅的主产地为宁夏和甘肃,青海和新疆的原有产能逐渐被淘汰,加上湖北丹江口弘源的冶炼产能,共计76.9万吨, 2012年总产量约为34万吨,黑碳化硅冶炼企业的产能利用率约为44.5%。中国绿碳化硅冶炼的主产地是甘肃、青海、新疆和四川。四川主要靠水力发电站供电,受到枯水期电力短缺的影响,一年的生产时间只在4-10月份,较长能坚持6个月的生产,但四川的冶炼炉几乎没有正常开工,主要因为市场需求疲软,库存难以消耗。黄浦区碳化硅费用碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,只次于世界上较硬的金刚石(10级)。
其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景较明朗的半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。历史上人类一次发现碳化硅是在1891年,美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物,这就是碳化硅初次合成和发现。在经历了百年的探索之后,特别是进入21世纪以后,人类终于理清了碳化硅的优点和特性,并利用碳化硅特性,做出各种新器件,碳化硅行业得到较快发展。相比传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8倍;电子饱和漂移速率为硅的2倍。种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压,耐大电流的高频大功率的器件。
由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的主选窑具材料之一,它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。制备SiC制品首先要制备SiC冶炼块[或称:SiC颗粒料,因含有C且超硬,因此SiC颗粒料曾被称为:金刚砂。碳化硅可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
对比热数据,全SiC模块显示出比传统硅模块更低的热阻。这是由于与Si相比,SiC具有更高的热传导率和更好的热扩散能力:在此布局中,4个SiC二极管芯片在相同的空间上代替1个硅二极管。SiC器件更低的热阻是特别重要的,因为在这种情况下硅芯片使用了21 cm2的总面积,而全SiC模块只用了10 cm2。与硅模块的通态损耗相比,全SiC模块的通态损耗更高。SiC肖特基二极管的正向压降也是这样。全SiC模块的动态损耗非常低:SiC MOSFET的开关损耗比硅IGBT低4倍,SiC肖特基二极管的损耗低8-9倍。 碳化硅是太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。金山区碳化硅厂商有哪些
碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。青浦区碳化硅服务哪家好
碳化硅可以抵受的电压或电场八倍于硅或砷化镓, 特别适用于制造高压大功率器件如高压二极管、功率三极管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可让碳化硅器件紧密排列, 有利于提高封装密度。碳化硅是热的良导体, 导热特性优于任何其它半导体材料。事实上, 在室温条件下, 其热传导率高于任何其它金属,这使得碳化硅器件可在高温下正常工作。为采用SiC SBDs的小功率EV 车载逆变器散热片体积和采用传统Si基半导体器件散热片体积的对比,可看出,采用SiCSBDs 器件散热片的体积有效减小。对于主流的大功率HEV,一般包含两套水冷系统,一套是引擎冷却系统,冷却温度约105℃,另一套是电力电子设备的冷却系统,冷却温度约为70℃。 青浦区碳化硅服务哪家好
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